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场致发射显示器的现状与发展朱长纯,史永胜(西安交通大学电信学院,陕西西安710049)StatusEmissionDisplayZHUChang2chunSHIYong2shengElectroicInformationEngineeringschoolXi’anJiaotongUniversityXi’an710049China)Abstract...
摘要：通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体及其阵列工艺以及各种关键技术的优缺点.并介绍国外著名公司的研究动态,展望FED的发展趋势.
摘要场致发射显示是一种具有良好应用前景的新型显示技术,场致发射阴极材料是场致发射显示器的核心内容。综述了近年来场致发射材料的研发热点,对金属、硅、金刚石及类金刚石薄膜、GaAs和GaN等场致发射材料的研究做了简要的归纳,同时介绍了碳纳米管、表面传导型场致发射材料及采用定向凝固...
摘要场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分。介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用研究现状及差距。
场致发射过程中,二次电子发射现象不可忽视。二次电子发射引起电荷积累,改变电场分布,二次电子再与空间电荷碰撞激发离子,引起离子轰击,这些将对场致发射造成极大影响。本论文介绍了场致发射和二次电子…
黑龙江大学硕士学位论文聚苯胺的热解及其场致发射性能的研究姓名：宋伟申请学位级别：硕士专业：高分子化学与物理指导教师：白续铎20050605？7737c））中文摘要本文通过采用化学的方法，出大分子本征态的聚苯胺。
六硼化镧薄膜场致发射的特性.阵列薄膜是在好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法.在n型硅片上先后采用氧化,光刻,干法刻蚀,氧化削尖等工艺,出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列...
1.本发明属于空间电推进技术领域，涉及一种磁聚焦场致发射微电推进装置。背景技术：2.场致发射微电推进装置由于具有结构简单、效率高、比冲大等优点，是未来微纳小卫星平台理想的动力装置。这种推进装置在使用过程中通常依靠电极间的强电场将推进剂电离并在电场力的作用下出去...
场致发射阴极微波电子枪模拟与实验研究.李相坤.【摘要】：低增益自由电子激光要求电子束同时具有较高的亮度和较高的平均流强,金属光阴极微波电子枪受限于重复频率,平均流强较低,而热阴极微波电子枪虽然具有较高的平均流强,但由于电子反轰的影响,束间...
“自对准”工艺薄膜边缘场致发射器件研究,真空四极管,场致发射器件,发射体。从原理上讲真空微电子横向器件比纵向器件易于,因为沉积在绝缘层上的簿膜的刻蚀构成了发射体,栅极与发射体之间的亚微米距离...
场致发射显示器的现状与发展朱长纯,史永胜(西安交通大学电信学院,陕西西安710049)StatusEmissionDisplayZHUChang2chunSHIYong2shengElectroicInformationEngineeringschoolXi’anJiaotongUniversityXi’an710049China)Abstract...
摘要：通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体及其阵列工艺以及各种关键技术的优缺点.并介绍国外著名公司的研究动态,展望FED的发展趋势.
摘要场致发射显示是一种具有良好应用前景的新型显示技术,场致发射阴极材料是场致发射显示器的核心内容。综述了近年来场致发射材料的研发热点,对金属、硅、金刚石及类金刚石薄膜、GaAs和GaN等场致发射材料的研究做了简要的归纳,同时介绍了碳纳米管、表面传导型场致发射材料及采用定向凝固...
摘要场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分。介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用研究现状及差距。
场致发射过程中,二次电子发射现象不可忽视。二次电子发射引起电荷积累,改变电场分布,二次电子再与空间电荷碰撞激发离子,引起离子轰击,这些将对场致发射造成极大影响。本论文介绍了场致发射和二次电子…
黑龙江大学硕士学位论文聚苯胺的热解及其场致发射性能的研究姓名：宋伟申请学位级别：硕士专业：高分子化学与物理指导教师：白续铎20050605？7737c））中文摘要本文通过采用化学的方法，出大分子本征态的聚苯胺。
六硼化镧薄膜场致发射的特性.阵列薄膜是在好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法.在n型硅片上先后采用氧化,光刻,干法刻蚀,氧化削尖等工艺,出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列...
1.本发明属于空间电推进技术领域，涉及一种磁聚焦场致发射微电推进装置。背景技术：2.场致发射微电推进装置由于具有结构简单、效率高、比冲大等优点，是未来微纳小卫星平台理想的动力装置。这种推进装置在使用过程中通常依靠电极间的强电场将推进剂电离并在电场力的作用下出去...
场致发射阴极微波电子枪模拟与实验研究.李相坤.【摘要】：低增益自由电子激光要求电子束同时具有较高的亮度和较高的平均流强,金属光阴极微波电子枪受限于重复频率,平均流强较低,而热阴极微波电子枪虽然具有较高的平均流强,但由于电子反轰的影响,束间...
“自对准”工艺薄膜边缘场致发射器件研究,真空四极管,场致发射器件,发射体。从原理上讲真空微电子横向器件比纵向器件易于,因为沉积在绝缘层上的簿膜的刻蚀构成了发射体,栅极与发射体之间的亚微米距离...
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