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2. 申慧;徐家跃;郁金星;武安华;; 光学浮区法生长YFeO_3晶体 [J];无机材料学报;2007年06期. 3. 吴福全,王吉明,封太忠,孔伟金,郝殿中; 磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应 [J];中国激光;2004年11期. 4. 倪代秦，沈德忠; 顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁 …
科学家发现一种新的晶体生长模式——反应导向的取向聚集. 近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员秦晓英课题组与研究员杨勇、曾雉以及中南大学、西安交通大学、中国科学技术大学、广东工业大学、日本东北大学等科研机构研 …
《人工晶体学报》创刊于1972年，月刊，是我国人工合成晶体领域唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目，专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等领域在基础理论、合成与生长、结构与性能表征 ...
光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用. 武安华 申慧 徐家跃 小川贵代 和田智之. 【摘要】： 光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长的新方法,具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点, 十分适合于晶体生长研究．介绍了光学浮区法晶体生长炉的构造 ...
DKDP晶体生长亚稳区的影响因素. 常新安 臧和贵 陈学安 陈丹 杨鹏 涂衡 王金淑 周美玲. 【摘要】： 从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾 [K (D_ (1-x)H_x)_2PO_4,DKDP]晶体生长体系稳定性的主要影响因素,包括氘含量、溶液纯度、饱和温度、晶转 (或搅拌)速度 ...
晶体生长理论基础 (浅显易懂).pdf. SemiconductorMaterials Devices2010.05.11 理工学院 第二章第二章 半导体材料的晶体生长基础 半导体材料的晶体生长基础 2.1 前言 2.2 区熔提纯 2.3 晶体生长的理论基础 2.3.1 晶体生长理论的发展和研究对象 …
分析 结果表明，空间晶体生长界面呈平面状，晶体生长速度为 0.145mm/h，晶体生长区域约为 7.1mm，In 含量 x=0.11 且均匀一致地分布在晶体生长区，得到了空间微重力条件下成分均匀一致的高浓度 In 含量 In x Ga 1-x Sb （ x=0.11 ）三元晶体。
3.3 光学浮区法晶体生长参数的优化 46 3.4 本章小结 46-47 第4章 光学浮区法生长晶体温度场的实验验证 47-63 4.1 工艺参数对TiO_2晶体生长温度场的实验验证 47-51 4.1.1 光源功率对熔区的影响 47-49 4.1.2 光源灯丝几何尺寸对熔区的影响 49-50 4.1.3 …
多孔体坩埚生长氟化钙晶体，沈永宏;闫冬梅;王琦;-光学精密工程2007年第10期杂志 ... 的多孔体坩埚和自行设计的晶体生长炉,在真空条件下,用Bridgman-Stockbarger法生长出了CaF2光学晶体。在真空度低于3×10-3Pa,生长区中心轴温度梯度为1.8~2.5℃/mm, ...
钽酸镁晶体生长及性能研究. 刘文强. 【摘要】： 晶体因为其内部的长程有序性,在科学研究和科技创新有着重要的地位。. 然而自然界中以单晶形式存在的物质少之又少,无法满足现在科研和生产的需求,为了弥补这一不足,对物理本质和科技发展提供更加宽阔的 ...
2. 申慧;徐家跃;郁金星;武安华;; 光学浮区法生长YFeO_3晶体 [J];无机材料学报;2007年06期. 3. 吴福全,王吉明,封太忠,孔伟金,郝殿中; 磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应 [J];中国激光;2004年11期. 4. 倪代秦，沈德忠; 顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁 …
科学家发现一种新的晶体生长模式——反应导向的取向聚集. 近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员秦晓英课题组与研究员杨勇、曾雉以及中南大学、西安交通大学、中国科学技术大学、广东工业大学、日本东北大学等科研机构研 …
《人工晶体学报》创刊于1972年，月刊，是我国人工合成晶体领域唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目，专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等领域在基础理论、合成与生长、结构与性能表征 ...
光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用. 武安华 申慧 徐家跃 小川贵代 和田智之. 【摘要】： 光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长的新方法,具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点, 十分适合于晶体生长研究．介绍了光学浮区法晶体生长炉的构造 ...
DKDP晶体生长亚稳区的影响因素. 常新安 臧和贵 陈学安 陈丹 杨鹏 涂衡 王金淑 周美玲. 【摘要】： 从热力学和动力学角度研究与分析了磷酸二氘钾 [K (D_ (1-x)H_x)_2PO_4,DKDP]晶体生长体系稳定性的主要影响因素,包括氘含量、溶液纯度、饱和温度、晶转 (或搅拌)速度 ...
晶体生长理论基础 (浅显易懂).pdf. SemiconductorMaterials Devices2010.05.11 理工学院 第二章第二章 半导体材料的晶体生长基础 半导体材料的晶体生长基础 2.1 前言 2.2 区熔提纯 2.3 晶体生长的理论基础 2.3.1 晶体生长理论的发展和研究对象 …
分析 结果表明，空间晶体生长界面呈平面状，晶体生长速度为 0.145mm/h，晶体生长区域约为 7.1mm，In 含量 x=0.11 且均匀一致地分布在晶体生长区，得到了空间微重力条件下成分均匀一致的高浓度 In 含量 In x Ga 1-x Sb （ x=0.11 ）三元晶体。
3.3 光学浮区法晶体生长参数的优化 46 3.4 本章小结 46-47 第4章 光学浮区法生长晶体温度场的实验验证 47-63 4.1 工艺参数对TiO_2晶体生长温度场的实验验证 47-51 4.1.1 光源功率对熔区的影响 47-49 4.1.2 光源灯丝几何尺寸对熔区的影响 49-50 4.1.3 …
多孔体坩埚生长氟化钙晶体，沈永宏;闫冬梅;王琦;-光学精密工程2007年第10期杂志 ... 的多孔体坩埚和自行设计的晶体生长炉,在真空条件下,用Bridgman-Stockbarger法生长出了CaF2光学晶体。在真空度低于3×10-3Pa,生长区中心轴温度梯度为1.8~2.5℃/mm, ...
钽酸镁晶体生长及性能研究. 刘文强. 【摘要】： 晶体因为其内部的长程有序性,在科学研究和科技创新有着重要的地位。. 然而自然界中以单晶形式存在的物质少之又少,无法满足现在科研和生产的需求,为了弥补这一不足,对物理本质和科技发展提供更加宽阔的 ...
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