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对高压大功率驱动中的高压元件进行故障诊断-《测控技术》杂志-ASI Robicon公司是领先的高功率固态变频驱动制造商，支持高达20000HP的控制工业交流电机，输入电压高达13,800V。本案例将详细介绍ASI公司的现场工程师在其30多年职业生涯中开发 ...
功率器件的可靠性直接决定了功率集成电路的工作寿命。因此,本论文对功率器件的可靠性问题也进行了重点研究,研究成果对完善高压功率器件的可靠性评估体系,具有实际意义。
功率器件高温高湿高压反偏测试研究综述，王延浩;邓二平;黄永章;-中国电力2020年第12期杂志 在线阅读、文章下载。 全部分类 期刊 文学 艺术 科普 ...
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。
【摘要】：针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改 …
【分 类】 【交通运输】 > 公路运输 > 汽车工程 > 各种汽车 > 各种能源汽车 > 电动汽车 【关键词】 纯电动汽车 高压配电盒 高压电器件 【出 处】 《中国科技期刊数据库 科研》2016年 第09月 06 127-128页 共2页 【收 录】 中文科技期刊数据库
电子元件与材料 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS 主 办： 国营第715厂 中国电子学会 中国电子元件行业协会 刊 期：月刊 出版地：成都市 语 种：中文 开 本：大16开 刊 号： ISSN 1001－2028 CN 51－1241/TN 邮发代号：62—36 本刊被
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS, DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理，发现衬底电流第 ...
期刊 全文库 学位论文库 会议论文库 年鉴全文库 学术百科 工具书 学术不端检测 ... 材料更高的击穿场强,更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC高压器件比Si的同类器件具有阻断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高、高温性能好及抗辐照能力 ...
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊 [导读] 摘要：随着我国经济的不断发展和电子信息技术的普及，电力电子技术受到了社会各界的广泛关注，功率集成与电力半导体器件的完美结合，形成了有鲜明时代特征的电力电子技术，本文分析了功率半导体器件和功率集成技术 ...
对高压大功率驱动中的高压元件进行故障诊断-《测控技术》杂志-ASI Robicon公司是领先的高功率固态变频驱动制造商，支持高达20000HP的控制工业交流电机，输入电压高达13,800V。本案例将详细介绍ASI公司的现场工程师在其30多年职业生涯中开发 ...
功率器件的可靠性直接决定了功率集成电路的工作寿命。因此,本论文对功率器件的可靠性问题也进行了重点研究,研究成果对完善高压功率器件的可靠性评估体系,具有实际意义。
功率器件高温高湿高压反偏测试研究综述，王延浩;邓二平;黄永章;-中国电力2020年第12期杂志 在线阅读、文章下载。 全部分类 期刊 文学 艺术 科普 ...
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。
【摘要】：针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改 …
【分 类】 【交通运输】 > 公路运输 > 汽车工程 > 各种汽车 > 各种能源汽车 > 电动汽车 【关键词】 纯电动汽车 高压配电盒 高压电器件 【出 处】 《中国科技期刊数据库 科研》2016年 第09月 06 127-128页 共2页 【收 录】 中文科技期刊数据库
电子元件与材料 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS 主 办： 国营第715厂 中国电子学会 中国电子元件行业协会 刊 期：月刊 出版地：成都市 语 种：中文 开 本：大16开 刊 号： ISSN 1001－2028 CN 51－1241/TN 邮发代号：62—36 本刊被
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS, DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理，发现衬底电流第 ...
期刊 全文库 学位论文库 会议论文库 年鉴全文库 学术百科 工具书 学术不端检测 ... 材料更高的击穿场强,更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC高压器件比Si的同类器件具有阻断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高、高温性能好及抗辐照能力 ...
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊 [导读] 摘要：随着我国经济的不断发展和电子信息技术的普及，电力电子技术受到了社会各界的广泛关注，功率集成与电力半导体器件的完美结合，形成了有鲜明时代特征的电力电子技术，本文分析了功率半导体器件和功率集成技术 ...
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