氮化铝陶瓷的研究进展论文

1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

收录氮化铝相关专利文献氮化铝专利技术集1、采用碳氮共渗处理氧化铝连续制备氮化铝的方法2、从熔体中生长氮化铝大直径单晶3、氮化铝、碳化硅及氮化铝 碳化硅合金块状单晶的制备方法4、氮化铝单晶薄膜及其制备方法5、氮化铝粉体的反应合成方法6、氮化铝和氧化铝或氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法7、氮化铝晶须的制备方法8、氮化铝块状单晶的制造方法9、氮化铝烧结坯、金属化基片、加热器、夹具以及制造氮化铝烧结坯的方法10、氮化铝烧结体及其制备方法11、氮化铝烧结体及其制造方法12、氮化铝纤维的合成方法13、氮化铝一维纳米结构阵列及其制备方法14、氮化铝与铜的高温钎焊方法15、低含量氮化铝陶瓷粉末制备方法16、放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷17、高热导氮化铝陶瓷的制备方法18、高热导率氮化铝陶瓷19、高热导率氮化铝陶瓷的制造方法20、含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造或检测设备的基材21、含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造或检测设备的陶瓷基材22、含氧氮化铝的耐火材料,滑动水口耐火材料及连续铸钢水口23、经氧化铝碳氮化连续制氮化铝的方法24、具有氮化铝涂层的碳纤维及其制备方法25、具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件26、具有钨或氮化铝的稳定高温传感器或加热器系统和方法27、生产氮化铝的方法以及氮化铝28、生产氮化铝基片的方法29、使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法30、水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法31、梯度分布燃烧合成高性能氮化铝粉体方法32、通过受控燃烧氮化制备氮化铝粉的方法33、通过碳热还原制氮化硅和氮化铝粉末的方法34、铜铬-氮化铝复合材料的制备方法35、透明氮化铝陶瓷的制备方法36、氧氮化铝耐火材料的制造方法37、一种氮化铝与铜的结合方法38、一种低温烧结氮化铝基复相材料及其制备方法39、一种低温烧结制备氮化铝陶瓷的方法40、一种含氮化铝复合金属粉末的制备方法41、一种合成高性能氮化铝粉体的新方法42、一种六方相纳米氮化铝粉体的制备方法43、一种燃烧合成制备高性能氮化铝粉体的方法44、一种碳热还原法制备氮化铝粉体的方法45、一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法46、一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法47、以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法48、用氧化铝的碳-氮共渗连续生产高纯度超细粒的氮化铝粉末的方法49、用移动床反应器由氧化铝的碳氮共渗连续制备氮化铝方法50、用于氮化铝衬底的厚膜导体浆料组合物51、用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物52、用于氮化铝基片上的厚膜导体组合物53、用于透光陶瓷的γ－氧氮化铝粉末的制备方法54、用自蔓延合成超细氮化铝的方法55、用自蔓延合成超细氮化铝基复相陶瓷粉末的方法56、在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓或氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方57、制备氮化铝的方法与装置58、制备氮化铝粉末的径向反应器59、制备钠米氮化铝陶瓷粉体的方法60、准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法61、自蔓延高温合成氮化铝粉末的制备方法62、自蔓延高温合成高纯超细氮化铝粉末的制备方法 氮化铝期刊文献集1、〈101〉取向织构氮化铝薄膜的制备研究2、c轴定向氮化铝薄膜的制备3、MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究4、MEMS封装用氮化铝共烧基板研究5、SiC晶须－氮化铝分散工艺的研究6、Y_2O_3对氮化铝陶瓷燃烧合成致密化及组织性能的影响7、不同铝源对碳热还原法合成氮化铝粉末的影响8、步进升温测定低碳铝镇静钢中氮化铝的氮9、超细氮化铝颗粒改性环氧树脂冲击断口分析10、冲击波对氮化铝粉体的活化及烧结11、磁控溅射制备择优取向氮化铝薄膜12、粗化对氮化铝陶瓷表面镀铜层附着力的影响13、氮和碳等离子体基离子注入铝合金表面氮化铝类金刚石碳膜改性层的摩擦学特性14、氮化硅和氮化铝粉末表面化学的质谱研究15、氮化铝A1N粉末的合成与高热导率A1N基片的研制16、氮化铝AIN薄膜的光学特性研究17、氮化铝AIN粉末的合成与高热导率AIN基片的研制18、氮化铝AlN晶须碳热还原法合成研究19、氮化铝AlN陶瓷的特性、制备及应用20、氮化铝薄膜的低温沉积21、氮化铝薄膜的组成分析22、氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光23、氮化铝薄膜结构和表面粗糙度的研究24、氮化铝薄膜织构的极图法研究25、氮化铝薄膜中的二次谐波产生26、氮化铝超微细粉制备规律的研究27、氮化铝超细粉微波合成机理研究28、氮化铝瓷金属化方法研究进展29、氮化铝瓷烧结方法进展30、氮化铝单晶薄膜的ECR_PEMOCVD低温生长研究31、氮化铝的室温热导率32、氮化铝的研究进展33、氮化铝对 Sialon 陶瓷性能的影响34、氮化铝粉末的研究35、氮化铝粉末的制备方法与机理36、氮化铝粉末制备方法研究进展37、氮化铝粉末制备中的热力学分析38、氮化铝粉体合成研究的最新进展39、氮化铝高温下的挥发及其晶须生长40、氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究41、氮化铝光波导的特性研究42、氮化铝和氮化铝陶瓷43、氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究44、氮化铝基板与 