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中国在光伏产业又获得了一项专利技术，该技术就是发电玻璃。发电玻璃的原理是让玻璃先具有导电性，随后其表面涂上碲化镉薄膜，利用其物理特性进行太阳能发电。该技术将会解决我国和全世界电力短缺的问题。
碲化镉的优缺点。碲化镉发光玻璃中的关键物质是碲化镉，碲化镉是一种新型的半导体材料，它的最大的优点是高光吸收率非常高，可以吸收可见光中95%的光子，并且制作出来的太阳能电池的光电转换效率可以达到28%，最重要的是电池的机构非常简单，制作的成本低，很容易实现规模化。不过碲化镉的缺点也比较明显，会被硝酸分解，同时潮湿的环境中容易被氧化，所以它的使用寿命不长。
发电玻璃的原理。利用碲化镉制作电池全称碲化镉薄膜太阳能电池，制作的流程并不复杂。首先将钢化玻璃上物理或者化学电镀透明导电氧化物薄膜，将玻璃附加了导电特性，这就是TOC玻璃。第二步就是将碲化镉发电膜加工到玻璃上，碲化镉的厚度大约只有几微米，随后在进行切割，集成，封装和线路的安装等工序，最后发电玻璃就制作完成了。
发电玻璃的市场。发电玻璃是光伏产业中发展最快的设备，全世界范围内很多的国家都在对其进行技术升级和改造，重点是提高其使用寿命和转换效率。另外发电玻璃的量产同样也存在很大的问题。发电玻璃中需要的镉元素和碲元素，我国探明储备量无法达到量产。一旦这些问题得到了解决，发电玻璃在中国得到普及，那么就可以解决我国的用电压力，而且这种能源属于低碳能源，完全满足了国家碳减排和碳中和的目标。
它的原理是通过在玻璃表面镀上一层导电膜，形成一种透明导电层，在太阳能电池中作为透光层同时作为电极使用，即可使其具备导电性能。
太阳光发电的历史可以追溯到1800年，贝克勒尔发现对某种半导体材料照射光后，会引起其伏安特性改变。最终，发现了光伏效应，并以此半导体制成太阳能光伏电池。1876年，英国科学家亚当斯等在研究半导体材料时发现了硒的光伏效应。1884年，美国科学家查尔斯制成了硒太阳能光伏电池，其转换效率很低，仅有1％。其后，对氧化铜等半导体材料研究，同样发现有光伏效应，所以也制成了以氧化铜等半导体材料为原料的太阳能光伏电池。1954年，美国贝尔实验室的皮尔松、佛朗等三名科学家利用硅晶体材料开发出性能良好的太阳能光伏电池，其转换效率达6％，经过不断改良后，成为现在的硅太阳能光伏电池。太阳能光伏电池是1958年开始得到应用的。当时前苏联发射了人造卫星，美国也发射了人造卫星，在太空领域上，展开了激烈的竞争。前苏联发射的人造卫星使用的是原子能电池，美国发射的先驱者1号通信卫星采用的就是太阳能光伏电池。由于太阳能光伏电池的价格特别高(高达1500美元／w)，而且刚开始性能还不稳定，因此仅用于航天器。到了20世纪60年代初才慢慢趋于稳定，70年代开始在航天器上大量使用。太阳能光伏电池的性能虽然已稳定，但价格还是很高，所以直到20世纪70年代初太阳能光伏电池还没有得到广泛应用，只可用于航天器、人造卫星、山顶上的差转电台、海上航标灯、海岛灯塔电源等，一些不计成本，必须用的场所。到了1973年后，在石油危机的推动下，太阳能光伏电池进入了蓬勃发展时期，太阳能光伏电池开始在地面使用，而且地面用太阳能光伏电池的数量很快就大大超过了在航天器上的使用量。这个时期，不但出现了许多新型电池，而且因为引进了许多新技术，出现了钝化技术、减反射技术、绒面技术、背表面场技术、异质结太阳能电池技术及聚光电池等非常有效的新技术。1976年，美国ca公司的卡尔松发明了非晶硅太阳能光伏电池。该电池的转换效率虽低于单晶硅，但制造时可以任意选配电压电流比。太阳能光伏电池的应用，到了20世纪80年代就比较广泛了，特别是在民用电器上得到了广泛应用，如太阳能计算器、太阳能手表和太阳能手机充电器等。这主要有两个原因：一个是半导体集成电路的发展，使得电子产品消耗的电量大幅度下降，在室内灯光下，太阳能光伏电池也能产生电力，可以充分地使计算器等电子产品正常工作；另一个原因是电子产品工作所必需的电压能从一个基片上得到，这样一种新的集成型非晶硅太阳能光伏电池可以便宜地制造。太阳能光伏电池计算器实用化后，从手表开始，逐渐推广到各种电子产品的应用。太阳能光伏电池除了可以用简单的装置就能够直接发电这一优点外，在使用时还有如下的优点。(1)不产生对环境有不良影响的排放气体及有害物质，没有噪声。(2)不仅在太阳光下可以发电，在荧光灯、白炽灯等扩散光下也可以发电。(3)不需要更换电池。(4)可以直接接到dc机械上。(5)在使用场合就可以发电。我国的太阳能光伏电池诞生的也比较早，而且我国也是应用较早的国家之一。1959年，我国就诞生了第一只有实用价值的太阳能光伏电池。1971年3月太阳能光伏电池首次应用于我国第二颗人造卫星(实践1号)。而后，1973年太阳能光伏电池首次用于浮标灯。20世纪70年代，我国开始生产太阳能光伏电池，70年代中末期引进国外关键设备和成套生产线，我国太阳能光伏电池的生产产业有了进一步的发展。
