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集成电路技术持续发展 原子层刻蚀（ALE）技术成行业趋势. 晶圆生产工艺主要包括热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨和清洗。. 刻蚀是通过移除晶圆表面材料，在晶圆上根据光刻图案进行微观雕刻，将图形转移到晶圆表面的工艺，分为湿 ...
原子层蚀刻技术新的市场机遇. 半导体行业正在开发下一波原子层蚀刻（ALE）应用，希望能在一些新的新兴市场站稳脚跟。. ALE 是下一代蚀刻技术，可去除原子级材料，是晶圆厂里制造先进器件所需的几种工具之一。. 在 2016 年前后，因为特定应用，ALE 开始投入 ...
第五讲 非晶硅薄膜. 带硅材料硅棒要经过切片工艺得到硅片，一般硅片200~500μm，内 圆切割所用的刀片的厚度为250~300μm，所以有近50%的 硅材料被浪费，线切割线宽度一般为180 μm，也会有30% 的硅材料被浪费。. 所以人们考虑直接生长带状硅，省去切 片过程，降低 ...
通过原子层沉积（ALD）沉积的氧化物阻挡层和隧道氧化物（30 nm和7 nm）均由高 κ 介电HfO 2 组成，实现半导体通道内电场的有效调制。 最后，漏源接触点由Ti/Au（2 nm/100 nm）叠层组成，以获得具有高电荷载流子注入效率的类似欧姆的接触 图1.
扩散&离子注入重点分析.ppt,2）机械扫描：离子束固定，硅片机械移动。一般用于大电流注入机。 扫描外半径 扫描内半径 溢出杯 旋转 离子束 3.10 离子注入设备 3）平行扫描：离子束先静电扫描，然后通过一组磁铁， 调整它的角度，使其垂直注入硅片表面，从而减小阴影效应。
原子层沉积在半导体先进制程的应用 随着集成电路工艺技术的不断提高，晶体管的特征尺寸及刻蚀沟槽不断减小，沟槽及其侧壁的镀膜技术面临严峻的挑战，物理气相沉积（PVD）及化学气相沉积（CVD）工艺已经无法满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，而控制纳米级别厚度的高质量超薄膜层制备也 ...
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集成电路技术持续发展 原子层刻蚀（ALE）技术成行业趋势. 晶圆生产工艺主要包括热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨和清洗。. 刻蚀是通过移除晶圆表面材料，在晶圆上根据光刻图案进行微观雕刻，将图形转移到晶圆表面的工艺，分为湿 ...
原子层蚀刻技术新的市场机遇. 半导体行业正在开发下一波原子层蚀刻（ALE）应用，希望能在一些新的新兴市场站稳脚跟。. ALE 是下一代蚀刻技术，可去除原子级材料，是晶圆厂里制造先进器件所需的几种工具之一。. 在 2016 年前后，因为特定应用，ALE 开始投入 ...
第五讲 非晶硅薄膜. 带硅材料硅棒要经过切片工艺得到硅片，一般硅片200~500μm，内 圆切割所用的刀片的厚度为250~300μm，所以有近50%的 硅材料被浪费，线切割线宽度一般为180 μm，也会有30% 的硅材料被浪费。. 所以人们考虑直接生长带状硅，省去切 片过程，降低 ...
通过原子层沉积（ALD）沉积的氧化物阻挡层和隧道氧化物（30 nm和7 nm）均由高 κ 介电HfO 2 组成，实现半导体通道内电场的有效调制。 最后，漏源接触点由Ti/Au（2 nm/100 nm）叠层组成，以获得具有高电荷载流子注入效率的类似欧姆的接触 图1.
扩散&离子注入重点分析.ppt,2）机械扫描：离子束固定，硅片机械移动。一般用于大电流注入机。 扫描外半径 扫描内半径 溢出杯 旋转 离子束 3.10 离子注入设备 3）平行扫描：离子束先静电扫描，然后通过一组磁铁， 调整它的角度，使其垂直注入硅片表面，从而减小阴影效应。
原子层沉积在半导体先进制程的应用 随着集成电路工艺技术的不断提高，晶体管的特征尺寸及刻蚀沟槽不断减小，沟槽及其侧壁的镀膜技术面临严峻的挑战，物理气相沉积（PVD）及化学气相沉积（CVD）工艺已经无法满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，而控制纳米级别厚度的高质量超薄膜层制备也 ...
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