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创新与实践TECHNOLOGYMARKETVol.22,No.4,2015IGBT技术现状及发展趋势(珠海格力新元电子有限公司,广东珠海519110)要:介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。
12金锐等：IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用Vol.1No.21）IGBT芯片方面。.国内对IGBT的研究启动较晚，基础相对薄弱，如图1所示，硅IGBT结构为正面金属氧化物在中低压范围，工艺比较成熟，代工居多，如半导体场效应晶体管(metal-oxide...
电力电子器件发展概况及应用现状(下),电力电子器件,MCT,功率器件,应用现状,发展概况。4复合型电力电子器件4.1绝缘门极双极型晶体管(IGBT)IGBT是由美国GE公司和RCA公司于1983...
以近年来发展最快的IGBT为例，通过近20年的发展,IGBT不但具有了抗短路能力、消除了“二次击穿”现象和电流擎住现象，而且在导通压降的降低、栅极电荷的减小、开关速度的提高和开关损耗的减小等各个方面都取得了巨大进步，极大地提高了IGBT的性能。
其中随着新应用的推动，MOSFET和IGBT发展迅速。据统计，2016年全球MOSFET市场规模约为63.09亿美元，到2018年全球MOSFET市场规模约为79.66亿美元,2016-2018年复合增长率约为7.6%。2018年，中国MOSFET市场规模约为27.92亿美元，中国年复合...
电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
IGBT特性研究及驱动、缓冲电路设计——毕业论文.doc,武汉理工大学本科生毕业设计(论文)任务书学生姓名专业班级自动化指导教师工作单位自动化学院设计(论文)题目:IGBT特性研究及驱动、缓冲电路设计设计（论文）主要内容：了解和熟悉目前国内外IGBT产品现状和技术现状，分析IGBT结…
国内外IGBT和MCT的发展现状.俞萍.【摘要】：本文介绍了新型的MOS－双极器件－IGBT和MCT的国内外研制现状及发展方向。.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF全文下载.CAJ全文下载.(如何获取全文？.欢迎：购买知网充值卡、在线充值、在线咨询)
我国功率半导体器件技术发展现状及市场前景2019-05-1420:33来源:NE电气上期内容：大功率IGBT模块及驱动技术...公司首席技术官兼副总经理。拥有美国发明专利1项，中国专利34项，在国内外核心期刊发表论文10余篇。制定超结金属氧化物半导体场...
国外中频感应加热电源的容量已突破数十兆瓦。高频(100kHz)感应加热电源已经由传统的电子管电源转化成为晶体管化全固电源，其中以大容量MOSFET,IGBT功率器件为主。表1-2列出了各国的发展现状。表1-2各国感应电源发展水平国家MOSFET参数IGBT
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以近年来发展最快的IGBT为例，通过近20年的发展,IGBT不但具有了抗短路能力、消除了“二次击穿”现象和电流擎住现象，而且在导通压降的降低、栅极电荷的减小、开关速度的提高和开关损耗的减小等各个方面都取得了巨大进步，极大地提高了IGBT的性能。
其中随着新应用的推动，MOSFET和IGBT发展迅速。据统计，2016年全球MOSFET市场规模约为63.09亿美元，到2018年全球MOSFET市场规模约为79.66亿美元,2016-2018年复合增长率约为7.6%。2018年，中国MOSFET市场规模约为27.92亿美元，中国年复合...
电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
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