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后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
在特殊的年代，陈星弼还先后写出了几篇优秀的论文：《论晶体管电荷控制法的基础》《一维不均匀媒质中的镜像法》《表面复合的漂移及扩散运动...
后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
2008年，陈星弼发表的一篇论文指出，现在世界上70%以上的电能，都是经过半导体功率器件变换其形式而应用的，功率器件的年销售额仅次于集成电路。陈星弼的发明专利成功转让并实现产业化后，截至目前，超结器件在全球的年市场销售额超过10亿美元。
2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。
陈星弼(1931.1~)，男，生于上海，祖籍浙江省浦江县，国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。中国科学院院士、IEEEFellow,九三学社社员，教授、博士生导师。1952年，陈星弼毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。
后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
高速IGBT及IGBT抗闩锁性能优化.文章从技术发展角度总结了IGBT发明初期的发展历史,比较全面的介绍了动态控制IGBT阳极发射结的研究进展与现状,并列举了目前比较常见的能提高IGBT抗闩锁能力的设计方法。.采用MEDICI电路功能模拟研究基于陈星弼教授的专利--一...
日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后才发表了相关问题的论文。第一篇论文就大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼...
分类号密级UDC离线式开关电源芯片中部分子电路的分析与设计题名和副题名作者姓名指导教师姓名陈星弼教授、博导、院士电子科技大学成都职务、职称、学位、单位名称及地址申请专业学位级别专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期200818论文答辩日期200822学位授予单位和日期
后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
在特殊的年代，陈星弼还先后写出了几篇优秀的论文：《论晶体管电荷控制法的基础》《一维不均匀媒质中的镜像法》《表面复合的漂移及扩散运动...
后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
2008年，陈星弼发表的一篇论文指出，现在世界上70%以上的电能，都是经过半导体功率器件变换其形式而应用的，功率器件的年销售额仅次于集成电路。陈星弼的发明专利成功转让并实现产业化后，截至目前，超结器件在全球的年市场销售额超过10亿美元。
2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。
陈星弼(1931.1~)，男，生于上海，祖籍浙江省浦江县，国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。中国科学院院士、IEEEFellow,九三学社社员，教授、博士生导师。1952年，陈星弼毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。
后来论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后也发表了相关问题的论文。第一篇论文就如此大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
高速IGBT及IGBT抗闩锁性能优化.文章从技术发展角度总结了IGBT发明初期的发展历史,比较全面的介绍了动态控制IGBT阳极发射结的研究进展与现状,并列举了目前比较常见的能提高IGBT抗闩锁能力的设计方法。.采用MEDICI电路功能模拟研究基于陈星弼教授的专利--一...
日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后才发表了相关问题的论文。第一篇论文就大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼...
分类号密级UDC离线式开关电源芯片中部分子电路的分析与设计题名和副题名作者姓名指导教师姓名陈星弼教授、博导、院士电子科技大学成都职务、职称、学位、单位名称及地址申请专业学位级别专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期200818论文答辩日期200822学位授予单位和日期
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