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这两名学生涉嫌找别人去做毕业设计，是违反了学校的校规的，所以学校非常的重视，现在正在调查中，所以才会暂停到这两名学生的毕设答辩。
这两位学生的行为为反了西安电子科技大学的校规以及教育部对于学术论文的规定，如果此事严厉追责，这两位可能没有机会拿到毕业证书。
西安电子科技大学计算机专业的两位学生，在进行毕业设计的时候力不从心，于是这两位前往某平台找了一位能够代做毕业设计的卖家，双方就价格展开了一场详细的讨论，价格商谈妥当后卖家，按照两位女生的要求完成了毕业设计，很多程序员都会接这种项目来赚一些额外收入。这个小项目卖家也做了一段时间，因为期间需要和两个学生对决，完成的毕业设计也有一些问题需要修改，这两个女生对于这份毕业设计也有很多看不懂的地方，而卖家都进行了详细的解释，并且反复解释过多次，可最终这两位女生还是以各种理由想要卖家退款。
这笔交易以卖家的角度来看已经仁至义尽，他已经尽可能的完成这笔订单，但两个女生不太满意，想要卖家退款，并且在交易平台进行了举报，卖家在两位学生的百般折磨下，退回了一部分款项，卖家气不过，就将此事发到了百度贴吧，吐槽一下这件事，果然引起了很大的舆论，很多人加入，声讨这两个学生，找到了两位学生的姓名，学号，导师，毕业论文答辩时间，并且将他们的事情向西安电子科技大学举报。
教育部此前就因为某明星的事件，严厉打击学术不端行为，多次出台相关政策，对学生的毕业论文进行严格要求，而西安电子科技大学自然也有相关的规定，不会允许这种事情的发生，他们两位进行的虽然是毕业设计，但是对于工科类专业来说，毕业设计基本就等于毕业论文，工科的毕业论文就是将毕业设计转换成论文的形式，据说这两位学生有一位已经保研，大概率取消，两位想要拿到毕业证也要遇到更大的波折。
2020 年9月19日晚，南京大学女博士跳楼身亡，该事件再一次牵动着全国博士生的神经。「女博士」本是花样年华，光彩夺目，前程似锦，路途坦荡，一路求学 20 余载即将功成名就，本是父母的骄傲、国家的栋梁、人生的赢家，而为何年纪轻轻，在即将功成名就之时结束自己的生命？光芒的背后必是充满着坎坷与困苦。据南大的某学生讲，这位女博士今年是读博第四年了，对于普博来说已算是延毕了。关于硕博生延毕这个问题，一直都存在。以往，我们也经常能听到某某研究生由于毕业压力大而自杀的新闻。而这些人，往往是从小到大顶着「三好学生」、「乖乖女」、「别人家的孩子」光环一路走来的，现如今每天活在的恐惧中，甚至延毕压力大到无法排解而跳楼结束自己的生命。「科研压力山大」、「延毕」几乎成为所有硕博士面临和担心的一个问题，博士延毕已成为一种常态，更合适的形容应该是「病态」，博士延毕是正常，不延毕反而不正常。今天，笔者就想和大家聊一聊硕博生延毕的那些事。一、延毕那些事：是什么？来自教育部的数据显示，2017 年我国毕业博士研究生人数为 165296 人，实际毕业博士研究生人数为 56451 人，未正常毕业率为 。从数据来看，博士延毕率年年攀升，2006-2014 年逐步增长，近几年进入平台期，延期率大概达到 65%，也就是说有六成博士生都无法按时毕业。8 月 21 日，根据教育部《普通高等学校学生管理规定》第三十条和《西安电子科技大学研究生学籍管理实施细则》第二十六条有关规定，西安电子科技大学拟对超过最长学习年限的博士研究生作退学处理。其实，西安电子科技大学的做法并非个例，此前就有多所高校相继发出过关于博士生超学习规定而被清退的消息。例如，北京交通大学对因超过全日制博士（含本科毕业生直接攻读博士学位研究生），最长学习年限的 59 名博士生给予取消学籍。延边大学对 136 名研究生（博士 14 名，硕士 122 名）超过学习年限因此给予退学处理，清华大学劝退 2 名博士生，河北工业大学一次性清退 143 名博士生。图片来源：西安电子科技大学研究生院二、延毕那些事：为什么？关于博士延毕从而导致清退的原因也可谓众说纷纭，从自己身边延毕师兄师姐的例子看。师兄 A：今年博士论文答辩被我亲导师卡了，至少要延毕半年。就这样，我师兄是个本来能按时毕业却被导师压着不让毕业的大神，最后就因亲导师所谓的博士论文不够完善的理由而延毕。师兄 B：他的导师被其他院校挖走了，把之前的课题资源都带走了，最终不得不重新跟着新导师从事新领域的研究，从头开始，肯定无法按时毕业。师姐 C：不能按时毕业的原因，主要是师姐的小论文没有达到学校要求，所以，即使大论文做得再好也毕不了业。从师兄师姐们的实际情况来看，笔者认为延毕的主要原因可分为内因和外因两种：1. 内因打铁还需自身硬，很多博士之所以延毕很大一部分是个人原因造成的。1）小论文达不到学校毕业要求一般学校对博士毕业都有发表小论文的硬性要求，比如有的学校要求发表 3 篇核心，有的学校要求发表一篇 5 分以上的 SCI 等。除了学校要求外，有的导师课题组也有额外的要求。2）毕业论文达不到导师的要求很多研究生延毕问题都出现在毕业论文上，一般学校和导师对毕业论文的要求比较高，特别是博士论文，要求要有创新性。可是创新性这个问题是很难的，没有做好选题，没有创新性从而导致延毕。3）个人学习懒惰博一上课摸鱼，博二实验室摸鱼，博三说要写论文，然而拖延症又犯了，宿舍摸鱼，博四发现还没论文，慌的一批，根本静不下心来做实验，更写不出来了。4）身体原因这一点也需要引起重视，我身边就有很多因为身体原因而延毕的。读博压力大，焦虑、失眠、脱发，最终身体扛不住进了医院，身体不允许不得已延毕。5）自以为是自以为聪明绝顶，满脑子都是 idea，然而动手发现不是不可行，就是被人捷足先登。兜兜转转，方法试了一堆，然而属于自己的依然不知道在哪里。6）在职博士延毕多在职博士们延期的比较多，那些手里有比较好的工作岗位，也没有跳槽动力的在职博士们，大部分缺乏冲劲，反正早一天晚一天毕业也不影响啥，那就慢慢过人生当中最后的「留级」生活呗。