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虽然我国GaAs基半导体激光器（LD）和GaN基发光二极管（LED）产业取得了较大进展，但外延材料、芯片及其器件等关键技术因其涉及国防安全，长期被美、日、欧等发达国家垄断。本项目旨在建立具有自主知识产权的高功率GaAs基LD和高光
最新博士论文—《GaAs表面钝化及在1.06μm高功率半导体激光器腔面钝化中的应用研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-16页第1章绪论第16-40页1.1选题的背景及意义第16-17页
GaAs基异质结双极晶体管（HBT）的模拟、设计与制作,异质结双极晶体管(HBT),分子束外延(MBE),器件模拟,频率特性。异质结双极晶体管(HBT)的特点具有宽带隙的发射区,能大大提高发射结的载流子注入效率,降低基区串联电阻,其优异的性能包括...
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...
半导体光电杂志2019年第6期GaAs材料非平衡热电子的瞬态输运及其光电导特性用户：投期刊网2020-02-06上传侵权/申诉导语本论文发表于半导体光电杂志，属于电子相关论文范文材料。仅供大家论文…
博士毕业论文—《质子辐射对GaAs和InP纳米线结构空间位移损伤特性研究》摘要第1-6页ABSTRACT第6-16页第1章绪论第16-34页1.1课题的背景及研究的目的和意义
2.1GaAs的电子结构32.2Mn掺杂GaAs的稳定构型、磁性来源42.3Mn掺杂GaAs的电子结构52.4Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景63.结束语7参考文献8致谢10Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究引言
2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”，或“MOCVD”等方面的书籍，
1.2GaAs光电阴极研究现状第12-15页1.3GaAs光电阴极特征参数第15-17页1.4GaAs光电阴极面临挑战第17-21页1.5研究背景和意义第21-22页1.6论文的主要内容第22-24页2GaAs阵列光电阴极光电发射理论及分析第24-45页2.1引言第24
论文|高功率脊形半导体激光器模式特性研究论文|脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究论文|MBE生长940nm半导体激光器研究
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2、GaAs(以及什么InGaAs之类三元的)在形成PN结的时候它的P区和N区在MOCVD或MBE生长过程中依靠控制有机源或束源炉的流量和生长压力、温度、衬底取向等诸多条件可以生长而成。你最好去看一下"化合物半导体”，或“MOCVD”等方面的书籍，
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