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引用该论文 Liu Bin,Liu Yuanyuan,Cui Bifeng. Long-Term Aging and Failure Analysis for 980 nm Laser Diodes[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2012, 49(9): 091404 …
13年+ 从事半导体失效分析(生产线前端、后端和封装应用)的经验。 进行了5年超短激光脉冲处理应用研究，拥有 3项 专利并发表了52篇论文。 在本次研讨会上，将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。
【原创】一起去上海参加 电子失效研讨会 ？？？？？？？？？,“集成电路失效分析与可靠性案例”技术研讨会邀请函 在IPFA2009（集成电路物理与失效分析国际会议，简称IPFA）即将在苏州举行之际，IPFA2009苏州组委会特举办此次“集成电路失效分析与可,
半导体失效分析流程方法总结，免费查看详细内容。 1.OM 显微镜观测，外观分析 2.C-SAM（超声波扫描显微镜） （1）材料内部的晶格结构，杂质颗粒，夹杂物，沉淀物，
第一作者发表SCI论文10篇，IF均>2,中文核心期刊70余篇、授权国家专利80余件，研究或省部级科技进步奖2项，地厅级科技进步奖10项。 《EDS及EBSD在半导体失效分析中的应用进展》
多年来还从事大型半导体工艺平台建设、管理与运行工作。国家重点研发计划项目负责人，主持和参与了多项科技部、基金委、中科院等重要科研项目。发表和合作发表论文百余篇，多个SCI期刊活跃审稿人，出书2本（Springer出版），培养多名博士、硕士。
引用该论文 Liu Bin,Liu Yuanyuan,Cui Bifeng. Long-Term Aging and Failure Analysis for 980 nm Laser Diodes[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2012, 49(9): 091404 …
13年+ 从事半导体失效分析(生产线前端、后端和封装应用)的经验。 进行了5年超短激光脉冲处理应用研究，拥有 3项 专利并发表了52篇论文。 在本次研讨会上，将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。
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第一作者发表SCI论文10篇，IF均>2,中文核心期刊70余篇、授权国家专利80余件，研究或省部级科技进步奖2项，地厅级科技进步奖10项。 《EDS及EBSD在半导体失效分析中的应用进展》
多年来还从事大型半导体工艺平台建设、管理与运行工作。国家重点研发计划项目负责人，主持和参与了多项科技部、基金委、中科院等重要科研项目。发表和合作发表论文百余篇，多个SCI期刊活跃审稿人，出书2本（Springer出版），培养多名博士、硕士。
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