2. 外因除了自身的原因外，一些无法抗拒的外因也是博士毕业的绊脚石。1）导师压榨博一干到博四上学期，每天干活，寒暑无休，基本没时间写论文发论文，国家出钱培养，导师白捡的劳动力。2）导师故意拖延为了抓个免费的「壮丁」，为了让你多给他干几年活，有些导师故意给你毕业论文找茬，不让过，而你只能百般无奈。3）青年导师抢论文一般青年导师处于上升期，评审要求论文一作，要了命的催，天天看着整，俩人都累的要死。但是，出了论文不一定是学生的，甚至你自己连挂名的资格都没有。4）临退休老师佛系年纪比较大的老师面临退休，一般项目少，经费紧张，干啥啥没钱，只能自己想办法解决。三、延毕那些事：怎么办？很多时候能不能毕业，什么时候毕业，都不是个人能够决定的。所以，不要过分的苛责自己。我们能做的是找到延毕的原因，对症下药。如真的不幸，遇到延毕，笔者有以下几条建议：1. 调整心态正如上文所说，2017 年我国毕业博士研究生已达到 65%，所以，延毕是大多数博士生的常态。要调整好自己的心态，不要一蹶不振，自暴自弃，想想我们 4 年都坚持下来了，努力了那么久，最后，再坚持一下就好。搞科研本来就没那么容易成功，任何科研工作者都是这样的，重复很多很多次的实验，经过很多很多的失败，可是说不定哪天就得到好的结果或者好点子了呢。2. 与导师保持好关系，加强沟通延毕有一部分原因在导师，有可能是因为导师的指导不到位，并没有教给你研究这一领域应该具备的基本视野和方法。尤其是理科类的学术型研究生，这类同学本科的学习还只是应试型的，到了研究生阶段才真正开始研究，这种转换并不是每个人都能独立完成的，所以要和导师保持比较好的关系。3. 尽快发表论文读博士，不发表就出局，论文的发表至关重要，除了能给让我们顺利毕业，还能带来利益。好的 Paper 肯定不是一下子就有的，写文章也需要多练，别想着第一篇或者前几篇文章就有多高质量，借鉴他人有点长处，多学习优质 Paper 的结构，逻辑，行文风格，多看多想是捷径。4. 做好毕业论文的选题和创新工作要确定一个好的选题，那么收集材料，整理材料，分析材料，确定方向，哪一个环节都不能少，而论文选题要难易合适。如果过于简单，就无法体现出自己的能力；过难的选题，也可能因为中途遇到难以解决的问题，而导致被迫放弃整个论文。多阅读文献，在阅读的过程中产生新的 idea，进行创新加工。5. 踏踏实实科研，认认真真总结科研拒绝懒惰之人，你对科研懒惰，科研就会对你懒惰。所以，抓紧跳出「舒适圈」，尽快行动起来，对待科研容不得一丝侥幸。写在最后几乎所有博士都担心过延毕的问题，我也曾夜不能寐。延毕的比例很高，所以，延毕也不是什么大事，不需要过分的妖魔化。延毕是常态，很多时候延毕不是你能决定的，遇见一个好导师、碰见一个好课题都需要缘分。自己尽可能做好自己能干的事，做好规划，就不会后悔。最后，祝各位硕博生们都能够顺利毕业！
西安电子科技大学博士生中期答辩时间要求2022年球季学期期末之前。2022年12月18日前完成开题流程，包括纸质版开题报告提交与研究生系统中电子版扫描件上传。无法按时开题的研究生，于12月18日前在研究生系统中提交延期开题申请并请导师审核通过，同时提交纸质版博士研究生学位论文延期开题申请表或*硕士研究生学位论文延期开题申请表至研究生教育教学办公室。
答辩通过与否，与你的论文质量和你自己答辩前的准备有很大关系。我做过多次答辩记录员，总结了一点经验，希望能帮助到你。答辩时，论文的质量已经不能改变了，提高通过率就只能靠你好好准备了。一、对自己论文的结构有所把握，为什么论文中要写这个部分心里要有数。二、你写论文时，总有些很难说清楚的地方，有可能写了但表达不清，也有可能故意没写忽略了，老师会问这些论文的漏洞部分，提前想好说辞，到时候解释解释就可以了。三、论文中的公式、图标、引用的文献等，要有初步的了解，防止老师发问。四、注意调整心态，老师可能把你的辛辛苦苦写的论文批的一无是处，要镇定，表示认真虚心接受老师的意见并下来加以修改。下来改不改都没关系了。就这些了，好好准备，祝你成功！
各高校学位授予都按国家学位授予条例进行.其工作细则也大同小异.以下文件供你参考.北京邮电大学学位授予工作细则第一章 总则第一条 为了贯彻执行《中华人民共和国学位条例》，根据《中华人民共和国学位条例实施办法》的规定，结合我校具体情况制定本细则。第二条 根据国务院学位委员会文件确定我校有权授予学士、硕士和博士三级学位。各级学位的学科门类和专业按照国务院学位委员会批准的文件规定施行。第二章 学位评定委员会第三条 北京邮电大学学位评定委员会由二十五至三十五人组成，每届任期三年。委员会设主席一人，由具有教授或相当职称的专家担任。参加学位评定委员会的成员在教授或相当职称的专家中遴选，委员会中应有一定比例的博士生导师。学位评定委员会成员名单，经校长办公会议同意后，报国家教育部批准，并转报国务院学位委员会备案。每届委员会任期期满前，应按上述同样的办法和程序成立下届学位评定委员会。学位评定委员会根据需要设兼职秘书若干人，负责学位评定工作。学位评定委员会下设学位办公室，负责有关学位的日常工作。学位评定委员会按院（学科）成立分学位评定委员会，分委员会由七至十五人组成，任期三年。分委员会设主席一人，由校学位评定委员会委员担任。第四条 校学位评定委员会根据国务院批准的授予学位的权限履行以下职责：（1）审定本校有关学位工作的规章制度和办法。（2）审批通过招收硕士、博士研究生的指导教师名单。（3）通过学士学位获得者名单。（4）通过硕士学位获得者名单。（5）做出授予博士学位的决定。（6）审定各学科（专业）本科生培养计划和硕士、博士研究生培养方案。（7）审批申请博士学位人员免除部分或全部课程考试的名单。（8）讨论和通过申报新增博士、硕士学位授权专业。（9）根据国务院学位委员会的授权，自行审批硕士学位授权学科(专业)。（10）做出撤销违反规定的已获学位者学位的决定。