发表服务
与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学，周益春;-湘潭大学学报(自然科学版)2019年第03期杂志 在线阅读、文章下载。 全部分类 期刊 文学 艺术 科普 ...
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60 mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的广泛关注。
“后摩尔”时代中，与CMOS工艺兼容的高性能集成光电探测器是实现硅光集成和物联网等前沿应用的重要组成部分。为了进一步提高光电探测的性能，近年来研究人员致力于将新型材料和新物理机制引入器件应用中，二维材料和铁电材料受到了广泛关注，而将二者结合起来实现混合系统再用于光探测 ...
功能材料与器件学报基础信息：《功能材料与器件学报》于1995年创刊，是由中国材料研究学会和中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办的全国性学术期刊。主要刊登反映功能材料与器件领域中具有创新性的科研成果…
2021年研究进展系列之21：我院光电材料与器件研究团队在无铅储能薄膜材料研究方面取得进展. 2021-06-01 17:16. 近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在无铅铁电薄膜材料方面的研究取得进展，论文被顶级陶瓷期刊《Ceramics International》杂志接收发表 ...
该材料铁电参数的灵活可调性将有助于进一步揭示负电容晶体管的真正工作机理。. IEEE Electron Device Letters是国际微电子器件领域的顶级期刊，也是IEEE Electron Devices Society第一旗舰期刊，在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力。. 郝跃院士团队2018年 ...
铁电材料器件（SCIE） 影响因子：0.4左右 审稿周期：1个月左右 征稿范围： 主要关注铁电材料相关的新型电子器件研究，包括 ...
近日，孙文红教授领导的 光电材料与 器件研究 团队 在 p-GaN 衬底调制铁电薄膜材料的电卡效应研究方面取得进展，论文被国际顶尖学术期刊 《 Nano Energy 》 杂志接收 发表。 论文标题： P-GaN-substrate sprouted giant pure negative …
我国学者发明新型纳米晶铁电材料结构. 图. 纳米晶（Nanocrystal-Embedded-Insulator，NEI）铁电晶体管示意图. 在国家自然科学基金项目（批准号：61534004，61604112，61622405，61874081）资助下，西安电子科技大学韩根全、郝跃等在铁电场效应晶体管研究领域取得突破性进展 ...
主要研究方向包括（1）功能薄膜，二维层状材料和异质结及其器件；（2）用于光电子，生物医学和能源的发光材料与器件。发表了SCI杂志论文280篇。获得香港理工大学校长卓越成就奖和多个国际学术奖项。担任国际期刊InfoMat（Wiley）的副主编和Adv. Opt.
与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学，周益春;-湘潭大学学报(自然科学版)2019年第03期杂志 在线阅读、文章下载。 全部分类 期刊 文学 艺术 科普 ...
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60 mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的广泛关注。
“后摩尔”时代中，与CMOS工艺兼容的高性能集成光电探测器是实现硅光集成和物联网等前沿应用的重要组成部分。为了进一步提高光电探测的性能，近年来研究人员致力于将新型材料和新物理机制引入器件应用中，二维材料和铁电材料受到了广泛关注，而将二者结合起来实现混合系统再用于光探测 ...
功能材料与器件学报基础信息：《功能材料与器件学报》于1995年创刊，是由中国材料研究学会和中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办的全国性学术期刊。主要刊登反映功能材料与器件领域中具有创新性的科研成果…
2021年研究进展系列之21：我院光电材料与器件研究团队在无铅储能薄膜材料研究方面取得进展. 2021-06-01 17:16. 近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在无铅铁电薄膜材料方面的研究取得进展，论文被顶级陶瓷期刊《Ceramics International》杂志接收发表 ...
该材料铁电参数的灵活可调性将有助于进一步揭示负电容晶体管的真正工作机理。. IEEE Electron Device Letters是国际微电子器件领域的顶级期刊，也是IEEE Electron Devices Society第一旗舰期刊，在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力。. 郝跃院士团队2018年 ...
铁电材料器件（SCIE） 影响因子：0.4左右 审稿周期：1个月左右 征稿范围： 主要关注铁电材料相关的新型电子器件研究，包括 ...
近日，孙文红教授领导的 光电材料与 器件研究 团队 在 p-GaN 衬底调制铁电薄膜材料的电卡效应研究方面取得进展，论文被国际顶尖学术期刊 《 Nano Energy 》 杂志接收 发表。 论文标题： P-GaN-substrate sprouted giant pure negative …
我国学者发明新型纳米晶铁电材料结构. 图. 纳米晶（Nanocrystal-Embedded-Insulator，NEI）铁电晶体管示意图. 在国家自然科学基金项目（批准号：61534004，61604112，61622405，61874081）资助下，西安电子科技大学韩根全、郝跃等在铁电场效应晶体管研究领域取得突破性进展 ...
主要研究方向包括（1）功能薄膜，二维层状材料和异质结及其器件；（2）用于光电子，生物医学和能源的发光材料与器件。发表了SCI杂志论文280篇。获得香港理工大学校长卓越成就奖和多个国际学术奖项。担任国际期刊InfoMat（Wiley）的副主编和Adv. Opt.
发表服务