半导体物理迅速发展及随晶体管发明使科家早50代设想发明半导体激光器60代早期组竞相进行面研究理论析面莫斯科列别捷夫物理研究所尼古拉·巴索夫工作杰19627月召固体器件研究际议美麻省理工院林肯实验室两名者克耶斯（Keyes）奎斯特（Quist）报告砷化镓材料光发射现象引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）极兴趣家火车写关数据家哈尔立即制定研制半导体激光器计划并与其研究员道经数周奋斗计划获功像晶体二极管半导体激光器材料p-n结特性敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础且外观亦与前者类似半导体激光器称二极管激光器或激光二极管早期激光二极管实际限制例能77K低温微秒脉冲工作8间才由贝尔实验室列宁格勒（现圣彼堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造能室温工作连续器件足够靠半导体激光器则直70代期才现半导体激光器体积非米粒工作波依赖于激光材料般0.6～1.55微米由于种应用需要更短波器件发展据报导Ⅱ～Ⅳ价元素化合物ZnSe工作物质激光器低温已0.46微米输波0.50～0.51微米室温连续器件输功率已达10毫瓦迄今尚未实现商品化光纤通信半导体激光预见重要应用领域面世界范围远距离海底光纤通信另面则各种区网者包括高速计算机网、航空电系统、卫通讯网、高清晰度闭路电视网等目前言激光唱机类器件市场其应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示及各种医疗应用等晶体管利用种称半导体材料特殊性能电流由运电承载普通金属铜电导体电没紧密原核相连容易电荷吸引其物体例橡胶绝缘体 --电良导体--电能自由运半导体名字暗示处于两者间通情况象绝缘体某种条件导电
论文1：Huang,K,Xray Reflexions from Dilute Solid Solutions,Proc Roy Soc （London）,1947，A190：102～117. 2：Huang,K,Quantum Mechanical Calculation of the Heat of Solution and Residual Resistance of Gold in Silver,Proc PhysSoc（London）,1948，60：161～175.3：Huang,K,On the Atomic Theory of Elasticity,ProcPoySoc(London),1950，A203：178～194.4：Huang,Kand ARhys,Theory of Light Absorption and Nonradiative Transitions in Fcentres,ProcPoySoc(London),1950，A204：406～423.5：Huang,K,Lattice Vibrations and Optical Waves in Ionic Crystals,Nature,1951，167：779～781.6：Huang,K,On the Interaction between the Radiation Field and Ionic Crystals,ProcPoySoc（London）,1951，A208：352～365.7：Huang,Kand ARhys,Deviation of Van der Waals Interaction from Additive Relations,Chinese JourPhys,1951，8：208～221.8：Huang,K，The Long Wave Modes of the Cu2O Lattice,ZPhysik,1963，171：213～225.9：Huang,K,Adiabatic Approximation Theory and Static Coupling Theory of Nonradiative Transition,Scientia Sinica,1981，24：27～34.10：黄昆.无辐射跃迁的绝热近似和静态耦合理论[J].中国科学.1980(10)11：黄昆.多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题[J].半导体学报.1980(01)12：黄昆，晶格弛豫和多声子跃迁理论，物理学进展，1981，1(1)：31～85。13：Huang,K,ZGu,Phonon Analysis in Multiphonon Transitions,Communin TheorPhys（Beijing）,1982，1：535～555. 14：黄昆、刘东源，最陡下降法和多声子跃迁的多频模型，物理学报，1985，34：709～714。15：HuangK,Contributions to Multiphonon Transition Theory,Advances in Science of China:Physics,1985，1：1～18.16：汤蕙、黄昆，超晶格中空穴子带的理论，半导体学报，1987，8(1)：1～10。17：Zhu,B，KHuang,Effect of Valence Band Hybridization on the Exciton Spectra in GaAsGa1-xAlxAs Quantum Wells,PhysRev,1987，B36：8102～8108.18：夏建白,黄昆.电场下量子阱的子能带和光跃迁[J].物理学报.1988(01)19：黄昆.超晶格和量子阱研究中的若干问题[J].物理.1988(07)20：HuangK，BZhu,Dielectric Continuum Model and Frohlich Interaction in Superlattices,PhysRev,1988，B38：13377～13386. 21：黄昆.半导体超晶格的晶格振动[J].自然科学进展.1994(05)22：夏建白,黄昆.我国半导体物理研究进展[J].物理.1999(09)著作1：黄昆、谢希德，半导体物理学，科学出版社，1958。 2：黄昆，固体物理学，人民教育出版社，1966。3：黄昆、韩汝琦，半导体物理基础，科学出版社，1979。4：《半导体和它的应用》 黄昆著 北京科学普及出版社 19565：《半导体物理学》黄昆，谢希德著 科学出版社 19586：Born,M，KHuang,Dynamical Theory of Crystal Lattices,Oxford University Press,1954(中译本：M玻恩、黄昆，晶格动力学理论，北京大学出版社，1989。)7：《固体物理学》黄昆著，韩汝琦改编 高等教育出版社 1988 ISBN 7-04-001025-98：《晶格动力学理论》玻恩,黄昆著 葛惟锟,贾惟义译 北京大学出版社 1989 ISBN 7-301-00836-8《半导体物理进展与教学》黄昆著
