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半导体超晶格能带结构2.doc,本科生毕业论文（设计）册 学院 汇华学院 专业 物理学 班级 2007级 学生 侯敏娟 指导教师 李玉现 河北师范大学本科毕业论文（设计）任务书 编 号： 论文（设计）题目： 半导体超晶格的隧穿特性 学 院： 专业： 物理学 班级： 学生姓名： 学号： 2 指导教师：职称： 论文 ...
InAs/GaSbⅡ类超晶格制备与光电性能研究. 【摘要】： 由于对红外探测器性能的要求不断提高,光子型探测材料因其灵敏度高、响应速度快、探测率高等优势成为优选材料。. InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有带隙可在3-30μm范围可调、适宜大面积均匀性生长、隧穿电流小 ...
半导体学报杂志投稿，半导体学报期刊投稿，半导体学报投稿须知网站，为作者提供详细的半导体学报投稿须知及要求，杂志投稿，论文发表首选杂志云官方投稿平台！
该论文报道了基于铁电氧化物超晶格的新奇“量子化”现象，并突破传统的光电转换模型，设计了一种新型的人工微结构界面，实现了将近100%的电荷分离效率，为新一代光电探测和太阳能利用提供了新思路。物理学院博士生张飒为论文第一作者，乔
InAs/GaInSb超晶格的外延生长模拟及微结构设计研究. 【摘要】： 本文采用动力学蒙特卡罗方法 (KMC)在SOS (Solid-on-Solid)模型基础上模拟了InAs／Ga_ (1-x)In_xSb超晶格的分子束外延 (MBE)生长，利用包络函数方法计算了InAs／Ga_ (1-x)In_xSb的能带结构，在模拟和计算的基础上 ...
包括：超晶格结构的仿真设计，超晶格的MOCVD生长及材料表征，光学特性以及电学特性的测量。 取得的主要成果如下： 1.自定义超晶格的结构，基于SILVACO和NEXTNANO3两个软件中自洽求解薛定谔-泊松方程的功能，计算超晶格各个参数对量子阱中子带位置的影响。
在研究光学超晶格时，利用光学微结构来增强非线性效应和实现相位匹配，后来自然开始关心固态激光技术和光学超晶格在 ...
根据中国科学院《关于公布2019年中国科学院院士增选当选院士名单的公告》，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究员当选中国科学院院士（数学物理学部）。. 常凯，中国科学院半导体研究所研究员。. 1964年8月出生于安徽潜山，阜阳 ...
半导体超晶格与微结构的发展模式浅析——纪念半导体超晶格与微结构研究30年. 彭英才 傅广生 何宇亮. 【摘要】： 半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。. 它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理、材料科学和纳米 ...
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InAs/GaSbⅡ类超晶格制备与光电性能研究. 【摘要】： 由于对红外探测器性能的要求不断提高,光子型探测材料因其灵敏度高、响应速度快、探测率高等优势成为优选材料。. InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有带隙可在3-30μm范围可调、适宜大面积均匀性生长、隧穿电流小 ...
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InAs/GaInSb超晶格的外延生长模拟及微结构设计研究. 【摘要】： 本文采用动力学蒙特卡罗方法 (KMC)在SOS (Solid-on-Solid)模型基础上模拟了InAs／Ga_ (1-x)In_xSb超晶格的分子束外延 (MBE)生长，利用包络函数方法计算了InAs／Ga_ (1-x)In_xSb的能带结构，在模拟和计算的基础上 ...
包括：超晶格结构的仿真设计，超晶格的MOCVD生长及材料表征，光学特性以及电学特性的测量。 取得的主要成果如下： 1.自定义超晶格的结构，基于SILVACO和NEXTNANO3两个软件中自洽求解薛定谔-泊松方程的功能，计算超晶格各个参数对量子阱中子带位置的影响。
在研究光学超晶格时，利用光学微结构来增强非线性效应和实现相位匹配，后来自然开始关心固态激光技术和光学超晶格在 ...
根据中国科学院《关于公布2019年中国科学院院士增选当选院士名单的公告》，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究员当选中国科学院院士（数学物理学部）。. 常凯，中国科学院半导体研究所研究员。. 1964年8月出生于安徽潜山，阜阳 ...
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