（11）通过授予名誉博士学位的提名，报国务院学位委员会批准，做出授予名誉博士学位的决定。（12）研究和处理授予学位的争议和其它事项。（13）完成国务院学位委员会布置的其它工作。第五条 分学位评定委员会协助校学位评定委员会工作，主要履行以下职责：（1）审查学士学位获得者，并向校学位评定委员会提出授予学士学位的名单。（2）审查硕士学位获得者，并向校学位评定委员会提出授予硕士学位的名单。（3）初审博士学位获得者，并向校学位评定委员会提出授予博士学位的建议。（4）审查招收硕士研究生指导教师名单，报校学位评定委员会通过。（5）初审招收博士研究生指导教师名单，报校学位评定委员会审批。（6）组织制订各学科（专业）本科生培养计划和挂靠学科（专业）硕士、博士研究生培养方案，报校学位评定委员会审定。（7）审查硕士、博士研究生的思想品德表现、课程学习和科研情况及学位论文水平，做出是否进行学位论文答辩的决定。审查论文评阅人、评议人及答辩委员会成员名单。（8）审查以研究生毕业同等学力申请博士学位人员的资格，做出是否接受其学位申请的决定。（9）根据校学位评定委员会的授权，完成其委托与布置的其它工作。第六条 学位办公室主要履行以下职责：（1）审核、汇总各层次学位申请者材料，提交校学位评定委员会审批。（2）审核、汇总硕士、博士研究生指导教师申请和复审材料，提交校学位评定委员会审批。（3）负责博士、硕士学位证书的颁发工作。（4）整理、保管有关学位授予的文件和资料。（5）整理、上报国务院学位委员会要求上报的学位材料。（6）办理以研究生毕业同等学力申请硕士、博士学位的有关手续。（7）对本校各学科、专业的学位授予工作进行检查与评估。（8）完成国务院学位办公室和校学位评定委员会布置的工作。第七条 学位评定委员会关于授予学位的决议，应以不记名投票方式进行。有关学士、硕士、博士学位授予，新增硕士专业及增补硕士生指导教师等决议须经全体委员半数以上通过；申请新增博士专业授予权及博士生指导教师须经全体委员三分之二以上通过，方为有效。对于其它重要事项的决议也须经全体委员半数以上通过，但不必采用不记名投票方式。学位评定委员会在做出授予博士学位的决定时，必须召开会议，不能采取通讯投票的方式。第八条 校学位评定委员会一般在每年的四月第二周、七月第一周和十二月第一周召开全体会议讨论学士、硕士和博士学位的授予。每年五月第四周召开审批增补硕士、博士生指导教师会。其它有关研究和讨论学位工作的会议日期由校学位评定委员会主席根据工作需要另定。第三章 学位申请人资格审查第九条 凡是拥护四项基本原则，遵守法制，品行端正，达到所要求的学历，并具有一定学术水平者，均可按本细则规定申请相应的学位，但是，申请人不得同时向两个学位授予单位提出申请。第十条 学位申请人符合以下三个基本要求，方可受理：（1）在学习和工作中表现良好。（2）攻读硕士或博士学位的研究生在申请学位时，必须按照我校《研究生培养方案》完成全部学位课、必修环节并取得规定的学分。（3）完成所申请专业的硕士、博士学位论文。提交答辩的论文必须是本人的研究成果，导师或推荐人认为论文水平符合国务院学位委员会所颁发的学位条例暂行实施办法所规定的要求。第四章 学士学位第十一条 凡我校本科生完成某一专业教学计划规定的课程，毕业设计和其它实践环节，经考试全部合格，并取得规定总学分，确已较好地掌握本门学科的基础理论、专门知识和基本技能，具有从事科学研究工作或担负专门技术工作的初步能力，准予毕业，并具有一定学术水平者，均可授予学士学位。第十二条 学士学位的申请每年办理一次，本校本科毕业生的申请由所在学院在修业期满后一周内提出申请。第十三条 凡有特殊原因未完成毕业设计或缺毕业设计成绩者，可在一年内补做毕业设计，成绩及格，经审核准予毕业的，可随下届毕业生一并补授学士学位；第十四条 成人教育学士学位授予工作的程序和标准与日校本科学士学位相同。第五章 硕士学位第十五条 学位申请人通过资格审查后方可申请学位。学位申请人符合下述条件者可授予硕士学位。（1）掌握本学科坚实的基础理论、系统的专门知识，掌握相应的技能、方法和相关知识，具有从事本专业实际工作和科学研究工作的能力。（2）符合《北京邮电大学硕士研究生培养方案》的要求。（3）学位论文答辩通过。（4）以研究生毕业同等学力申请硕士学位者符合《北京邮电大学授予具有研究生毕业同等学力人员硕士学位工作细则》的要求。第十六条 本校攻读硕士学位的研究生，按规定期限完成论文后，应立即提出硕士学位申请，申请者需提前三周提交申请书、论文及有关材料。第十七条 以研究生毕业同等学力人员申请硕士学位按《北京邮电大学授予具有研究生毕业同等学力人员硕士、博士学位工作细则》办理。第十八条 申请人必须按《北京邮电大学硕士研究生培养方案》的要求，通过硕士学位的课程考试，修满规定学分，方可参加硕士论文答辩，第十九条 硕士学位论文对所研究的课题应有以下任一方面的研究成果：（1）利用前人或本人的理论和方法，解决别人未解决的问题，可以是有关领域中的某一有意义的问题，或是某一个较重要的问题的一个环节。（2）在测试技术、数据处理、工艺方法等任一方面有一定的改进和革新，并有一定的理论分析；或改进已有的试验系统，并取得可靠的成果。（3）将基本的原理应用于相关领域，取得新的成果，并有一定的实用价值。论文的基本科学论点推理、数学推导和结论正确，并在本学科学术上或在国民经济建设中具有一定意义或实践价值，表明作者具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。第二十条 论文内容一般包括：摘要（中、英文）、综述、理论分析、实验与计算、总结、参考文献和必要的附录。论文中的科学论点要概念清楚，分析严谨，要求有理论上的论证，对所选用的研究方法要有科学根据，理论推导正确，计算结果无误，实验数据真实可靠，对结论应作理论上的阐述和讨论，引用他人的材料，要引证原著，利用原著的思想和研究成果时，要加附注。论文要求词句精炼通顺，条理分明，逻辑性强，文字图表清晰整齐，标点符号正确。