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磁控溅射制备氮化铜薄膜及其掺杂研究,氮化铜薄膜,反应磁控溅射,氮气流量,Ni掺杂,晶体结构。Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等 …
与其它技术相比,磁控溅射法最大的优势是它的沉积速率快,具有诱人的成膜效率和经济效益,该技术有望大幅降低太阳电池成本。. 本文在玻璃衬底上沉积硅薄膜,研究溅射工艺参数对薄膜的光学性能和结构组分的影响。. 本论文的主要研究内容和结论可总结如下: 1 ...
磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究，宋瑞良，刘玮，磁控溅射掺铝氧化锌（AZO）透明导电膜是大面积太阳能薄膜电池工业化生产的重要工艺手段。实验发现，在不同的Ar气进气方式的溅射过
影响磁控溅射均匀性的因素. 王军生 童洪辉 赵嘉学 韩大凯 戴彬. 【摘要】： 用中频孪生靶磁控溅射实验平台,对影响磁控溅射生成的薄膜厚度均匀性的因素进行了实验。. 结果表明,磁场的均匀性和工作气体的均匀性是影响成膜均匀性的主要因素。. 针对实验结果 ...
制备ZnO薄膜的方法有很多,其中磁控溅射法制备的薄膜具有膜厚均匀,附着力强,生长速率可控等优点。. 本文主要利用磁控溅射法在Mo缓冲层上制备出了ZnO薄膜,并对制备出的薄膜进行了测试,分析了其结构、表面形貌和发光性能,同时还分析了薄膜生长过程中不同参数 ...
Ti表面磁控溅射Nb膜的研究. 姚为 吴爱萍 邹贵生 任家烈. 【摘要】： Ti 表面磁控溅射 Nb 膜作为 Ti 与其他金属连接的合金层或过渡层有着重要的研究意义和实用价值。. 本文研究了基体温度、薄膜厚度、真空退火对 Nb 膜附着性和组织结构的影响,应用扫描电镜观察 ...
射频溅射时，采用高频射频电源（13.56MHz），分别将靶材和真空室的其他 部分耦合在电源的两极，衬底处于靶材对应的位置，与靶材间距为5cm， 射频磁控溅射时放电的过程（工作气体为Ar 1）无光放电打开射频电源及电流显示器，即会有十毫安以下以下的电流 ...
华中科技大学博士学位论文 磁控溅射制备氮化铜薄膜研究 姓名：李兴鳌 申请学位级别：博士 专业：材料物理与化学 指导教师：刘祖黎 20070126 本文全面系统的研究了沉积条件对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的结构和性能的影响，以及金属铝、铁、镧掺杂对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的结构和性能 ...
磁控溅射法制备Cu膜论文.doc,. word版本. 磁控溅射法制备Cu膜 摘 要 沉积速率高、基材温升低的磁控溅射工艺，已经成为半导体集成电路金属化工艺的主流。本文重点对在硅晶圆上溅射金属铜薄膜的实际镀膜过程中的淀积速率进行了理论和实验研究。
中国期刊网,期刊,杂志,读者服务,电子杂志,论文,文库,期刊网,电子刊 [导读] 摘要：本文基于磁控溅射的磁场分布水平和磁场强度在镀膜性能与质量上影响与价值分析，结合磁控靶材的结构及其磁场的计算方法和步骤的探讨，以及利用ANSYS软件对磁控溅射靶磁场的分布及其相关参数作二维的模拟与分析 ...
磁控溅射制备氮化铜薄膜及其掺杂研究,氮化铜薄膜,反应磁控溅射,氮气流量,Ni掺杂,晶体结构。Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等 …
与其它技术相比,磁控溅射法最大的优势是它的沉积速率快,具有诱人的成膜效率和经济效益,该技术有望大幅降低太阳电池成本。. 本文在玻璃衬底上沉积硅薄膜,研究溅射工艺参数对薄膜的光学性能和结构组分的影响。. 本论文的主要研究内容和结论可总结如下: 1 ...
磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究，宋瑞良，刘玮，磁控溅射掺铝氧化锌（AZO）透明导电膜是大面积太阳能薄膜电池工业化生产的重要工艺手段。实验发现，在不同的Ar气进气方式的溅射过
影响磁控溅射均匀性的因素. 王军生 童洪辉 赵嘉学 韩大凯 戴彬. 【摘要】： 用中频孪生靶磁控溅射实验平台,对影响磁控溅射生成的薄膜厚度均匀性的因素进行了实验。. 结果表明,磁场的均匀性和工作气体的均匀性是影响成膜均匀性的主要因素。. 针对实验结果 ...
制备ZnO薄膜的方法有很多,其中磁控溅射法制备的薄膜具有膜厚均匀,附着力强,生长速率可控等优点。. 本文主要利用磁控溅射法在Mo缓冲层上制备出了ZnO薄膜,并对制备出的薄膜进行了测试,分析了其结构、表面形貌和发光性能,同时还分析了薄膜生长过程中不同参数 ...
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射频溅射时，采用高频射频电源（13.56MHz），分别将靶材和真空室的其他 部分耦合在电源的两极，衬底处于靶材对应的位置，与靶材间距为5cm， 射频磁控溅射时放电的过程（工作气体为Ar 1）无光放电打开射频电源及电流显示器，即会有十毫安以下以下的电流 ...
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磁控溅射法制备Cu膜论文.doc,. word版本. 磁控溅射法制备Cu膜 摘 要 沉积速率高、基材温升低的磁控溅射工艺，已经成为半导体集成电路金属化工艺的主流。本文重点对在硅晶圆上溅射金属铜薄膜的实际镀膜过程中的淀积速率进行了理论和实验研究。
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