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《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》是作者在微波和光通信技术领域多年学习、工作、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要研究内容包括高速光电子器件的工作机理、建模技术和参数提取技术，以及光接收机和发射机集成电路设计技术。
北京大学教授何进博士率领的微电子学研究院纳太器件和电路研究组，在教育部留学回国人员科研启动基金和国家自然科学基金支持下，最近在CMOS集成电路用纳器件模型领域取得重要突破，成果在国际电子电气工程师协会相关领域最权威的学术期刊《电子器件杂志，IEEE Trans. Electron Devices》2007年9 ...
维普中文期刊服务平台，是重庆维普资讯有限公司标准化产品之一，本平台以《中文科技期刊数据库》为数据基础，通过对国内出版发行的15000余种科技期刊、7000万篇期刊全文进行内容组织和引文分析，为高校图书馆、情报所、科研机构及企业用户提供一站式文献服务。
1. TCAD简介1.1. 什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
器件与工艺仿真平台技术服务. 先进逻辑CMOS平台 (14nm至3nm)工艺开发整合支持。. 新逻辑、存储器结构的先导研究，器件性能预估。. 常规工艺器件建模仿真，紧凑模型建模提参，SPICE电路仿真。. 定制化先进物理模型仿真计算解决方案和技术支持。.
半导体器件特性仿真基于准确的载流子输运方程和物理模型，使人们对半导体器件的研究更加准确、高效和方便。第三代半导体材料的出现使半导体器件的设计出现了许多新的结构，这些新型结构器件有许多良好的特性，例如工作频率更高，击穿电压更高等。
摘要 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的 ...
MMC整流器开关器件的损耗及温升建模研究. 适用于环境保护需求，替代船上柴油发电机发电的岸电系统蓬勃发展。. 应用于岸电系统的模块化多电平整流器工作时温升过高会降低其运行可靠性，损耗是反映其温升的重要参数。. 在忽略整流器其他损耗因素情况下 ...
河大学者于国际权威期刊论述忆阻器未来. 近日，河北大学教授闫小兵课题组在国际材料与器件领域知名学术期刊《先进功能材料》上在线发表长篇 ...
近日，我校物理学院副教授安义鹏课题组以我校为第一单位在国际顶尖期刊《Advanced Functional Materials》(IF=15.621)上发表了题为“Multifunctional Lateral Transition-Metal Disulfides Heterojunctions”的研究论文(Full …
《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》是作者在微波和光通信技术领域多年学习、工作、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要研究内容包括高速光电子器件的工作机理、建模技术和参数提取技术，以及光接收机和发射机集成电路设计技术。
北京大学教授何进博士率领的微电子学研究院纳太器件和电路研究组，在教育部留学回国人员科研启动基金和国家自然科学基金支持下，最近在CMOS集成电路用纳器件模型领域取得重要突破，成果在国际电子电气工程师协会相关领域最权威的学术期刊《电子器件杂志，IEEE Trans. Electron Devices》2007年9 ...
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半导体器件特性仿真基于准确的载流子输运方程和物理模型，使人们对半导体器件的研究更加准确、高效和方便。第三代半导体材料的出现使半导体器件的设计出现了许多新的结构，这些新型结构器件有许多良好的特性，例如工作频率更高，击穿电压更高等。
摘要 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的 ...
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