凡需保密的论文应写明密级。硕士论文篇幅一般三万字左右。第二十一条 为保证论文水平，硕士研究生在论文工作开始时必须进行开题报告，请同教研室或同专业的教师评议选题是否得当，以保证论文工作的顺利进行。在论文进行半年以后还应进行阶段报告，以检查研究生论文进展的情况。其从事论文工作时间一般不得少于一年。第二十二条 学位申请者的论文一律采用计算机打印，原件由校科技档案室保存。第二十三条 答辩前，应先聘请两名与论文相关学科的副教授或相当职称以上的专家审阅论文，其中一名应为校外专家。评阅人一般在半个月内写出较详细的学术评语，其内容包括以下几方面：（1）有无新的见解，及实用价值（含经济效益和社会效益）。（2）主要论据是否充分、可靠。（3）基础理论、专门知识、研究方法和实验技能的水平。（4）写作的逻辑性、科学性、技巧及其它优缺点等。此外，评阅人要对论文是否可提交答辩，是否达到硕士学位的学术水平提出意见。当评阅人的意见有分歧时，分学位评定委员会根据所有评阅人的评阅意见，综合衡量决定举行答辩或修改论文、增聘其他评阅人评阅、缓期答辩或决定本次申请无效。评阅人的评语最迟应在答辩前五天送交学位办公室或学位办公室指定地点，转交答辩委员会秘书，评语不得由申请者本人递送，并不得向申请者泄露。第二十四条 硕士学位论文答辩委员会由三至五人组成（若申请人的指导教师参加则至少为四人）。委员会应由副教授或相当职称以上的专家组成。委员会设主席一人主持会议，并设秘书一人（由教师担任），负责记录、填写表格及答辩委员会有关事宜。委员会可以不聘请校外专家参加。申请人的指导教师可以参加答辩委员会，但不得担任主席。第二十五条 答辩委员会必须坚持实事求是的科学态度，保证质量，认真评议。答辩委员应在答辩前认真准备，以便在会上提问。第二十六条 答辩要发扬学术民主，以公开方式进行（保密专业除外），对是否授予学位应由答辩委员会充分讨论以不记名投票方式表决，经全体委员的三分之二以上同意，方得通过。如预先邀请的答辩委员临时不能到会，即不计算在成员总数内，如此时成员总数不能达到最低限额，答辩必须改期。答辩委员会的决议经主席签字后，送交学位办公室或学位办公室指定地点，供校学位委员会讨论学位时审查后存入学位档案。会议应有详细的记录。第二十七条 硕士论文答辩的整个过程应按规定的程序进行。第二十八条 硕士学位论文答辩不合格的，经答辩委员会同意，可在一年内修改论文，重新答辩一次。第二十九条 如果答辩委员会多数成员认为硕士学位申请人的论文已相当博士学术水平，除做出授予硕士学位的决议外，还可提出授予博士学位建议，按国家学位条例实施办法办理申请博士学位的手续。第三十条 答辩结束后，答辩委员会秘书应将有关材料送交学位办公室或学位办公室指定地点。第六章 博士学位第三十一条 学位申请人符合下述条件者可授予博士学位：（1）掌握本学科坚实宽广的基础理论、系统深入的专业知识、相应的技能和方法，具有独立从事本学科创造性科学研究工作和实际工作的能力。（2）符合《北京邮电大学博士研究生培养方案》的要求。（3）论文答辩通过。（4）以研究生毕业同等学力申请博士学位者符合《北京邮电大学授予具有研究生毕业同等学力人员博士学位工作细则》的要求。第三十二条 本校攻读博士学位的应届毕业生，最迟于毕业前一个半月提出博士学位申请、提交博士学位论文。第三十三条 以研究生毕业同等学力申请学位人员按《北京邮电大学授予具有研究生毕业同等学力人员硕士、博士学位工作细则》办理。第三十四条 申请人在科学或专门技术上有重要著作、发明、发现和发展的，应向我校提交有关的出版著作，发明的鉴定书或证明书等材料，经两位教授或相当职称的专家推荐，分学位评定委员会按《研究生培养方案》有关课程的标准，审查同意后，报校学位评定委员会批准，可以免除部分或全部课程考试。第三十五条 申请人必须按《北京邮电大学博士研究生培养方案》的要求，通过博士学位的课程考试，修满规定学分，方可参加博士论文答辩。第三十六条 答辩前应聘请与论文有关学科的五位具有教授或相当职称的专家评阅论文，其中至少两位应是外单位的专家，并至少半数以上为博士生导师。评阅人一般在一个月内写出较详细的学术评语，其内容包括以下几方面：（1）有无新的见解，及实用价值（含经济效益和社会效益）。（2）主要论据是否充分、可靠。（3）基础理论、专门知识、研究方法和实验技能的水平。（4）写作的逻辑性、科学性、技巧及其它优缺点等。此外，评阅人要对论文是否可提交答辩，是否达到博士学位的学术水平提出意见。评阅人的评语最迟应在答辩前五天送交学位办公室或学位办公室指定地点，转交答辩委员会秘书，评语不得由申请者本人递送，并不得向申请者泄露。第三十七条 当博士论文评阅人对论文提出异议时，分学位评定委员会根据所有评阅人的意见，综合衡量并向校学位评定委员会提出举行答辩或修改论文、增聘其他评阅人评阅、缓期答辩或决定本次申请无效等建议，校学位评定委员会批准后执行。第三十八条 博士论文篇幅一般在六万字左右，博士论文详细摘要应在一万字左右。英文摘要应不少于2000词汇。论文内容一般包括：摘要（中、英文）、综述、理论分析、实验与计算、总结、参考文献和必要的附录。论文中的科学论点要概念清楚，分析严谨，要求有理论上的论证，对所选用的研究方法要有科学根据，理论推导正确，计算结果无误，实验数据真实可靠。对结论应作理论上的阐述和讨论，引用他人的材料，要引证原著，利用原著的思想和研究成果时，要加附注。论文要求词句精炼通顺，条理分明，逻辑性强，文字图表清晰整齐，标点符号正确。凡需保密的论文应写明密级。第三十九条 为保证论文水平，博士研究生在论文工作开始时必须进行开题报告，请同教研室或同专业的教师评议选题是否得当，以保证论文工作的顺利进行。在论文进行半年以后还应作一阶段报告，以检查研究生论文进展的情况。其从事论文工作时间一般不得少于两年。第四十条 学位申请者的论文一律采用计算机打印，原件由校科技档案室保存。