固体电子学研究与进展杂志2001年第03期,固体电子学研究与进展杂志(期刊)电子版。提供固体电子学研究与进展2001年第03期杂志电子版订阅、杂志在线阅读、固体电子学研究与进展杂志文章阅读、文章下载 …
固体电子学研究与进展杂志 2020第05期. 2021年《固体电子学研究与进展》征订通知. 2021-03-29. 22nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究. 2021-03-29. 重离子辐照对GaNHEMT器件的影响. 2021-03-29. 异质结界面结构在石墨烯负阻器件中的作用. 2021-03-29.
固体电子学研究与进展杂志社由中国电子科技集团公司主管,由南京电子器件研究所主办,是北大核心期刊,CSCD核心期刊,统计源期刊,综合影响因子:0.174,复合影响因子:0.259。《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年,由南京电子器件研究所主办。
光电子学 热注入法制备的钕掺杂蓝光钙钛矿量子点 王新军;杨勇;胡鹏;王向华; 2021年04期 v.41 274-278+312页 [查看摘要] [在线阅读][下载 1210K] [下载次数:26] |[网刊下载次数:0] |[引用频次:0] |[阅读次数:1] Ge基钙钛矿太阳能电池的数值模拟研究
重要说明:公务员期刊网持有《出版物经营许可证》和《增值电信业务经营许可证》,依法从事国内所有合法期刊订阅及增值电信业务中的信息服务业务(互联网信息服务),本站不是固体电子学研究与进展杂志官网,直投稿件的朋友建议直接联系杂志社编辑部!
《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊),向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换 ...
《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年,由南京电子器件研究所主办。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光 ...
固体电子学研究与进展杂志 该期刊是南京电子设备研究所主办的全国性学术期刊,在国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理学和微电子学领域的创新性学术研究。 出版的主要内容有:无机和有机固体物理学、硅微电子学、射频器件和 ...
固体电子学研究与进展, 2004, 24(3): 275-280. [2] Wang Sanwu , Dhar S , Wang Shurui, et al. Bonding at the SiC-SiO2 Interface and Effects of Nitrogen and Hydrogen[J]. Physics Review Letters, 2007, 98 …
固体电子学研究与进展杂志2001年第03期,固体电子学研究与进展杂志(期刊)电子版。提供固体电子学研究与进展2001年第03期杂志电子版订阅、杂志在线阅读、固体电子学研究与进展杂志文章阅读、文章下载 …
固体电子学研究与进展杂志 2020第05期. 2021年《固体电子学研究与进展》征订通知. 2021-03-29. 22nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究. 2021-03-29. 重离子辐照对GaNHEMT器件的影响. 2021-03-29. 异质结界面结构在石墨烯负阻器件中的作用. 2021-03-29.
固体电子学研究与进展杂志社由中国电子科技集团公司主管,由南京电子器件研究所主办,是北大核心期刊,CSCD核心期刊,统计源期刊,综合影响因子:0.174,复合影响因子:0.259。《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年,由南京电子器件研究所主办。
光电子学 热注入法制备的钕掺杂蓝光钙钛矿量子点 王新军;杨勇;胡鹏;王向华; 2021年04期 v.41 274-278+312页 [查看摘要] [在线阅读][下载 1210K] [下载次数:26] |[网刊下载次数:0] |[引用频次:0] |[阅读次数:1] Ge基钙钛矿太阳能电池的数值模拟研究
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《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年,由南京电子器件研究所主办。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为:无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光 ...
固体电子学研究与进展杂志 该期刊是南京电子设备研究所主办的全国性学术期刊,在国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理学和微电子学领域的创新性学术研究。 出版的主要内容有:无机和有机固体物理学、硅微电子学、射频器件和 ...
固体电子学研究与进展, 2004, 24(3): 275-280. [2] Wang Sanwu , Dhar S , Wang Shurui, et al. Bonding at the SiC-SiO2 Interface and Effects of Nitrogen and Hydrogen[J]. Physics Review Letters, 2007, 98 …