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北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
n型掺杂金刚石第一性原理研究掺杂,n型,N,金刚石,N掺杂,第一性原理,型掺杂,n型掺杂,掺杂原理分类号：密级：单位代码：10422学号：硕士学位论文ShandongUniVerSityMaSter’STheSiS论文题目：作者专业导师合作导师年月日t雾；z，．．LIIr原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人…
北京化工大学硕士学位论文SrTiO3空位缺陷及替位掺杂的第一性原理计算姓名：徐新发申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20090520北京化工大学硕士学位论文SrTi03空位缺陷及替位掺杂的第一性原理计算摘要SrTi0，是一种钙钛矿金属氧化物绝缘体，它被广泛用于晶界电容器…
硕士论文答辩—《CeO2及其掺杂的第一性原理研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第1章前言第11-13页第2章Ce0_2的国内外研究现状第13-19页
掺杂ZnO的第一性原理研究.史守山.【摘要】：本文通过第一性原理方法，从理论角度研究掺杂ZnO的电子结构（包括能带结构、电子态密度）和光学性质（包括介电函数、光吸收谱）。.氧化锌（ZnO）是一种有着广泛的应用前景的宽带隙半导体材料，属II-VI族,在...
第一性原理CASTEPZnTe替位掺杂电子结构光学性质本文关键词：掺杂ZnTe的第一性原理研究更多相关文章：第一性原理CASTEPZnTe替位掺杂电子结构光学性质【摘要】：ZnTe属于典型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,为直接带隙,禁带宽度为2.26eV,由于其具有禁带宽度比较大,光子可直接跃迁和可重掺杂等特征,在光...
掺杂ZnO的第一性原理研究-本文通过第一性原理方法，从理论角度研究掺杂ZnO的电子结构（包括能带结构、电子态密度）和光学性质（包括介电函数、光吸收谱）。氧化锌（ZnO）是一种有着广泛的应用前景的宽带隙半导体材料，属...
掺杂单层黑磷和六方磷化硼的第一性原理研究.重庆大学硕士学位论文中文摘要近年来，随着纳米技术的不断发展，对半导体材料的电子性质提出了更高的要求。.二维半导体材料的带隙、磁性、载流子迁移率等直接影响其在电子器件领域的应用。.其中，单层...
《密度泛函理论论文：CaO掺杂3d过渡金属的第一性原理研究》-毕业论文.doc,w密度泛函理论论文：CaO掺杂3d过渡金属的第一性原理研究【中文摘要】巨磁电阻的实际应用革新了硬盘读取数据的技术，使硬盘的存诸容量从几百、几千兆飞速提升至几百...
C掺杂BN磁性的第一性原理计算.【摘要】：非磁性离子掺杂的稀磁半导体近年来成为凝聚态物理磁学研究的热点问题之一。.本文使用VASP软件包的第一性原理计算对C掺杂六角、菱方、立方和纤锌矿BN体系的电子结构和磁学性质进行了计算与分析。.计算结果表明...
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