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曲率效应对PN结击穿电压的有效作用. 【摘要】： PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。. 在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面 ...
PN一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 三、PN结的击穿特性 四、PN结的电容效应 五、PN结的温度特性 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型 ...
穿通型pn结二极管的击穿电压-提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法．在大量数值计算基础上，获得了有效 ...
半导体专业实验补充silvaco器件仿真 (毕业论文) 实验2 PN 结二极管特性仿真 1、实验内容 (1)PN 结穿通二极管正向I-V 特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。. (2)结构和参数:PN 结穿通二极管的结构如图 所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μ m ...
栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析. 赵文雫. 【摘要】： 本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式 ...
PN结的形成及其特性_应用物理学专业论文范文,应用物理学专业论文范文 目录摘要iAbstractii第一章绪论11.1研究动机与目的11.2论文内容概述1第二章半导体的基础知识22.1本征半导体22.2杂质半导体22.3半导体中的电流4第三章PN结63.1PN结的形成63 ...
超结的击穿机理与特性分析（论文）. 下载积分： 1500. 内容提示： 第31卷第3期2008年6月电子器件Chi ne∞J ournal ⅨEl ectron D evi cesV01．31J un．2008N o．3Anal …
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栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析. 赵文雫. 【摘要】： 本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式 ...
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