第四十一条 博士学位论文答辩委员会由五至七人组成，成员的半数以上应是教授或相当职称的专家，其中至少有两名外单位的专家，并要有两名以上的博士生导师，答辩委员会主席由其中一名博士生导师担任。申请人的指导教师可以担任答辩委员会委员，但不能担任主席。答辩委员会设秘书一人，由具有中级职称以上的教师担任，负责记录、填写表格及答辩委员会有关事宜。第四十二条 答辩委员会必须坚持实事求是的科学态度，保证质量，认真评议。答辩委员应在答辩前认真准备，以便在会上提问。第四十三条 答辩要发扬学术民主，以公开方式进行（保密专业除外），对是否授予学位应由答辩委员会充分讨论以不记名投票方式表决，经全体委员的三分之二以上同意，方得通过。如预先邀请的答辩委员临时不能到会，即不计算在成员总数内，如此时成员总数不能达到最低限额，答辩必须改期。答辩委员会的决议经主席签字后，送交学位办公室或学位办公室指定地点，供校学位委员会讨论学位时审查后存入学位档案。会议应有详细的记录。第四十四条 博士论文答辩的整个过程应按规定的程序进行。第四十五条 博士学位论文答辩不合格的，经答辩委员会同意，可在两年内修改论文，重新答辩一次。第四十六条 答辩委员会认为申请人的论文虽然未达到博士学位的水平，但已达到硕士学位的学术水平，而且申请人又未获得硕士学位的，可做出建议授予硕士学位的决议。第四十七条 答辩结束后，答辩委员会秘书应将有关材料送交学位办公室或学位办公室指定地点。第七章 名誉博士学位第四十八条 根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》第十六条，我校为有权授予名誉博士学位的单位。第四十九条 名誉博士学位是一种荣誉称号，具备下列条件之一者可授予名誉博士学位：（1）在科学界有较高声誉，或在学术上有较深造诣，能以自己的科学成就或学术活动促进科学技术的发展及学术水平提高的国内外科学家、学者。（2）为我校在国际、国内学术交往或为我校的教育事业、科研工作中做出过重大贡献的国内外学术界人士。第五十条 授予名誉博士学位的人选由我校某一学院或校方提出，经校学位评定委员会讨论通过，报国务院学位委员会批准后，由我校授予。授予名誉博士学位时要举行适当的授予仪式，由校长颁发《名誉博士学位证书》。第八章 其他第五十一条 在我国学习的外国留学生和从事研究或教学工作的外国工作者向我校申请学位，参照本细则有关规定办理。其学位论文应当用中文或英文撰写。用英文撰写的学位论文，应当有不少于6000字的中文详细摘要。第五十二条 各级学位获得者，由北京邮电大学颁发相应的学位证书。学位证书的生效日期以校学位评定委员会通过授予学位的日期为准。第五十三条 博士学位证书须在校学位评定委员会通过授予学位三个月后无异议，方可颁发。第五十四条 硕士、博士学位获得者的论文的复印件，送本校图书馆一份，国家科委情报所国内文献馆一份，国家图书馆一份，底稿送校科技档案室存档第五十五条 本细则未尽事宜，由校学位评定委员会主席酌情决定。第五十六条 本细则经2005年6月9日校学位评定委员会审定，2005年7月 1日校长办公会议批准执行。第五十七条 本细则由学位办公室负责解释。
挺容易的吧 主要是自己的态度 态度好了一般都能过
很多同学在问西安电子科技大学自考难不难?首先我们来看下什么是自考?高等教育自学考试简称自学考试、自考，1981年经国家批准创立是对自学者进行的以学历考试为主的高等教育国家考试。而西安电子科技大学是教育部主管部门和教育考试院指定的官方自考主考院校，西安电子科技大学是正规公办大学。西安电子科技大学自考难不难?相信大家心里都是有答案的。与普通高考和成人高考在招生对象、考试时间及学制不同，自考是“宽进严出”。考生参加国家考试机构统一组织的单科考试，合格一门，发一门的合格证书，所有科目合格后，方可申请毕业。西安电子科技大学自考包过可靠吗?首先先问问自己，所有的科目都能坚定能考过吗?自考是一种过程，一种经历，只有亲身体验过，尤其是只有其中一少部分善于自主学习的考生才是自考的最终胜出者。所以西安电子科技大学自考难不难?看到这里，大家就应该知道，这个是比较难的。经过系统的学习后，通过毕业论文答辩、学位，西安电子科技大学考核达到规定成绩，符合学位申请条件的，可申请授予学士学位，并可继续攻读硕士学位和博士学位。大自考全国平均通过率一般在10%--30%左右，西安电子科技大学自考通过率也可以参考。大自考即是完全通过自己自学，不借助任何辅导班的长线自考。问西安电子科技大学自考难不难的朋友们，看下这个通过率，虽然数字不一定准确，但是一定程度上也代表了一些。自考独立办班俗称小自考。小自考就是人们一般说的短线自考。这种自考主要是参加一些办学单位组织的助学班，同时也就国家的政策即办学单位自己能够组织一些科目的考试，另一部分科目是参加国家组织的国家统一考试。西安电子科技大学自考包过的说法是没有什么依据的，大家都要统一参加考试，只要是考试就会有不过的可能性。也就是说你的考试科目一部分来自西安电子科技大学自学考试，一部分来自你在的办学单位，这种自考要相对简单些，基本上通过率在80%以上，这类小自考通过率相对高很多。自考很难通过率低是针对社会自学考试的考生，这部分考生大多数是有家有业的在职人员或待业人员，这一类人的学习时间少、精力有限，而且缺乏管理和自我约束能力，因而通过率很低，但是对于各大高校为自考生组织的自学考试是不存在这样的问题的。但是大部分的人还是只能通过自学来考试，如果有人跟你说西安电子科技大学自考包过，那么你就要打个问号了。另外，2023年西安电子科技大学自考预报名已经开启，有意向的朋友们也可以来点击底部官网报名咨询。我们招生老师坐标西安市，是多所学校助学合作办学点，关于西安市成人学历提升有想了解的欢迎提问，我们在线做出专业的解答，为你保驾护航，让你在提升学历的道路上少走弯路！西安电子科技大学自考自考报名入口：
