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《高压电器》是兼有“学术性期刊 ”、“技术性期刊”和“普及性期刊”的特征，又以技术性为主的国内知名专业刊物。《高压电器》既刊登高压电器及其相关专业为数不多的具有较高水平的文章，以反映专业水平；也刊登大量的应用已有理论 ...
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区 ...
高压SOI LDMOS器件结构设计与模拟研究-SOI LDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体器件。SOI结构具有高速,低功耗,高集成度,抗辐照,易于隔离等优点,并且可以克服体硅材料的缺点,被广泛的应用在高压集成电路和 …
Double RESURF LDMOS及电源管理电路BCD工艺研究,高压LDMOS;RESURF 技术;BCD 工艺;击穿电压;导通电阻,RESURF(REduced SURface Field)技术是设计横向功率器件的关键技术之一。Double RESURF 技术在提高器件反向耐压的情况下,可使器件...
建立了Double-RESURF结构高压LDMOS器件的MOS+VCR(Voltage Control Re-sistance)电路模型。通过分析Double-RESURF LDMOS器件的结构与输入输出特性,得到漂移区电阻的解析式;借助泰勒展式,得到VCR的高阶压控模型,从而建立LDMOS器件的SPICE模型。
高压PSOI-LDMOS的机理研究. 刘华振. 【摘要】： 随着现代社会的技术发展以及微电子行业的迅速发展,电子产品的更新换代速度也越来越快,半导体产业也面临着向更高水平发展的问题,同时半导体器件在各个行业的应用愈加广泛。. 其中横向双扩散金属氧化物半导体 ...
高压LDMOS器件终端技术的研究与设计. 于亮亮. 【摘要】： 随着电子产品的不断丰富,作为功率集成器件的重要组成部分——LDMOS器件也迅猛发展,其主要应用在汽车电子,LED照明驱动,开关电源等等方面。. 在大电流应用情况下,LDMOS的版图结构一般采用叉指状来获得 ...
来源：内容由公众号 半导体行业观察（ID：icbank）翻译自「Microwaves & RF」，原作者 Chris DeMartino，谢谢。 在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正在变得日益盛行。 GaN器件分为射频器件和电力 …
实验获得的抗辐射高压SOI LDMOS器件在关态偏置条件下具有500krad（Si）的抗辐照水平。受会议程序委员会主席Tibor Grasser邀请，该论文的扩展版本将发表在电子器件领域权威期刊IEEE Transaction on Electron Devices的Special issue上。
高压LDMOS场极板的分析与设计. 刘磊 高珊 陈军宁 柯导明 刘琦 周蚌艳. 【摘要】： 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板 ...
《高压电器》是兼有“学术性期刊 ”、“技术性期刊”和“普及性期刊”的特征，又以技术性为主的国内知名专业刊物。《高压电器》既刊登高压电器及其相关专业为数不多的具有较高水平的文章，以反映专业水平；也刊登大量的应用已有理论 ...
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区 ...
高压SOI LDMOS器件结构设计与模拟研究-SOI LDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体器件。SOI结构具有高速,低功耗,高集成度,抗辐照,易于隔离等优点,并且可以克服体硅材料的缺点,被广泛的应用在高压集成电路和 …
Double RESURF LDMOS及电源管理电路BCD工艺研究,高压LDMOS;RESURF 技术;BCD 工艺;击穿电压;导通电阻,RESURF(REduced SURface Field)技术是设计横向功率器件的关键技术之一。Double RESURF 技术在提高器件反向耐压的情况下,可使器件...
建立了Double-RESURF结构高压LDMOS器件的MOS+VCR(Voltage Control Re-sistance)电路模型。通过分析Double-RESURF LDMOS器件的结构与输入输出特性,得到漂移区电阻的解析式;借助泰勒展式,得到VCR的高阶压控模型,从而建立LDMOS器件的SPICE模型。
高压PSOI-LDMOS的机理研究. 刘华振. 【摘要】： 随着现代社会的技术发展以及微电子行业的迅速发展,电子产品的更新换代速度也越来越快,半导体产业也面临着向更高水平发展的问题,同时半导体器件在各个行业的应用愈加广泛。. 其中横向双扩散金属氧化物半导体 ...
高压LDMOS器件终端技术的研究与设计. 于亮亮. 【摘要】： 随着电子产品的不断丰富,作为功率集成器件的重要组成部分——LDMOS器件也迅猛发展,其主要应用在汽车电子,LED照明驱动,开关电源等等方面。. 在大电流应用情况下,LDMOS的版图结构一般采用叉指状来获得 ...
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实验获得的抗辐射高压SOI LDMOS器件在关态偏置条件下具有500krad（Si）的抗辐照水平。受会议程序委员会主席Tibor Grasser邀请，该论文的扩展版本将发表在电子器件领域权威期刊IEEE Transaction on Electron Devices的Special issue上。
高压LDMOS场极板的分析与设计. 刘磊 高珊 陈军宁 柯导明 刘琦 周蚌艳. 【摘要】： 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板 ...
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