半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。
半导体应用
最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/ 二极体（Diode）」。
一、在 无�电收音机（Radio）及 电视机（Television）中，作为“讯号放大器 /整流器”用。
二、近来发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。
三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。
半导体材料的制造
为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的错位（dislocation）、双晶面（twins），或是堆栈错误（stacking fault）都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体元件而言，材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。
目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程（Czochralski process）。这种制程将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。
----半导体激光器是一种非常方便的光源，具备紧凑、耐用、便携和强大等特点。然而，典型半导体激
----The semiconductor laser device is one kind of very convenient illuminant , has characteristics such as compact , durable , just carry and big and powerful. Representative semiconductor is exciting but,
光器通常为窄带设备，只能以特有波长发出单色光。相比之下，超宽带激光器具有显著的优势，可以同
The glossy ware is narrow belt equipment generally , can only issue monocolour brightness with proper wavelength. By contrast, the super-broadband laser device has notable advantage , can be same
时在更宽的光谱范围内选取波长。制造出可在范围广泛的操作环境下可靠运行的超宽带激光器正是科学
Choose wavelength now and then within broader spectrum range. Make out of the super-broadband laser device may work reliably under broad range operation environment exactly being science
家们长久以来追求的一个目标。
A target that family runs after since long.
----为了研制出新型的激光器，贝尔实验室科学家们采用了650余种光子学中使用的标准半导体材料
----For developing out the late-model laser device , Bell laboratory, scientists have adopt the standard semiconductor materials being put into use among more than 650 kind photonics
，并将其叠放在一起组成一个“多层三明治”。这些层面共分为36组，其中不同层面组在感光属性方面
,And, the person is set free pack being composed of a "Dagwood " together. Be 36 set together mark , be unlike tier of face group among them face to face these tiers in the field of the attribute reacting to light
有着细微的差别，并在特有的短波长范围内生成光，同时与其他各组之间保持透明.所有这些层面组结合
Have the minute difference, and generate brightness within proper long short wave range, every keeps a lucency at the same time and other between the set. Possessions combines set face to face these tiers
在一起，就能发射出宽带激光。
Together, be therefore likely to launch out broadband laser.
----新型激光器隶属于一种称为量子瀑布（QC）激光器的高性能半导体激光器。QC激光器由
----The new model laser device appertains to one kind of the high-performance semiconductor laser device being called the quantum waterfall (QC) laser device. QC laser device reason
Federico Capasso和AlfredCho及其同事于1994年在贝尔实验室发明，其操作过程非常类似于一道电子
Capasso and AlfredCho and their colleague invents Federico on 1994 in Bell laboratory, a whose electron very similar to handling process
瀑布。当电流通过激光器时，电子瀑布将沿着能量阶梯奔流而下；每当其撞击一级阶梯时，就会放射出
Waterfall. While electric current passes a laser device, the electron waterfall will move downwards along energy ladder racing current; Whenever the person collide with one-level ladder time , are therefore likely emit
红外光子。这些红外光子在包含电子瀑布的半导体共振器内前后反射，从而激发出其他光子。这一放大
Infrared photon. These infrared photons are stimulated thereby within the semiconductor resonator containing the electron waterfall around reflecting, other photon. This one amplification
过程将产生出很高的输出能量。
Process will produce out the very high output energy
----超宽带激光器可在6~8微米红外波长范围产生1.3瓦的峰值能量。Gmachl指出：“从理论上讲，
----Be over width brings a laser device along but range produces 1.3 earthen peak value energies in 6 ~ 8 infrared micron wavelength. Gmachl points out: "From talking theoretically,
波长范围可以更宽或更窄。选择6~8微米范围波长发射激光，目的是更令人信服地演示我们的想法。未来
Wavelength range can be broader or narrower. The wavelength choosing 6 ~ 8 micron range launches laser , purpose is the idea demonstrating us more convincing. Future
，我们可以根据诸如光纤应用等具体应用的特定需求量身定制激光器。
,We can need amounts bodies according to specially appointed that fibre-optical application waits for to apply concretely such as making a laser device customarily.
《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。
《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
