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一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路-根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新型结构保护电路,采用0.6μm标准CMOSp阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)...
由此可以看出，国内对于射频ESD保护电路的研究还出于起步阶段。.4第一章绪论1．3本文的研究目标和主要内容1、设计要求：本课题要求设计一款基于InGaP／GaAsHBT工艺的片外高性能射频ESD保护电路，主要用于芯片级和系统级射频集成电路端口的保护。.当被...
本文主要研究了在深亚微米CMOS技术条件下，RFIC的ESD保护设计及RFIC与ESD保护电路之间的协同优化问题，从ESD测试平台的搭建、器件结构改进、带有ESD保护的匹配网络分析、ESD器件与RF电路协同设计（co-design）方法和消除ESD影响的电路...
论文导读:：基于ESD保护的原理及TVS二极管的特性，设计了一种计算机串行接口的专用保护电路，并对电路板的PCB布线及器件的布置提出了一些原则要求，最后对此接口电路进行静电放电抗扰度试验。结果表明该保护电路具有一定的抗接触放电及...
甚至有放两级ESD的，达到双重保护的目的。在讲ESD的原理和Process之前，我们先讲下ESD的标准以及测试方法，根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式：人体放电模式(HBM:Human-BodyModel)、机器放电模式(Machine
关于静电放电（ESD）原理以及其保护方法的详细分析.一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。.但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。.先来谈静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么？.这应该是造成所有...
论文编号:第一作者所在部门:论文题目:CMOS射频集成电路ESD保护的挑战论文题目英文:作者:王自惠，林琳，王昕，刘海南，周玉梅论文出处:刊物名称:《半导体学报》年:2008卷:29期:4页:628-636联系作者:王自惠收录类别:影响因子:摘要:
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路-为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况.提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案.该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件.电容耦合作...
论文所做的研究工作和取得的结果完全基于GGNMOS的器件物理分析，是在器件物理层次上研究ESD问题的有益尝试；相对于电路层次上的分析结果，这里的结果更加准确和可靠，可望为GGNMOSESD保护器件的设计和制造提供重要参考。
一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。先来谈静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。
一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路-根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新型结构保护电路,采用0.6μm标准CMOSp阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)...
由此可以看出，国内对于射频ESD保护电路的研究还出于起步阶段。.4第一章绪论1．3本文的研究目标和主要内容1、设计要求：本课题要求设计一款基于InGaP／GaAsHBT工艺的片外高性能射频ESD保护电路，主要用于芯片级和系统级射频集成电路端口的保护。.当被...
本文主要研究了在深亚微米CMOS技术条件下，RFIC的ESD保护设计及RFIC与ESD保护电路之间的协同优化问题，从ESD测试平台的搭建、器件结构改进、带有ESD保护的匹配网络分析、ESD器件与RF电路协同设计（co-design）方法和消除ESD影响的电路...
论文导读:：基于ESD保护的原理及TVS二极管的特性，设计了一种计算机串行接口的专用保护电路，并对电路板的PCB布线及器件的布置提出了一些原则要求，最后对此接口电路进行静电放电抗扰度试验。结果表明该保护电路具有一定的抗接触放电及...
甚至有放两级ESD的，达到双重保护的目的。在讲ESD的原理和Process之前，我们先讲下ESD的标准以及测试方法，根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式：人体放电模式(HBM:Human-BodyModel)、机器放电模式(Machine
关于静电放电（ESD）原理以及其保护方法的详细分析.一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。.但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。.先来谈静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么？.这应该是造成所有...
论文编号:第一作者所在部门:论文题目:CMOS射频集成电路ESD保护的挑战论文题目英文:作者:王自惠，林琳，王昕，刘海南，周玉梅论文出处:刊物名称:《半导体学报》年:2008卷:29期:4页:628-636联系作者:王自惠收录类别:影响因子:摘要:
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路-为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况.提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案.该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件.电容耦合作...
论文所做的研究工作和取得的结果完全基于GGNMOS的器件物理分析，是在器件物理层次上研究ESD问题的有益尝试；相对于电路层次上的分析结果，这里的结果更加准确和可靠，可望为GGNMOSESD保护器件的设计和制造提供重要参考。
一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。先来谈静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。
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