我是西安电子科技大学2015届学生，非常遗憾没考上研。但让我不平衡的是我班有一名名叫王凯鹏的深圳龙岗学生模电实验作弊被监考老师抓住考试成绩清零仍然保送到李勇朝老师（西安电子科技大学通信工程学院院副院长）的研究生。 可想而知西电的水平。 在此重申，本人所做指控均有物证支持，本人持有一份本班大三上成绩单一份，上面清楚写明王凯鹏，学号01111006的模电实验成绩不合格。以此证明本人所言非虚。 这个人不止一次作弊，别的我不知道，在我班，王凯鹏是作弊的倡导者，因为他作弊能拿高分。只是在模电实验被抓到了一次而已。他的常用作弊方法是在座位旁边的石灰墙上打小抄，证据就是在南校区b楼203讲台左边第六排墙上现在还有他的笔迹。现在你们知道我为什么知道保研政策改了还举报他了吧？我认为他的本科成绩都是假的！！！！！他的优研成绩百分之七十都是假的！！！！！凭什么他上研我没上？ 有点low也没办法，跟这位王凯鹏同学学的。想当初在上课的时候它和它的一群狐朋狗友不顾老师在讲课骂一个前排同学半个学期，让坐在后面的我都没法听课。 注： 没想到把事主王凯鹏给招来了。人家冯同学怎么样关我什么事？倒是你高中盗窃的事在你高中档案里白纸黑字写着呢。并且你一向喜欢搬弄是非。人家唐姝旻大一时天天学英语关你什么事？你骂人家是白痴。合着就你平时不学习考试靠作弊拿高分是聪明人？你在我的问题下说的这些有证据吗？ 拿出来给大家看看。 我反而倒是知道你小子在知乎上承认自己作弊还不算，还要诬陷西电人全都作弊。真不要脸，把西电人的脸都丢尽了。 [imgstart];;[imgend]我说的东西都有证据支持，你说了这么多，证据呢？不会就饭吃了吧。 还全11级，11级有5000多人，你自己在知乎注册10个小号就都代表了？当时不是还说要叫全班100多号人来揍我吗？这种拉大旗作虎皮的本事我真是自愧不如，是在下输了。（王凯鹏，你的脸皮真是太厚了）。 执一己之见以嫁祸于他人，贪一时之功以贻笑于天下。我在知乎发这些，只是要让大家知道这些事情，让大家对西电的黑暗与你的伪善嘴脸有一个心里准备。这与知乎的精神是相符的，我只是希望在我身上发生的事不要在大家身上再一次发生。 至于在我问题下发表没有证据的人身攻击的人，我只想说： 别说你们现在骂错了人，就是知道了我的真实身份。骂对了我，我也无怨无悔。我只是想让大家知道王凯鹏这种伪善的人的真面目。至于我个人的荣辱，我丝毫不关心。 只要还有一个人不知道你王凯鹏干的缺德事，我就绝不停止。知乎、豆瓣、天涯、百度、华商报、三秦都市报。你听说过哪个上访人员被截一次上访就气馁的？我要让大家知道，人与人是平等的。保研的人和找工作的人是平等的。你要为你自己说过的目中无人的言论负责。
答辩通过与否，与你的论文质量和你自己答辩前的准备有很大关系。我做过多次答辩记录员，总结了一点经验，希望能帮助到你。答辩时，论文的质量已经不能改变了，提高通过率就只能靠你好好准备了。一、对自己论文的结构有所把握，为什么论文中要写这个部分心里要有数。二、你写论文时，总有些很难说清楚的地方，有可能写了但表达不清，也有可能故意没写忽略了，老师会问这些论文的漏洞部分，提前想好说辞，到时候解释解释就可以了。三、论文中的公式、图标、引用的文献等，要有初步的了解，防止老师发问。四、注意调整心态，老师可能把你的辛辛苦苦写的论文批的一无是处，要镇定，表示认真虚心接受老师的意见并下来加以修改。下来改不改都没关系了。就这些了，好好准备，祝你成功！
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最著名的是
电子学报。
文献综述是对某一领域某一方面的课题、问题或研究专题搜集大量情报资料，分析综合当前该课题、问题或研究专题的最新进展、学术见解和建议，从而揭示有关问题的新动态、新趋势、新水平、新原理和新技术等等，为后续研究寻找出发点、立足点和突
约翰 W.克雷斯威尔（John W. Creswell）曾提出过一个文献综述必须具备的因素的模型。他的这个五步文献综述法倒还真的值得学习和借鉴。
克雷斯威尔认为，文献综述应由五部分组成：即序言、主题1（关于自变量的）、主题2（关于因变量的）、主题3（关于自变量和因变量两方面阐述的研究）、总结。
（1）序言告诉读者文献综述所涉及的几个部分，这一段是关于章节构成的陈述。
（2）综述主题1提出关于“自变量或多个自变量”的学术文献。在几个自变量中，只考虑几个小部分或只关注几个重要的单一变量。
（3）综述主题2融合了与“因变量或多个因变量”的学术文献，虽然有多种因变量，但是只写每一个变量的小部分或仅关注单一的、重要的因变量。
（4）综述主题3包含了自变量与因变量的关系的学术文献。这是我们研究方案中最棘手的部分。
这部分应该相当短小，并且包括了与计划研究的主题最为接近的研究。或许没有关于研究主题的文献，那就要尽可能找到与主题相近的部分，或者综述在更广泛的层面上提及的与主题相关的研究。
（5）总结强调最重要的研究，抓住综述中重要的主题，指出为什么我们要对这个主题做更多的研究。
一、文献综述的含义
文献阅读报告，即“文献综述”,英文称之为“survey”、“overview”、“review”.是在对某研究领域的文献进行广泛阅读和理解的基础上，对该领域研究成果的综合和思考。一般认为，学术论文没有综述是不可思议的。需要将“文献综述（ Literature Review）”与“背景描述（Backupground Description）”区分开来。
我们在选择研究问题的时候，需要了解该问题产生的背景和来龙去脉，如“中国半导体产业的发展历程”、“国外政府发展半导体产业的政策和问题”等等，这些内容属于“背景描述”,关注的是现实层面的问题，严格讲不是“文献综述”,关注的是现实层面问题，严格讲不是“文献综述”.
“文献综述”是对学术观点和理论方法的整理。
其次，文献综述是评论性的（ Review 就是“评论”的意思），因此要带着作者本人批判的眼光（critical thinking）来归纳和评论文献，而不仅仅是相关领域学术研究的“堆砌”.
