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IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。. 非常适合应用于直流电压 为600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。. 1.2系统的结构与方案的设计 1.2.1 单片机的选择 采用传统的AT89C51 作为电机的控制核心 ...
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机 ...
深度剖析：IGBT的结构与工作原理. 图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。. N+区称为漏区。. 器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。. 沟道在紧靠栅区边界形成。. 在漏、源之间的 P型区（包括 P+ 和 P ...
说起评估心力衰竭的最重要实验室检查指标，莫不想到BNP和NT-proBNP。然而，对于BNP和NT-proBNP，我们常存有一些误解，不知道您中枪了吗？
D40CBCENPN 对讲机用 40V0.5A40W75MH B688BCEPNP音频功放开关120V8A80WD718 BBPNP通用60V1A1WD774 BPNP视放180V1.5A20WD669 DNPN视频放大180V1.5A20W140MHZB649 BPNP达林顿功放70V4A40W BPNP达林顿 ...
CYPRESS CY7C68013A（FX2LP系列）开发手记——Cypress KB集锦 (2) (. 可以的。. ezusb.sys可以用于EZ-USB和EZ-USB FX。. 但是，我们建议对FX2和FX2LP芯片使用最新的驱动程序CyUSB.sys。. 下载并安装 SuiteUSB SDK 3.4.2 …
IGBT的结构如下图所示，一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，有两个N+区，其中一个N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。另一个N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧
期刊 文献 诊疗知识库 e信使 e讲堂 e调研 会议 医生工具 互助区 登录 注册 检验科 精华 我的圈子 【资源】BNP脑钠肽的临床意义 lovebio 关注 站内信 2 楼 BNP（B型尿钠肽）是由心肌细胞合成的具有生物学活性的天然激素，主要在心室表达，同时也 ...
2017, 25 (6):459-465. DOI: 10.11943/j.issn.1006-9941.2017.06.003. 摘要: 针对爆炸成型弹丸 (EFP)战斗部在水下弹药的应用问题, 利用LS-DYNA有限元软件, 仿真研究了EFP在水中的速度衰减与质量损失规律及对不同距离的间隔靶侵彻规律 …
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深度剖析：IGBT的结构与工作原理. 图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。. N+区称为漏区。. 器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。. 沟道在紧靠栅区边界形成。. 在漏、源之间的 P型区（包括 P+ 和 P ...
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IGBT的结构如下图所示，一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，有两个N+区，其中一个N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。另一个N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧
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2017, 25 (6):459-465. DOI: 10.11943/j.issn.1006-9941.2017.06.003. 摘要: 针对爆炸成型弹丸 (EFP)战斗部在水下弹药的应用问题, 利用LS-DYNA有限元软件, 仿真研究了EFP在水中的速度衰减与质量损失规律及对不同距离的间隔靶侵彻规律 …
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