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提高绝缘栅双极晶体管（IGBT）单芯片电流容量，对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求，新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司的研究人员刘国友、黄建伟、覃…
株洲中车研究团队的科研成果展示了大尺寸芯片实现常规设计10倍以上、近50万个高压IGBT元胞的集成，较好地解决了大规模集成元胞之间的开关同步与均流问题，且具备进一步提高元胞集成度、芯片电流容量的能力。.这表明大尺寸芯片设计与制造技术对于提高单...
IGBT模块可靠性设计与研究.pdf,PowerIGBTModuleReliabilityDesignandStudyIGBT模块可靠性设计与研究crrcgc.cc目录Outlines010203IGBT模块IGBT模块中车IGBT产品可靠性要求可靠性设计与评估及技术平台作者授权中国电源学会...
牵引级IGBT的功率高达1千万瓦，每个IGBT承受的最高电压可高达6.5千伏，标称电流高达600安。牵引级高压大功率IGBT的工作环境严酷，负载剧烈变化，对IGBT模块的寿命影响很大，这就需要采用特定的技术来提高器件的温度循环寿命和功率循环寿命。
答：IGBT模块论文可以从IGBT发展、封装、器件设计、应用技术、原理、驱动电路设计等多个角度选材，然后再查找相关文献整理。下面是IGBT相关的论文设计《基于IGBT的变频电源设计》
本文通过研究与试验主要得出以下结论：.1）英飞凌器件IGBT和Diode芯片的结壳热阻试验测量值基本与厂家提供的产品手册值一致，证明试验方案正确且试验测量精度较高。.2）使用5年后的三菱IGBT器件结壳热阻平均值较产品手册值略大，说明使用5年后的三菱IGBT...
IGBT高温漏电从5mA降低至0.8mA，最高结温从125℃提高至150℃，装备“复兴号”高铁IGBT牵引变流器通过严格的考核验证。该项目获授权发明专利57项，发表论文60篇，锻造一支“IGBT技术…
其中，厂商嘉兴斯达及中国中车纷纷打入全球TOP15榜单，而嘉兴斯达目前还是国内最大的IGBT模块生产厂家。以下几大厂商几乎垄断了全球的IGBT市场：三菱电机：隶属于日本三菱企业集团，总部设在日本，创建于1921年，是一家具有90多年历史的
基于matlab的IGBT能耗模型及其在热中的应用.发表日期：2014年05期出版：《大功率变流技术》主管单位：中车株洲电力机车研究所有限公司作者：陈彦,许鹏,李世平页数：3页（依默认发送格式：PDF计算）PDF编号：PDF9BLJS2014050080可选格式：Word、ePUB、PPT...
IGBT概念形成是在1978年。1983年世界首款IGBT芯片由美国通用公司和RCA公司研制成功的，当时容量为500V/20A。1984年第一代IGBT产品正式形成，是穿通型平面栅(PT-Planar，PunchThrough），采用DMOS工艺制造，1986年正式商业化。
提高绝缘栅双极晶体管（IGBT）单芯片电流容量，对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求，新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司的研究人员刘国友、黄建伟、覃…
株洲中车研究团队的科研成果展示了大尺寸芯片实现常规设计10倍以上、近50万个高压IGBT元胞的集成，较好地解决了大规模集成元胞之间的开关同步与均流问题，且具备进一步提高元胞集成度、芯片电流容量的能力。.这表明大尺寸芯片设计与制造技术对于提高单...
IGBT模块可靠性设计与研究.pdf,PowerIGBTModuleReliabilityDesignandStudyIGBT模块可靠性设计与研究crrcgc.cc目录Outlines010203IGBT模块IGBT模块中车IGBT产品可靠性要求可靠性设计与评估及技术平台作者授权中国电源学会...
牵引级IGBT的功率高达1千万瓦，每个IGBT承受的最高电压可高达6.5千伏，标称电流高达600安。牵引级高压大功率IGBT的工作环境严酷，负载剧烈变化，对IGBT模块的寿命影响很大，这就需要采用特定的技术来提高器件的温度循环寿命和功率循环寿命。
答：IGBT模块论文可以从IGBT发展、封装、器件设计、应用技术、原理、驱动电路设计等多个角度选材，然后再查找相关文献整理。下面是IGBT相关的论文设计《基于IGBT的变频电源设计》
本文通过研究与试验主要得出以下结论：.1）英飞凌器件IGBT和Diode芯片的结壳热阻试验测量值基本与厂家提供的产品手册值一致，证明试验方案正确且试验测量精度较高。.2）使用5年后的三菱IGBT器件结壳热阻平均值较产品手册值略大，说明使用5年后的三菱IGBT...
IGBT高温漏电从5mA降低至0.8mA，最高结温从125℃提高至150℃，装备“复兴号”高铁IGBT牵引变流器通过严格的考核验证。该项目获授权发明专利57项，发表论文60篇，锻造一支“IGBT技术…
其中，厂商嘉兴斯达及中国中车纷纷打入全球TOP15榜单，而嘉兴斯达目前还是国内最大的IGBT模块生产厂家。以下几大厂商几乎垄断了全球的IGBT市场：三菱电机：隶属于日本三菱企业集团，总部设在日本，创建于1921年，是一家具有90多年历史的
基于matlab的IGBT能耗模型及其在热中的应用.发表日期：2014年05期出版：《大功率变流技术》主管单位：中车株洲电力机车研究所有限公司作者：陈彦,许鹏,李世平页数：3页（依默认发送格式：PDF计算）PDF编号：PDF9BLJS2014050080可选格式：Word、ePUB、PPT...
IGBT概念形成是在1978年。1983年世界首款IGBT芯片由美国通用公司和RCA公司研制成功的，当时容量为500V/20A。1984年第一代IGBT产品正式形成，是穿通型平面栅(PT-Planar，PunchThrough），采用DMOS工艺制造，1986年正式商业化。
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