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该多阈值电压实现策略极大提高了FDSOI技术的灵活性。最后从环形振荡器电路的角度展示了不同阈值特性下的电路延迟情况。本论文内容对优化22nmFDSOI工艺、提高器件及电路设计的灵活性等方有指…
本论文研究了一种与FDSOI工艺兼容,且可减轻器件自热效应的选择性埋氧（SELBOX）器件。针对该器件,本论文分别从自热效应、直流特性以及单粒子瞬态特性等方面展开深入研究。具体研究内容及结果如下:第一,利用SentaurusTCAD工具完成了SELBOX器件和...
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响-期刊.pdf,东北石油大学学报第4l卷第1期2017年2月OFNORTHEASTPETROLEUMUNIVERSITYV01．41No．1Feb．2017JOURNAL超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响江1’2谭思昊h2，李...
浅谈SOI技术及其优点与应用西安电子科技大学710126）摘要：与体硅材料和器件相比，SOI具有许多的优点。比如高速度、低功耗、低软错误、抗闭锁效应、与现有的硅工艺兼容等，因此被称为二十一世纪的微电子技术。
先进工艺22nmFDSOI和FinFET简介新年新气象，吾爱IC社区的小编在此祝大家新年快乐！祝大家在新的一年里身体健康，工作顺利，工资翻倍。去年年初小编流片过一颗基于22nmFDSOI的芯片，芯片目前已经正式量产。今天简单和大家科普下先进...
与此同时，三星(Samsung)在28nmFDSOI平台上描述了STT-MRAM。在可扩展性、形状依赖性、磁性可扩展性等方面来衡量，STT-MRAM目前被认为是最好的MRAM技术。MRAM技术自20世纪90年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。
采用FDSOI技术的晶体管能够沿用BulkCMOS技术使用的很多制造工艺和设计技术(a)。工作性能超越BulkCMOS，驱动电压低时性能尤为出色(b)。(图由《日经电子》根据意法半导体的资料制作)在工作速度和耗电量等性能方面，意法半导体的Magarshack认为
ISSCC2017之深度学习处理器前言1A2.9TOPS/WDeepConvolutionalNeuralNetworkSoCinFD-SOI28nmforIntelligentEmbeddedSystems摘要论文主要贡献点评2DNPU:An8.1TOPS/WReconfigurableCNN-RNNProces…
与此同时，三星在28纳米FDSOI平台上描述了STT-MRAM。STT-MRAM在可扩展性，形状依赖性和磁可扩展性方面被认为是最好的MRAM技术。MRAM技术自20世纪90年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。
此外，复旦大学良教授团队在2011年和2014年发表了电源管理方面的ISSCC论文，中科院计算所龙芯团队在2011和2013年、复旦大学曾晓洋教授和虞志益教授团队在2012和2013年都连续发表了处理器方面的ISSCC论文
该多阈值电压实现策略极大提高了FDSOI技术的灵活性。最后从环形振荡器电路的角度展示了不同阈值特性下的电路延迟情况。本论文内容对优化22nmFDSOI工艺、提高器件及电路设计的灵活性等方有指…
本论文研究了一种与FDSOI工艺兼容,且可减轻器件自热效应的选择性埋氧（SELBOX）器件。针对该器件,本论文分别从自热效应、直流特性以及单粒子瞬态特性等方面展开深入研究。具体研究内容及结果如下:第一,利用SentaurusTCAD工具完成了SELBOX器件和...
超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响-期刊.pdf,东北石油大学学报第4l卷第1期2017年2月OFNORTHEASTPETROLEUMUNIVERSITYV01．41No．1Feb．2017JOURNAL超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响江1’2谭思昊h2，李...
浅谈SOI技术及其优点与应用西安电子科技大学710126）摘要：与体硅材料和器件相比，SOI具有许多的优点。比如高速度、低功耗、低软错误、抗闭锁效应、与现有的硅工艺兼容等，因此被称为二十一世纪的微电子技术。
先进工艺22nmFDSOI和FinFET简介新年新气象，吾爱IC社区的小编在此祝大家新年快乐！祝大家在新的一年里身体健康，工作顺利，工资翻倍。去年年初小编流片过一颗基于22nmFDSOI的芯片，芯片目前已经正式量产。今天简单和大家科普下先进...
与此同时，三星(Samsung)在28nmFDSOI平台上描述了STT-MRAM。在可扩展性、形状依赖性、磁性可扩展性等方面来衡量，STT-MRAM目前被认为是最好的MRAM技术。MRAM技术自20世纪90年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。
采用FDSOI技术的晶体管能够沿用BulkCMOS技术使用的很多制造工艺和设计技术(a)。工作性能超越BulkCMOS，驱动电压低时性能尤为出色(b)。(图由《日经电子》根据意法半导体的资料制作)在工作速度和耗电量等性能方面，意法半导体的Magarshack认为
ISSCC2017之深度学习处理器前言1A2.9TOPS/WDeepConvolutionalNeuralNetworkSoCinFD-SOI28nmforIntelligentEmbeddedSystems摘要论文主要贡献点评2DNPU:An8.1TOPS/WReconfigurableCNN-RNNProces…
与此同时，三星在28纳米FDSOI平台上描述了STT-MRAM。STT-MRAM在可扩展性，形状依赖性和磁可扩展性方面被认为是最好的MRAM技术。MRAM技术自20世纪90年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。
此外，复旦大学良教授团队在2011年和2014年发表了电源管理方面的ISSCC论文，中科院计算所龙芯团队在2011和2013年、复旦大学曾晓洋教授和虞志益教授团队在2012和2013年都连续发表了处理器方面的ISSCC论文
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