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半导体行业的真空镀膜. 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。. 一、洁净室. 一般的机械加工是不需要洁净室 ...
本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。. 《半导体学报》发表中、英文稿件。. 《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程 ...
本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物,发表中、英文稿件。
Cd2SnO4等四种半导体薄膜制备及性能研究. 摘 要： …
Chem. Mater.┃表面蚀刻提高聚合物晶体管的环境稳定性. 英文原题： Surface Etching of Polymeric Semiconductor Films Improves Environmental Stability of Transistors. 作 …
上海高等研究院在钙钛矿半导体薄膜研究方面取得系列进展. 近年来，钙钛矿半导体材料的发展对光转换应用的进展产生了明显的积极影响，目前已在场发射晶体管、太阳能电池、光通讯、 X 射线探测、激光器等领域崭露头角。. 其中，钙钛矿太阳能电池以其更加 ...
该期刊是工程与计算大学科、材料与化学大领域的顶尖期刊，在国际材料领域科研界上享誉盛名，影响因子18.96。 图一：器件结构、材料结构与载流子迁移率之间关系和PNBS自支撑薄膜展示 图二：被选中的期刊内封底（Inside Back Cover）亮点
半导体薄膜材料制备-在衬底材料上生长半导体薄膜,是半导体材料制备的重要方法。所用的衬底可以是半导体材料,也可以是非半导体材料;衬底与薄膜可以是单晶、多晶或非晶材料。根据衬底与薄膜材料的晶体结构,薄膜 …
本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？
在InGaN基半导体结构表征、太阳能电池器件物理和薄膜外延生长方面开展了具有特色并受到国际同行关注的研究工作。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在物理类综合期刊Rep. Prog.
半导体行业的真空镀膜. 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。. 一、洁净室. 一般的机械加工是不需要洁净室 ...
本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。. 《半导体学报》发表中、英文稿件。. 《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程 ...
本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物,发表中、英文稿件。
Cd2SnO4等四种半导体薄膜制备及性能研究. 摘 要： …
Chem. Mater.┃表面蚀刻提高聚合物晶体管的环境稳定性. 英文原题： Surface Etching of Polymeric Semiconductor Films Improves Environmental Stability of Transistors. 作 …
上海高等研究院在钙钛矿半导体薄膜研究方面取得系列进展. 近年来，钙钛矿半导体材料的发展对光转换应用的进展产生了明显的积极影响，目前已在场发射晶体管、太阳能电池、光通讯、 X 射线探测、激光器等领域崭露头角。. 其中，钙钛矿太阳能电池以其更加 ...
该期刊是工程与计算大学科、材料与化学大领域的顶尖期刊，在国际材料领域科研界上享誉盛名，影响因子18.96。 图一：器件结构、材料结构与载流子迁移率之间关系和PNBS自支撑薄膜展示 图二：被选中的期刊内封底（Inside Back Cover）亮点
半导体薄膜材料制备-在衬底材料上生长半导体薄膜,是半导体材料制备的重要方法。所用的衬底可以是半导体材料,也可以是非半导体材料;衬底与薄膜可以是单晶、多晶或非晶材料。根据衬底与薄膜材料的晶体结构,薄膜 …
本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？
在InGaN基半导体结构表征、太阳能电池器件物理和薄膜外延生长方面开展了具有特色并受到国际同行关注的研究工作。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在物理类综合期刊Rep. Prog.
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