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在确定掺杂LiNbO3晶体结构后,我们研究了杂质离子对改变晶体紫外光学吸收边的作用机理。晶格能反映了晶体中离子间结合力的大小,可以用来表征杂质离子掺杂到LiNbO3晶体后的晶格结构稳定性。我们通过金属氧化物MmOn热力学哈勃循环建立了晶格能与M-O...
论文通过掺杂过渡金属离子Mn、Co和稀土离子Eu的CdS基量子点,研究掺杂对其光学和磁学性质的影响,高压对其结构稳定性和光学特性的影响,进而理解掺杂和高压对其电子结构的改变,为CdS基纳米材料的性能优化提供理论和实验基础。.本文的主要研究成果如下：1...
中国科技论文在线Al掺杂ZnO晶格常数及弹性性质研究基金项目：江苏省自然科学基金（14KJB140012）作者简介：崔荣华（1978－），男，实验师，主要研究方向：热电材料.E-mail:ronghuacui@ntu.edu（南通大学理学院，南通226019）摘要：利用第一性原理方法研究了ZnO...
基于上述这些情况,本论文的研究工作将以ZnO纳米结构材料的可控生长为基础,有效的掺杂为手段,材料的性能调控为目标,深入地研究掺杂对于ZnO纳米结构材料形貌,结构和性能等的影响.主要工作包括:1.采用气相热蒸发方法了ZnO低维纳米结构材料,通过Cd的
本论文主要开展了如下工作：(1)首先介绍了纳米ZnO半导体材料的晶体结构、特性及其研究发展现状，介绍了应用结构中的本征缺陷，并对半导体的掺杂改性技术和MS的理论计算进行了详细(2)采用化学气相沉积法，以ZnO(99．99％)粉末和石墨粉末(99．99
从晶体结构角度来讲，掺杂会引入缺陷，缺陷可以抑制，也可促进晶体生长。从晶体生长角度来讲，引入新的组分，可能产生低熔点的化合物，促进离子扩散速度，导致晶体长大，另外，低的固溶度，导致掺杂物堆积在晶界处，晶体长大就被限制。
如何进行晶体的原位或间隙掺杂？.作者草鱼xixi.来源:小木虫125025帖子.+关注.本人不是晶体相关专业但最近要做晶体的课题，要求改变晶体的结构，比如尖晶石型MgAl2O4如何改变Mg或者Al的含量，变成Mg1.5Al2.5O4这种形式，不知道有什么方法能够控制各个...
掺杂组分逐渐变化导致XRD图谱上的变化.作者lei0819.来源:小木虫4008帖子.+关注.如下图，A-F是一系列的随掺杂组分逐渐变化的一组多晶样品的XRD图谱，能确定A和F是单相，那么需要从那些角度考虑中间几个样品的结构的变化？.求指点，谢谢。.返回小木...
摘要:采用热压方法就掺杂0．5％Zr（原子分数）对B4．3C晶格结构的影响进行了研究.XRD分析表明,样品中形成了B4．3C,（BN）4H以及（ZrB2）3H相,掺Zr的确改变了B4．3C的结构,尤其是在C－B－C链中间的B（3）处出现了明显的定位.Zr掺杂元素的影响看来是很特别的,因为用Ni做了相同的掺杂后并没有...
钪掺杂铌酸锂晶体与电学性能研究-材料学专业论文.docx,万方数据万方数据ClassifiedIndex:O782.5U.D.C.:548.55DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringSTUDYONPREPARATIONANDELECTRICALPROPERTIESOFCANDIUM...
在确定掺杂LiNbO3晶体结构后,我们研究了杂质离子对改变晶体紫外光学吸收边的作用机理。晶格能反映了晶体中离子间结合力的大小,可以用来表征杂质离子掺杂到LiNbO3晶体后的晶格结构稳定性。我们通过金属氧化物MmOn热力学哈勃循环建立了晶格能与M-O...
论文通过掺杂过渡金属离子Mn、Co和稀土离子Eu的CdS基量子点,研究掺杂对其光学和磁学性质的影响,高压对其结构稳定性和光学特性的影响,进而理解掺杂和高压对其电子结构的改变,为CdS基纳米材料的性能优化提供理论和实验基础。.本文的主要研究成果如下：1...
中国科技论文在线Al掺杂ZnO晶格常数及弹性性质研究基金项目：江苏省自然科学基金（14KJB140012）作者简介：崔荣华（1978－），男，实验师，主要研究方向：热电材料.E-mail:ronghuacui@ntu.edu（南通大学理学院，南通226019）摘要：利用第一性原理方法研究了ZnO...
基于上述这些情况,本论文的研究工作将以ZnO纳米结构材料的可控生长为基础,有效的掺杂为手段,材料的性能调控为目标,深入地研究掺杂对于ZnO纳米结构材料形貌,结构和性能等的影响.主要工作包括:1.采用气相热蒸发方法了ZnO低维纳米结构材料,通过Cd的
本论文主要开展了如下工作：(1)首先介绍了纳米ZnO半导体材料的晶体结构、特性及其研究发展现状，介绍了应用结构中的本征缺陷，并对半导体的掺杂改性技术和MS的理论计算进行了详细(2)采用化学气相沉积法，以ZnO(99．99％)粉末和石墨粉末(99．99
从晶体结构角度来讲，掺杂会引入缺陷，缺陷可以抑制，也可促进晶体生长。从晶体生长角度来讲，引入新的组分，可能产生低熔点的化合物，促进离子扩散速度，导致晶体长大，另外，低的固溶度，导致掺杂物堆积在晶界处，晶体长大就被限制。
如何进行晶体的原位或间隙掺杂？.作者草鱼xixi.来源:小木虫125025帖子.+关注.本人不是晶体相关专业但最近要做晶体的课题，要求改变晶体的结构，比如尖晶石型MgAl2O4如何改变Mg或者Al的含量，变成Mg1.5Al2.5O4这种形式，不知道有什么方法能够控制各个...
掺杂组分逐渐变化导致XRD图谱上的变化.作者lei0819.来源:小木虫4008帖子.+关注.如下图，A-F是一系列的随掺杂组分逐渐变化的一组多晶样品的XRD图谱，能确定A和F是单相，那么需要从那些角度考虑中间几个样品的结构的变化？.求指点，谢谢。.返回小木...
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