评论的主线，要按照问题展开，也就是说，别的学者是如何看待和解决你提出的问题的，他们的方法和理论是否有什么缺陷？要是别的学者已经很完美地解决了你提出的问题，那就没有重复研究的必要了。
二、意义和目的
总结和综合该方向前人已经做了的工作，了解当前的研究水平，分析存在问题，指出可能的研究问题和发展方向等，并且列出了该方向众多的参考文献，这对后人是一笔相当大的财富，可以指导开题报告和论文的写作。
三、主要内容
（1）该领域的研究意义。
（2）该领域的研究背景和发展脉络。
（3）目前的研究水平、存在问题及可能的原因。
（4）进一步的研究课题、发展方向概况。
（5）自己的见解和感想。
四、分类
综述分成两类。
一类是较为宏观的，涉及的范围为整个领域、专业或某一大的研究方向。
一类是较为微观的，这类综述可以涉及到相当小的研究方向甚至某个算法，谈的问题更为具体与深入。前者立意高，范围广，面宽，故也不易深入，比较好读好懂。这对初入道者、欲对全局有所了解的读者而言很有参考价值。
然而，欲深入课题的研究，则希望能有后一类的综述为自己鸣锣开道，这会节约很多的时间与精力，但往往不能遂人意，于是只好旁征博引，由自己来完成该课题的综述。当写学位论文时，我们要写的也就是这类结合自己研究课题而写就的综述。
五、难点
一篇好的文献综述既高屋建瓴，又脚踏实地；既探?索隐，又如醍醐灌顶。文献综述顾名思义由“综”和“述”组成。前半部分的“综”不算太难，根据所查阅大量的文献进行综合的归类、提炼、概括即可做到的话。
后半部分的评“述”与分析则是一篇“综述”质量高下的分界线，这需要融入作者自己理论水平、专业基础、分析问题、解决问题的能力，在对问题进行合情合理的剖析基础上，提出自己独特的见解。
六、如何收集资料
虽说，尽可能广泛地收集资料是负责任的研究态度，但如果缺乏标准，就极易将人引入文献的泥沼。
技巧一：
瞄准主流。主流文献，如该领域的核心期刊、经典着作、专职部门的研究报告、重要化合物的观点和论述等，是做文献综述的“必修课”.而多数大众媒体上的相关报道或言论，虽然多少有点价值，但时间精力所限，可以从简。怎样摸清该领域的主流呢？
建议从以下几条途径入手：
一是图书馆的中外学术期刊，找到一两篇“经典”的文章后“顺藤摸瓜”,留意它们的参考文献。质量较高的学术文章，通常是不会忽略该领域的主流、经典文献的。
二是利用学校图书馆的“中国期刊网”、“外文期刊数据库检索”和外文过刊阅览室，能够查到一些较为早期的经典文献。
三是国家图书馆，有些上世纪七八十年代甚至更早出版的社科图书，学校图书馆往往没有收藏，但是国图却是一本不少（国内出版的所有图书都要送缴国家图书馆），不仅如此，国图还收藏了很多研究中国政治和政府的外文书籍，从互联网上可以轻松查询到。
技巧二：
随时整理，如对文献进行分类，记录文献信息和藏书地点。做博士论文的时间很长，有的文献看过了当时不一定有用，事后想起来却找不着了，所以有时记录是很有必要的。罗仆人就积累有一份研究中国政策过程的书单，还特别记录了图书分类号码和藏书地点。
同时，对于特别重要的文献，不妨做一个读书笔记，摘录其中的重要观点和论述。这样一步一个脚印，到真正开始写论文时就积累了大量“干货”,可以随时享用。
技巧三：
要按照问题来组织文献综述。看过一些文献以后，我们有很强烈的愿望要把自己看到的东西都陈述出来，像“竹筒倒豆子”一样，洋洋洒洒，蔚为壮观。仿佛一定要向读者证明自己劳苦功高。
我写过十多万字的文献综述，后来发觉真正有意义的不过数千字。
文献综述就像是在文献的丛林中开辟道路，这条道路本来就是要指向我们所要解决的问题，当然是直线距离最短、最省事，但是一路上风景颇多，迷恋风景的人便往往绕行于迤逦的丛林中，反面“乱花渐欲迷人眼”,“曲径通幽”不知所终了。
因此，在做文献综述时，头脑时刻要清醒：我要解决什么问题，人家是怎么解决问题的，说的有没有道理，就行了。
综述是你查阅相关文献的成果。
任何研究都要建立在前人的基础上，并且遵守学术传统，而不是空穴来风。
你需要告诉读者，关于这个问题前人研究到了何种地步，有什么缺陷，应该在哪些方面进行拓展。这一方面是对前人研究的尊重，另一方面也表明了你的文章价值何在。
任何与本文相关的重要成果都应当在综述中得到体现，并且在参考文献中列出。综述不是概述，不能泛泛地引用和概括，要有扬弃，特别是有批评。
否则，如果别人都做好了，要你写文章干嘛。
综述比较容易看出作者对该领域所下的工夫，因为作者需要广泛阅读，理解不同论文在关键假设和模型上的主要分歧。好的综述本身就是一篇独立的文章。
如果你不知道如何写，但是又急着交。一个非常简便的方法，就是去知网上面找你要写的那方面的硕士论文，上面有完整的文献综述（那最好，你稍稍改动即可），如果是开题报告形式，你就可以找好它上面的内容（其实跟文献综述写的内容差不多，只是格式和形式不太一样）。你按照以下的提纲自己复制粘贴内容即可（我们这学期写了一篇文献综述），也有可能每个学校的要求提纲不太一样，不过都是差不多的不用太担心，主要是内容要找准： 1.论文题目：一般不超过25个字，要简练准确，副标题统一为“文献综述及研究思路”可分两行书写； 2.摘要：中文摘要字数应在300字左右，英文摘要与中文摘要内容要相对应； 3.关键词：关键词以3—5个为宜，应该尽量从《汉语主题词表》中选用，分号隔开； 4.正文：正文要符合一般学术论文的写作规范，内容层次分明，数据可靠，文字简练，观点正确，能运用现代经济学、管理学的分析方法，并能学会利用计量经济学、统计学等相关工具对所涉及的问题进行分析，文章主体字数为4000字以上。正文基本结构如下： 一、选题背景及选题意义 二、有关国内外研究成果综述 （一）国外研究成果 （二）国内研究成果 （三）对研究成果的评述（这个地方就不要把引用的写出来了，我被我们老师就批了） 三、基本研究思路（最好有图，把你参考的文章所有的提纲画一个简易图即可，不单是自己的文献综述，是你参考的整篇论文的内容） 四、研究方法及创新处 5.参考文献：参考文献应按文中引用出现的顺序列出，只列出作者直接阅读过、在正文中被引用过的文献资料，一律列在正文的末尾，特别在引用别人的科研成果时，应在引用处加以说明。每篇论文的参考文献一般不应少于五条。 希望对你有用~~
科学技术报告、学位论文、学术论文以及其它类似文件是主要的科技信息源，是记录科学技术进步的历史性文件.为了统一这些文件的撰写、编辑、印刷、出版、发行，便于处理、储存、检索、利用、交流、传播.现将中华人民共和国国家标准GB 7713-87中有关论文格式、参考文献著录格式摘录如下：论文格式1.论文格式——题目：题目应当简明、具体、确切地反映出本文的特定内容，一般不宜超过20字，如果题目语意未尽，用副题补充说明。2.论文格式——作者：署名的作者只限于那些选定研究课题和制订研究方案、直接参加全部或主要研究工作、做出主要贡献，并了解论文报告的全部内容，能对全部内容负责解答的人。其他参加工作的人员，可列入附注或致谢部分。3.论文格式——摘要：摘要应具有独立性和自含性，有数据结论，是一篇完整的短文。摘要一般200-300字.摘要中不用图、表、化学结构式、非公知公用的符号和术语。4.论文格式——正文：论文中的图、表、附注、参考文献、公式等一律采用阿拉伯数字编码，其标注形式应便于互相区别，如图1，图2-1；表2，表3-2；附注：1)；文献[4]；式(5)，式(3-5)等.具体要求如下；论文格式——图：曲线图的纵.横坐标必须标注量、标准规定符号、单位(无量纲可以省略)，坐标上采用的缩略词或符号必须与正文中一致。论文格式——表：表应有表题，表内附注序号标注于右上角，如“XXX1）”（读者注意：前面“”引号中的实际排版表示方式应该是“1）”在“XXX”的右上角），不用“＊”号作附注序码，表内数据，空白代表未测，“一”代表无此项或未发现，"0"代表实测结果确为零。论文格式——数学、物理和化学式：一律用“.”表示小数点符号，大于999的整数和多于三位的小数，一律用半个阿拉伯数字符的小间隔分开，不用千位擞“，”，小于1的数应将0列于小数点之前。例如94,652应写成94 652；.319,325应写成 325。应特别注意区分拉丁文、希腊文、俄文、罗马数字和阿拉伯数字；标明字符的正体、斜体、黑体及大小写、上下角，以免混同。论文格式——计量单位：论文中使用的各种量、单位和符号，必须遵循国家标准GB3100-82， GB3101-82，GB3102/1-13-82等的规定.单位名称和符号的书写方式，一律采用国际通用符号。没有相应符号的非物理量单位可使用中文(如“件”、“台”、“人”等)，它们可以与其他单位的符号构成组合单位(如“件每秒”的符号为“件/S”)。