electrotechnics，或 electrotechnology.
词：
电工学实验：Electrician technique Experiments ; experiment of electrotechnics
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射频激励辉光放电粒子引入偏流、激发放射强度的增强系数
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【作者中文名】 孙素珍; 张宏; 亚艳芝; 王会娟;
【文献出处】 承钢技术, , 编辑部邮箱 2006年 01期
期刊荣誉：CJFD收录刊
【关键词】 辉光放电光谱仪; 直流（d．c）偏流; 射频（r．f.）等离子; 增强系数; 激发能; 铜;
【摘要】 把直流偏流引入到辉光放射粒子中,可增大发射谱线强度。20-30mA的偏流电流通常可使拥有3-4ev激发能的原子谱线发射强度增加11-20倍。增强系数很大程度上取决于等离子气体压力和射频功率。具有大约5.7ev激发能的原子发射谱线强度提高很多,增强系数超过50。然而与等离子条件无关,当激发能超过7ev时,发射谱线强度增加很小。
【DOI】 CNKI:SUN:CHGJ.0.2006-01-015
Electrical characteristic simulation of double-faced glow discharge plasma reactor system
【作者中文名】 安治永; 李应红; 宋慧敏;
【作者英文名】 AN Zhi-yong; LI Ying-hong; SONG Hui-min（Engineering Institute; Air Force Engineering University; Xi’an 710038）;
【作者单位】 空军工程大学工程学院; 空军工程大学工程学院 西安;
【文献出处】 核聚变与等离子体物理, Nuclear Fusion and Plasma Physics, 编辑部邮箱 2007年 04期
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【关键词】 等离子体; 流动控制; 电特性; 仿真;
【英文关键词】 Atmospheric plasma; Flow control; Electrical characteristics; Simulation;
【摘要】 用Matlab软件对大气压均匀辉光放电等离子体(OAUGDP)激励器系统的电特性进行了仿真。在仿真模型中,等离子体放电被建模成一个电压控制的电流源:当加在气隙上的电压超过等离子体产生电压时,该受控电流源接通;电流源的输出电流和所加电压之间遵循幂律。建立了一个OAUGDP激励器系统中等离子体放电的电路模型。仿真结果与实际激励器系统的实验数据很吻合。仿真结果表明,在不同的运行条件下,放电电流与电压之间遵循不同的指数幂律,仿真放电电流波形也不同。
【英文摘要】 Simulation of the electrical characteristics of atmosphere uniform glow discharge plasma(OAUGDP) reactor system has been conducted with the Matlab software.Plasma discharge is modeled as a voltage-controlled current source: the discharge current outputs and follows a power law of the applied voltage when the voltage across the gap exceeds the plasma initiation voltage.Simulation results agree well with experimental data.It is also found that the voltage power laws to describe OAUGDP are dissimilar for diffe...
【DOI】 CNKI:SUN:HJBY.0.2007-04-018
射频激励辉光放电粒子引入偏流、激发放射强度的增强系数
【作者中文名】 孙素珍; 张宏; 亚艳芝; 王会娟;
【文献出处】 承钢技术, , 编辑部邮箱 2006年 01期
期刊荣誉：CJFD收录刊
【关键词】 辉光放电光谱仪; 直流（d．c）偏流; 射频（r．f.）等离子; 增强系数; 激发能; 铜;
【摘要】 把直流偏流引入到辉光放射粒子中,可增大发射谱线强度。20-30mA的偏流电流通常可使拥有3-4ev激发能的原子谱线发射强度增加11-20倍。增强系数很大程度上取决于等离子气体压力和射频功率。具有大约5.7ev激发能的原子发射谱线强度提高很多,增强系数超过50。然而与等离子条件无关,当激发能超过7ev时,发射谱线强度增加很小。
【DOI】 CNKI:SUN:CHGJ.0.2006-01-015
射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响
【英文篇名】 Effect of R F Discharhe Parameters on the Substrate Bias
【作者中文名】 程宇航; 吴一平; 许德胜; 陈建国; 乔学亮; 谢长生;
【作者英文名】 Cheng Yuhang Wu Yiping Xu Desheng Chen Jianguo Qiao Xueliang Xie Changsheng （Huazhong University of Science and Technology 430074 China）;
【作者单位】 华中理工大学材料学院;
【文献出处】 电工技术学报, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 编辑部邮箱 1999年 05期
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【关键词】 射频辉光放电; 极板自负偏压; 工艺参数;
【英文关键词】 R f discharge Substrate bias Discharge parameter;
【摘要】 系统研究了射频等离子辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响， 结果表明射频辉光放电过程中下极板上产生的自直流负偏压V 与电源功率W 和工作压强P 的关系为V＝k W／ P。极板负偏压随极板间距的增加而增大。不同放电气体对极板自负偏压产生不同的影响，这与各种气体本身的放电特性有关
【英文摘要】 The effect of radio frequency (r f )discharge parameters on the substrate bias was systematically studied Results show that the substrate bias V is related to the r f power W and gas pressure P by V=kW/P The increase of distance between two electrode leads to the increase of substrate bias Substrate bias is greatly affected by the discharge characteristics of different gases
【基金】 华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室联合资助
【DOI】 cnki:ISSN:1000-6753.0.1999-05-014
二极射频辉光放电获取表面信息的机理与特性研究
【英文篇名】 Investigation on Getting Messages from Surface by Means of RF Diode Glow Discharge
【作者中文名】 唐政清; 丁力;
【作者英文名】 Tang Zhengqing Ding Li （Departement of Electronic Engineering）;
【作者单位】 东南大学电子工程系;
【文献出处】 东南大学学报(自然科学版), Journal of Southeast University(Natural Science Edition), 编辑部邮箱 1989年 02期
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊
【关键词】 质谱; 离子源; 辉光放电; 等离子体探针诊断;
【英文关键词】 mass spectra; ion sources; glow dischange; plasma diagnostics;
【摘要】 本文对射频辉光放电离子源用后电离方式产生中性粒子信号的机理进行了研究。介绍了放电等离子体的探针诊断与引出离子流的能量分析实验。得出了离子能量分布的中心在20～25eV适于用四极质谱分析的结论。
【英文摘要】 This paper studies the mechanism of generating the sputtered neutral signal by using post ionization process in RF glow discharge ion source. The experiment on probe detection of discharge plasma and the energy analysis of extracted ions are diseribed. It is identified that the energy distribution centre is about 20-25 eV and suits the quadrupole mass analysis.
【DOI】 cnki:ISSN:1001-0505.0.1989-02-005
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