按时间的发展顺序，太阳电池发展有关的历史事件汇总如下：
1839年法国科学家E.Becquerel发现液体的光生伏特效应(简称光伏现象)。
1877年W.G.Adams和R.E.Day研究了硒(Se)的光伏效应，并制作第一片硒太阳能电池。
1883年美国发明家charlesFritts描述了第一块硒太阳能电池的原理。
1904年Hallwachs发现铜与氧化亚铜(Cu/Cu2O)结合在一起具有光敏特性;德国物理学家爱因斯坦(AlbertEinstein)发表关于光电效应的论文。
1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。
1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔(Nobel)物理奖。
1930年B.Lang研究氧化亚铜/铜太阳能电池，发表“新型光伏电池”论文;W.Schottky发表“新型氧化亚铜光电池”论文。
1932年Audobert和Stora发现硫化镉(CdS)的光伏现象。
1933年L.O.Grondahl发表“铜-氧化亚铜整流器和光电池”论文。
1941年奥尔在硅上发现光伏效应。
1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。
1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类材料光电转换效率的第一个理论计算。
1954年RCA实验室的P.Rappaport等报道硫化镉的光伏现象，(RCA:RadioCorporationofAmerica，美国无线电公司)。
贝尔(Bell)实验室研究人员D.M.Chapin，C.S.Fuller和G.L.Pearson报道4.5%效率的单晶硅太阳能电池的发现，几个月后效率达到6%。
(贝尔实验室三位科学家关于单晶硅太阳电池的研制成功)
1955年西部电工(WesternElectric)开始出售硅光伏技术商业专利，在亚利桑那大学召开国际太阳能会议，Hoffman电子推出效率为2%的商业太阳能电池产品，电池为14mW/片，25美元/片，相当于1785USD/W。
1956年P.Pappaport，J.J.Loferski和E.G.Linder发表“锗和硅p-n结电子电流效应”的文章。
1957年Hoffman电子的单晶硅电池效率达到8%;D.M.Chapin，C.S.Fuller和G.L.Pearson获得“太阳能转换器件”专利权。
1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要;Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射，光伏电池100c㎡，0.1W，为一备用的5mW话筒供电。
1959年Hoffman电子实现可商业化单晶硅电池效率达到10%，并通过用网栅电极来显著减少光伏电池串联电阻;卫星探险家6号发射，共用9600片太阳能电池列阵，每片2c㎡，共20W。
1960年Hoffman电子实现单晶硅电池效率达到14%。
1962年第一个商业通讯卫星Telstar发射，所用的太阳能电池功率14W。
1962年第一个商业通讯卫星Telstar发射，所用的太阳能电池功率14W。
1962年第一个商业通讯卫星Telstar发射，所用的太阳能电池功率14W。
1963年Sharp公司成功生产光伏电池组件;日本在一个灯塔安装242W光伏电池阵列，在当时是世界最大的光伏电池阵列。
1964年宇宙飞船“光轮发射”，安装470W的光伏阵列。
1965年PeterGlaser和A.D.Little提出卫星太阳能电站构思。
1966年带有1000W光伏阵列大轨道天文观察站发射。
1972年法国人在尼日尔一乡村学校安装一个硫化镉光伏系统，用于教育电视供电。
1973年美国特拉华大学建成世界第一个光伏住宅。
1974年日本推出光伏发电的“阳光计划”;Tyco实验室生长第一块EFG晶体硅带，25mm宽，457mm长(EFG:EdgedefinedFilmFed-Growth，定边喂膜生长)。
1977年世界光伏电池超过500KW;D.E.Carlson和C.R.Wronski在W.E.Spear的1975年控制p-n结的工作基础上制成世界上第一个非晶硅(a-Si)太阳能电池。
1979年世界太阳能电池安装总量达到1MW。
1980年ARCO太阳能公司是世界上第一个年产量达到1MW光伏电池生产厂家;三洋电气公司利用非晶硅电池率先制成手持式袖珍计算器，接着完成了非晶硅组件批量生产并进行了户外测试。
1981年名为SolarChallenger的光伏动力飞机飞行成功。
1982年世界太阳能电池年产量超过9.3MW。
1983年世界太阳能电池年产量超过21.3MW;名为SolarTrek的1KW光伏动力汽车穿越澳大利亚，20天内行程达到4000Km.
