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摘要：氧化剂作为抛光液的组成成分；在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用；本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响；采用原子力显微镜和CHI600E电化学工作站；分别测量了材料的表面粗糙度和腐蚀电位；结果表明；去除速率与氧化剂 ...
铜的化学机械抛光已经成为现代集成电路制造行业中发展最为迅速的工艺,在集成电路芯片制造的过程中它可以满足各种不同薄膜的平坦化要求。尽管铜化学机械抛光工艺的发展非常迅猛,但是相对来说它的理论基础研究还并不完善,尤其是硅片抛光液和抛光垫之间的相互作用关系,新的化学机械抛光 ...
抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究，王同庆;韩桂全;赵德文;何永勇;路新春;-摩擦学学报2013年第04期杂志在线阅读、文章下载。 抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究-《摩擦学学报》2013年04期-中国知网
基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理. 王永光 赵永武. 【摘要】： Katsuki采用原子力显微镜 (AFM)模拟单个磨粒与芯片的划痕作用,文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光 (CMP)中实际载荷情况下的划痕深度数量级为10-11m;Nishizawa应用椭圆偏振光 ...
化学机械抛光液的发展现状与研究方向. 摘要 简述了化学机械抛光液的主要成分及其作用;综述了近年来国内外化学机械抛光液的发展现状,主要介绍了二氧化硅胶体抛光液、二氧化铈抛光液、氧化铝抛光液、纳米金刚石抛光液。. 最后指出,化学机械抛光液未来应 ...
化学机械抛光技术研究现状与展望[J].山东建筑大学学报,2009(2):168-174. 被引量：9 2 储向峰,汤丽娟,董永平,乔红斌,朱小华.锇在醋酸体系抛光液中化学机械抛光研究[J].金刚石与磨料磨具工程 3
化学机械抛光中机械作用去除机理的研究. 于慧. 【摘要】： 在计算机硬盘技术中,为了满足磁头磁盘的表面粗糙度及波纹度的要求,将化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing,CMP)作为硬盘盘片表面最终精加工手段。. CMP是一个复杂的化学机械过程,主要作用为磨粒的 ...
郭东明,guodongming,大连理工大学主页平台管理系统, 集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究郭东明,Dongming Guo 教授 博士生导师 硕士生导师 主要任职：校长、党委副书记 党的十九届中央委员会候补委员
钛合金及镍基合金化学机械抛光研究. 史智丰. 【摘要】： 钛合金和镍基合金是非常重要的工程合金材料,具有非常优异的高温机械性能、高温抗氧化和耐酸碱腐蚀等性能,在航空航天、石油化工、军事装备和微电子机械系统 (MEMS)等多个工业领域有广泛的应用 ...
摘要： 化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能.将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒
摘要：氧化剂作为抛光液的组成成分；在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用；本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响；采用原子力显微镜和CHI600E电化学工作站；分别测量了材料的表面粗糙度和腐蚀电位；结果表明；去除速率与氧化剂 ...
铜的化学机械抛光已经成为现代集成电路制造行业中发展最为迅速的工艺,在集成电路芯片制造的过程中它可以满足各种不同薄膜的平坦化要求。尽管铜化学机械抛光工艺的发展非常迅猛,但是相对来说它的理论基础研究还并不完善,尤其是硅片抛光液和抛光垫之间的相互作用关系,新的化学机械抛光 ...
抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究，王同庆;韩桂全;赵德文;何永勇;路新春;-摩擦学学报2013年第04期杂志在线阅读、文章下载。 抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究-《摩擦学学报》2013年04期-中国知网
基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理. 王永光 赵永武. 【摘要】： Katsuki采用原子力显微镜 (AFM)模拟单个磨粒与芯片的划痕作用,文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光 (CMP)中实际载荷情况下的划痕深度数量级为10-11m;Nishizawa应用椭圆偏振光 ...
化学机械抛光液的发展现状与研究方向. 摘要 简述了化学机械抛光液的主要成分及其作用;综述了近年来国内外化学机械抛光液的发展现状,主要介绍了二氧化硅胶体抛光液、二氧化铈抛光液、氧化铝抛光液、纳米金刚石抛光液。. 最后指出,化学机械抛光液未来应 ...
化学机械抛光技术研究现状与展望[J].山东建筑大学学报,2009(2):168-174. 被引量：9 2 储向峰,汤丽娟,董永平,乔红斌,朱小华.锇在醋酸体系抛光液中化学机械抛光研究[J].金刚石与磨料磨具工程 3
化学机械抛光中机械作用去除机理的研究. 于慧. 【摘要】： 在计算机硬盘技术中,为了满足磁头磁盘的表面粗糙度及波纹度的要求,将化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing,CMP)作为硬盘盘片表面最终精加工手段。. CMP是一个复杂的化学机械过程,主要作用为磨粒的 ...
郭东明,guodongming,大连理工大学主页平台管理系统, 集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究郭东明,Dongming Guo 教授 博士生导师 硕士生导师 主要任职：校长、党委副书记 党的十九届中央委员会候补委员
钛合金及镍基合金化学机械抛光研究. 史智丰. 【摘要】： 钛合金和镍基合金是非常重要的工程合金材料,具有非常优异的高温机械性能、高温抗氧化和耐酸碱腐蚀等性能,在航空航天、石油化工、军事装备和微电子机械系统 (MEMS)等多个工业领域有广泛的应用 ...
摘要： 化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能.将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒
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