半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为0.6～1.55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到0.46微米的输出，而波长0.50～0.51微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。晶体管利用一种称为半导体的材料的特殊性能。电流由运动的电子承载。普通的金属，如铜是电的好导体，因为它们的电子没有紧密的和原子核相连，很容易被一个正电荷吸引。其它的物体，例如橡胶，是绝缘体 --电的不良导体--因为它们的电子不能自由运动。半导体，正如它们的名字暗示的那样，处于两者之间，它们通常情况下象绝缘体，但是在某种条件下会导电。
集成电路芯片封装技术浅谈
自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。
对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。
芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。
下面将对具体的封装形式作详细说明。
一、DIP封装
70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点:
1.适合PCB的穿孔安装;
2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线;
3.操作方便。
DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。
Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。
二、芯片载体封装
80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。
以0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是:
1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线;
2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用;
3.操作方便;
4.可靠性高。
在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。
三、BGA封装
90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。
BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有:
1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率;
2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能:
3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上;
4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高;
5.组装可用共面焊接，可靠性高;
6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大;
Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。
四、面向未来的新的封装技术
BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。
Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按0.5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。
1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点:
1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要;
2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题;
3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。
曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有:
1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化;
2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3;
3.可靠性大大提高。
随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。
随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。
半导体射线探测器
最初约年研究核射线在晶体上作
用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由
于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适
的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探
测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、
正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。
年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了
“ 传导计数器” 。在晶体
上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分
离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多
人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫
施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一
对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用
的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器
有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒
子的射程小硅能吸收质子, 而
质子在空气中射程为, 产生一对载
流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子
的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响
应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,
使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应
能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集
上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个
足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属
半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗
尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核
射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子
对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收
集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的
能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在
年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体
材料有关。
麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威
茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。
年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒
子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而
变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测
量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀
粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得
到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对
需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,
加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压
时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普
杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二
极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉
冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为
二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分
辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极
管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探
测器。
年以后, 许多人做了大量工作, 发表
了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型
探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的
探测器, 并用探测器, 工作在,
测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一
系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰
击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,
制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、
阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面
垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少
漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。
这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大
关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随
所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏
放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必
需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为
一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握
尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效
应晶体管后, 进一步改善了分辨率。
为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效
体积如吸收电子需厚硅。采用
一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压
获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因
此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大
大推动这种探测器的发展。即在型半导体里
用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率
很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿
容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作
为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把
铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反
向偏压, 并升温, 锉离
一
子向区漂移, 形成
一一结构, 有效厚度可达。这种探测器
很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器
组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效
率低, 因硅的原子序数低。为克服这一
点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为
。年, 弗莱克首先用型锗口,
按照佩尔方法, 制成半导体探测器,
铿漂移长度为, 测‘“ 、的的
射线, 得到半峰值宽度为
直到年以前, 所有的探测器都是平面
型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“
和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂
移时间要个月, 因此, 有效体积大于到
” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发
展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大
体积同轴探测器。之后, 随着电子工
业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十
“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射
线的探测。年以后广泛地用于各个部门。
最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应
用上都有很大发展。
我今年近7O岁了，可以说半导体陪伴着我们长大，从小就爱听，听少儿节目，听老电影，听新闻，听小说，印象最深的是（欧阳海之歌）等等许多许多，收获很大，获得了知识，享受了快乐，直到现在我还是爱听半导体，现在主要听小品，相声，养生知识等等，因为半导体听起来方便，也不费眼晴，挺好的！