1984年面积为929c㎡的商品化非晶硅太阳能电池组件问世。
1985年单晶硅太阳能电池售价10USD/W;澳大利亚新南威尔土大学MartinGreen研制单晶硅的太阳能电池效率达到20%。
1986年6月，ARCOSolar发布G-4000———世界首例商用薄膜电池“动力组件”。
1987年11月，在3100Km穿越澳大利亚的PentaxWorldSolarChallengePV-动力汽车竞赛上，GMSunraycer获胜，平均时速约为71km/h。
1990年世界太阳能电池年产量超过46.5MW。
1991年世界太阳能电池年产量超过55.3MW;瑞士Gratzel教授研制的纳米TiO2染料敏化太阳能电池效率达到7%。
1992年世界太阳能电池年产量超过57.9MW。
1993年世界太阳能电池年产量超过60.1MW。
1994年世界太阳能电池年产量超过69.4MW。
1995年世界太阳能电池年产量超过77.7MW;光伏电池安装总量达到500MW。
1996年世界太阳能电池年产量超过88.6MW。
1997年世界太阳能电池年产量超过125.8MW。
1998年世界太阳能电池年产量超过151.7MW;多晶硅太阳能电池产量首次超过单晶硅太阳能电池。
1999年世界太阳能电池年产量超过201.3MW;美国NREL的M.A.Contreras等报道铜铟锡(CIS)太阳能电池效率达到18.8%;非晶硅太阳能电池占市场份额12.3%。
2000年世界太阳能电池年产量超过399MW;WuX.，DhereR.G.，AibinD.S.等报道碲化镉(CdTe)太阳能电池效率达到16.4%;单晶硅太阳能电池售价约为3USD/W。
2002年世界太阳能电池年产量超过540MW;多晶硅太阳能电池售价约为2.2USD/W。
2003年世界太阳能电池年产量超过760MW;德国FraunhoferISE的LFC(Laserfired-contact)晶体硅太阳能电池效率达到20%。
2004年世界太阳能电池年产量超过1200MW;德国FraunhoferISE多晶硅太阳能电池效率达到20.3%;非晶硅太阳能电池占市场份额4.4%，降为1999年的1/3，CdTe占1.1%;而CIS占0.4%。
2005年世界太阳能电池年产量1759MW。
中国太阳能发电发展历史
中国作为新的世界经济发动机，光伏业业呈现出前所未有的活力。
大量光伏企业应运而生，现在光伏产量已经达到世界领先水平。
现在OFweek太阳能光伏网带大家来回顾下中国太阳能发展历史：
1958，中国研制出了首块硅单晶
1968年至1969年底，半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务。
在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。
1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球同步轨道卫星研制生产太阳电池阵。
1975年宁波、开封先后成立太阳电池厂，电池制造工艺模仿早期生产空间电池的工艺，太阳能电池的应用开始从空间降落到地面。
1998年，中国 *** 开始关注太阳能发电，拟建第一套3MW多晶硅电池及应用系统示范项目。
2001年，无锡尚德建立10MWp(兆瓦)太阳电池生产线获得成功，2002年9月，尚德第一条10MW太阳电池生产线正式投产，产能相当于此前四年全国太阳电池产量的总和，一举将我国与国际光伏产业的差距缩短了15年。
2003到2005年，在欧洲特别是德国市场拉动下，尚德和保定英利持续扩产，其他多家企业纷纷建立太阳电池生产线，使我国太阳电池的生产迅速增长。
2004年，洛阳单晶硅厂与中国有色设计总院共同组建的中硅高科自主研发出了12对棒节能型多晶硅还原炉，以此为基础，2005年，国内第一个300吨多晶硅生产项目建成投产，从而拉开了中国多晶硅大发展的序幕。
2007，中国成为生产太阳电池最多的国家，产量从2006年的400MW一跃达到1088MW。
2008年，中国太阳电池产量达到2600MW。
2009年，中国太阳电池产量达到4000MW。
2006年世界太阳能电池年产量2500MW。
2007年世界太阳能电池年产量4450MW。
2008年世界太阳能电池年产量7900MW。
2009年世界太阳能电池年产量10700MW。
2010年世界太阳能电池年产量将达15200MW。
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