参考文献格式参考文献的格式：论文参考文献的写法应按下列次序——著者/题名/出版事项，由于论文的参考文献品种繁多，择其主要示例如下：谭炳煌，1982.怎徉撰写科学论文.辽宁人民出版社，59Guinier A,施士元译，1959. X射线晶体学.科学出版社，148Pettetssen S, 1941. Introduction to Meterclogy. New York, McGraw-Hill, 200-210即著录书的著者的姓和名的首字母(中国人的名不缩写)，出版年，句点，书名，句点，出版地点，出版者，特定页码。李薰，1964.十年来中国冶金科学技术的发展.金属学报，7：442Bachmann W , 1973. Verallgemeinerung and Anwendung der Rayleighschen Theorie der , 28 (4)：223-228即著录论文的著者的姓和名的首字母(中国人写全姓名)，出版年，句点，论文题目，句点，期刊名缩写，卷(期):页(每卷编连续页码的期刊不写期)。多著者的参考文献标注，在著录文献的著者时，如著者为三人以内，全部著录，如为四人以上，只著录至第三著者，加“et al.，著者最后的两人之间，不加“&”、“和”等类似的连接词。（摘自 《环境化学》，原文：“科学技术报告、学位论文和学术论文的编写格式” ）
本科毕业设计（论文）文献综述院 （系）：专 业：班 级：学生姓名： 学 号:年 月 日本科生毕业设计（论文）文献综述评价表毕业设计（论文）题目综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等）评阅教师姓名 职称评 价 项 目 优 良 合格 不合格综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果03 文字通顺、精练、可读性和实用性强04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献成绩综合评语：评阅教师（签字）：年 月 日文献综述： 小四号宋空一行标题 二号黑居中空一行1 XXX 三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXXX 小三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXX 四号黑XXX 小四号宋，行距20磅空一行2 XXXX 三号黑(空1行)参 考 文 献(空1行)[要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：][1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅）[2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31．下面的是我的文献综述文献综述:FTO透明导电薄膜的溅射法制备1 前言为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。2透明导电玻璃的种类及制备方法简介透明导电玻璃的种类 .1 TCO导电玻璃TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件.主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。 ITO透明导电玻璃ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。透明导电玻璃FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大. FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。透明导电玻璃制备方法FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。磁控溅射法镀膜：溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。真空蒸发镀膜：真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。化学气相沉积法：化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。喷雾热分解法：喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势透明导电玻璃的研究现状自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到Ω/口，可见光透光率为％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。射频溅射：射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为— Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长， nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。透明导电玻璃的应用FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。在薄膜太阳电池上的应用太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。在显示器上的应用显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。在气敏元件上的应用气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。 FTO透明导电玻璃的发展趋势随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件：(1)导电性能好，电阻率较低；(2)可见光内透光率较高：(3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜；(4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀；(5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高；(6)表面形状良好，没有针孔；(7)价格较低，可实现大规模工业化生产。目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。4 制备条件对膜结构及光电性能的影响长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了——的结论。制备条件对膜厚的影响文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。制备条件对膜结构的影响晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。制备条件对膜光电性质的影响在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。 退火对薄膜的影响退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］5 退火后处理对膜结构与成分的影响光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］6 FTO导电玻璃制备相关参数根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。7 参考文献1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学2、汪振东， 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877．8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et 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广西师范大学学报（自然科学版）