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苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展. 氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。. 与第一代半导体硅 基的器件相比 ， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用 ...
采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 （共4页)
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，多次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技术委员会（TPC）成员（全球功率半导体最高级别专…
展望2021之镓族科技：国产氧化镓功率器件相继问世 材料来源：化合物半导体杂志 主编 前言 2020年，我们共同经历了新冠肺炎疫情全球大流行，近200万人悄然离去，尊重生命，尊重科学，团结抗疫成国际共识，武汉封城、长江洪水肆虐、澳洲丛林大火 ...
维普期中文期刊服务平台，由维普资讯有限公司出品，通过对国内出版发行的14000余种科技期刊、5600万篇期刊全文进行内容分析和引文分析，为专业用户提供一站式文献服务：全文保障，文献引证关系，文献计量分析；并以期刊产品为主线、其它衍生产品或服务做补充，方便专业用户、机构用户在 ...
GaN功率开关器件研究现状 认领. GaN功率开关器件研究现状. 摘要 第三代半导体材料氮化镓 (GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。. 概述了GaN功率 ...
苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展 稿件来源：苏州纳米技术与纳米仿生研究所 责任编辑：ICAC 发布时间：2020-10-09 氮化镓（G aN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的 …
高功率微波射频器件的未来——金刚石基GaN功率器件与散热方案. 近十年来，氮化镓 (GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡. GaN具有禁带宽度大 (室温下为3.39eV)､击穿电场强度高 (3.3MV/cm)､饱和电子速度大 (2.5×10 7 cm/s)､热导率高 (1.5W·cm -1 ·K -1 )、抗辐射能力强 …
华北电力大学的研究人员对SiC MOSFET在不同导通模式下进行了功率循环试验，探究和对比了其在不同老化试验方法下的失效机理和失效表征参数的变化规律。. 图1 试验装置实物. 首先，基于器件在不同导通模式下的特性分析，重点对比正 …
中山大学王凯教授课题组在非晶氧化物半导体功率器件领域取得突破. 近日，中山大学电子与信息工程学院王凯教授课题组在非晶氧化物半导体（AOS）功率器件领域取得突破，成功研制出可用于片上三维功率集成的AOS高压异质结二极管。. 该成果以“Low-Temperature ...
苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展. 氮化镓（ GaN ）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。. 与第一代半导体硅 基的器件相比 ， GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用 ...
采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 （共4页)
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展望2021之镓族科技：国产氧化镓功率器件相继问世 材料来源：化合物半导体杂志 主编 前言 2020年，我们共同经历了新冠肺炎疫情全球大流行，近200万人悄然离去，尊重生命，尊重科学，团结抗疫成国际共识，武汉封城、长江洪水肆虐、澳洲丛林大火 ...
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GaN功率开关器件研究现状 认领. GaN功率开关器件研究现状. 摘要 第三代半导体材料氮化镓 (GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。. 概述了GaN功率 ...
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中山大学王凯教授课题组在非晶氧化物半导体功率器件领域取得突破. 近日，中山大学电子与信息工程学院王凯教授课题组在非晶氧化物半导体（AOS）功率器件领域取得突破，成功研制出可用于片上三维功率集成的AOS高压异质结二极管。. 该成果以“Low-Temperature ...
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