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利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数(注入角度、剂量、能量)对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂量的增大会使器件的DIBL特性改善,阈值电压提高;而Halo注入能量的增加会引起器件的DIBL特性变差,阈值电压有所降低,并且较 ...
历年SCI影响因子 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2.505 3.396 3.398 3.069 3.683 3.808 4.829 5.521 6.432
本期带来环境科学与生态学、农林科学、生物学领域的期刊（注：期刊的数据系人工整理，如有差错，欢迎留言）。中科院升级版将基础版的“生物”调整为“生物学”，环境科学与生态学、农林科学的期刊基本没有变动。另外，我们还列出了各期刊的实时IF-2019。
深亚微米LDD MOSFET器件热载流子效应研究-随着VLSI制造技术向深亚微米方向快速发展,热载流子效应导致了MOSFET电路系统的可靠性问题。本文所研究的LDD MOSFET器件是深亚微米器件可靠性加固的理想结构,能够有效抑制热载流子效应。本论文在...
《LAND DEGRAD DEV》发布于爱科学网，并永久归类相关SCI期刊导航类别中，本站只是硬性分析 "《LAND DEGRAD DEV》" 的杂志可信度。杂志真正的价值在于它是否为社会的发展带来积极促进作用。"《LAND DEGRAD DEV》" 的价值还取决于各种因素的综合
期刊 发现 社区 招聘老师 当前位置： 首页 > 论文投稿 > 农业领域的一区sci有哪些~ 农业领域的一区sci有哪些~ 作者 msh923 来源: 小木虫 500 10 举报帖子 +关注 谢谢 返回小木虫查看更多 分享至： 更多 今日热帖 Sci投稿的时候... SCI，有个图片... 影响因子 ...
超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究-轻掺杂漏(LDD)工艺已经成为亚微米、超深亚微米MOS器件能够有效地抑止热载流子(HC)效应的标准工艺之一，但它同时也带来了在小尺寸器件模型和热载流子退化机理方面与常规结构器件的差异。本文针对...
再去看看期刊贡献，中国人排第一，除了中科院某所第一就是西北某农林科技大学，滋滋滋，厉害哦！ 2 0 2019-08-16 ms1947553951244386 审稿速度:6.0 经验分享：@93楼 这个期刊很难中做好心理准备！ 1 0 2019-08-14 ms9916001427840442
短沟MOS器件GIDL漏电的改善. 随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏 (GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。. 研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。. 通过模拟仿真 ...
近日，水土保持研究所生态水文团队穆兴民研究员等著的《黄土高原水沙变化新格局》由科学出版社出版发行。专著是水保所生态水文团队近 10 余年来黄土高原水土保持与水沙变化研究的新进展和成 …
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历年SCI影响因子 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2.505 3.396 3.398 3.069 3.683 3.808 4.829 5.521 6.432
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期刊 发现 社区 招聘老师 当前位置： 首页 > 论文投稿 > 农业领域的一区sci有哪些~ 农业领域的一区sci有哪些~ 作者 msh923 来源: 小木虫 500 10 举报帖子 +关注 谢谢 返回小木虫查看更多 分享至： 更多 今日热帖 Sci投稿的时候... SCI，有个图片... 影响因子 ...
超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究-轻掺杂漏(LDD)工艺已经成为亚微米、超深亚微米MOS器件能够有效地抑止热载流子(HC)效应的标准工艺之一，但它同时也带来了在小尺寸器件模型和热载流子退化机理方面与常规结构器件的差异。本文针对...
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短沟MOS器件GIDL漏电的改善. 随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏 (GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。. 研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。. 通过模拟仿真 ...
近日，水土保持研究所生态水文团队穆兴民研究员等著的《黄土高原水沙变化新格局》由科学出版社出版发行。专著是水保所生态水文团队近 10 余年来黄土高原水土保持与水沙变化研究的新进展和成 …
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