Cu和Al的接合及其表面改质效果45、氮化铝基片超精密加工的实验研究46、氮化铝镓纳米固体材料的合成及其拉曼光谱47、氮化铝结构的高温Raman光谱分析48、氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态49、氮化铝晶须的形态和结晶方向50、氮化铝晶须研究进展51、氮化铝抗水化性能及其在浇注料中的应用52、氮化铝颗粒表面镀铜及其增强铜基复合材料53、氮化铝孔状材料的溶液法合成及其光致发光54、氮化铝纳米粉末的氧化特性研究55、氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展56、氮化铝陶瓷57、氮化铝陶瓷表面化学镀铜58、氮化铝陶瓷表面钛金属化的研究59、氮化铝陶瓷材料60、氮化铝陶瓷材料的开发和应用61、氮化铝陶瓷材料的烧结机理62、氮化铝陶瓷材料制备工艺与应用63、氮化铝陶瓷的热导率研究进展64、氮化铝陶瓷的微波烧结研究65、氮化铝陶瓷的研究与应用66、氮化铝陶瓷的研制及应用67、氮化铝陶瓷的制备及其在复合材料中的应用研究68、氮化铝陶瓷的制造与应用69、氮化铝陶瓷低温热导率的实验研究70、氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长71、氮化铝陶瓷覆铜基板的研制72、氮化铝陶瓷化学镀铜工艺研究73、氮化铝陶瓷基板的开发研究74、氮化铝陶瓷基片的传热机理研究75、氮化铝陶瓷基片热导率的分析英文76、氮化铝陶瓷基片热导率的理论分析77、氮化铝陶瓷及其用途78、氮化铝陶瓷研究和发展79、氮化铝陶瓷与铜界面热阻回归分析仿真模型80、氮化铝陶瓷直接覆铜技术81、氮化铝为军用短波发光二极管打基础82、氮化铝压电薄膜的晶面择优取向83、氮化铝与无氧铜低温界面热阻的实验研究84、氮化铝在1600℃的低温烧成技术85、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究86、等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究87、低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究88、低温碳热还原法合成氮化铝陶瓷超细粉末89、多弧镀氮化铝钛薄膜的铝靶稳弧90、反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究91、放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷92、放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷的研究93、复合助剂对氮化铝陶瓷低温烧结的影响94、钢中氮化铝的测定95、钢中的氮化铝及其对锻造裂纹的影响96、钢中硫化锰和氮化铝析出相标准样品的研制97、高导热性能的氮化铝陶瓷的研究98、高密度封装用氮化铝AIN玻璃复合材料低温共烧研究99、高能球磨对碳热还原合成氮化铝的作用100、高热导率氮化铝陶瓷的制备和研究101、高热导率氮化铝陶瓷制备技术进展102、高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝103、高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝的显微结构研究104、高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝及其显微结构105、功率电路基片首推氮化铝陶瓷106、关于氮化铝陶瓷导热性的讨论107、规则结晶形态氮化铝颗粒的自蔓延高温合成108、含磷钢中磷和氮化铝对相变点的影响109、化学气相淀积法合成氮化铝薄膜及其工艺设计110、环氧树脂氮化铝复合材料冲击性能的研究111、机械力活化合成纳米晶氮化铝研究112、聚合物先驱体法制备氮化铝113、离子镀氮化铝钛TiAlN的微观组织结构及特性研究114、离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究115、立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究116、利用反应低压离子镀膜法和反应直流磁控溅射法制作氮化硅氮化铝膜117、利用硅烷改善氮化铝粉末抗水解性的研究118、利用热歧化反应进行氮化铝陶瓷表面钛金属化工艺及正交实验研究119、利用水引发固相反应方法合成氮化铝纳米粉120、令人瞩目的氮化铝陶瓷材料121、笼状氮化铝团簇的结构特征122、铝氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究123、铝-氮化铝结合刚玉质滑板的抗氧化性能124、铝粉在高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝125、铝合金直接氨化生长氮化铝反应机制研究126、铝中注N～＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究127、纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光128、纳米氮化铝的PL谱研究129、纳米氮化铝的氨热合成及其光致发光130、纳米氮化铝的制备方法及其应用研究131、尿素对前驱物及氮化铝粉末粒度形貌的影响132、尿素对以硝酸铝和葡萄糖为原料合成氮化铝粉末反应过程中相变及反应速率的影响133、气溶胶反应器分解叠氮二乙基铝制备氮化铝纳米粉体134、气体压力对铝基体上氮化铝薄膜残余应力的影响135、球磨促进碳热还原反应合成氮化铝研究136、球磨对碳热还原氮化法制备氮化铝粉末的作用137、热处理对氮化铝粉末抗水性的影响138、热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响139、溶胶_凝胶工艺制备氮化铝陶瓷超细粉末140、射频溅射薄膜改善氮化铝陶瓷与金属连接性研究141、世界首款纳米级氮化铝粉体产品在皖问世142、碳化硅晶须增强氮化铝复合材料的机械性能和界面研究143、碳热还原法合成氮化铝的机理与热力学条件144、碳热还原法制备氮化铝反应机制的研究进展145、碳热还原法制备氮化铝粉末146、碳热还原反应法合成氮化铝的研究147、碳热还原反应制备氮化铝粉末工艺研究148、铜_氮化铝陶瓷键合机理的探讨149、铜-氮化铝陶瓷键合机理的探讨150、透明氮化铝陶瓷的制备151、透明氮化铝陶瓷研究的新进展152、涂覆草酸钇薄膜改善氮化铝粉耐水性及其机理153、微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜154、稳健估计用于氮化铝金属化工艺的研究155、钨_氮化铝太阳能选择性吸收表面的研制156、钨-氮化铝太阳能选择性吸收表面的研制157、新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性158、新型电子陶瓷材料氮化铝工艺进展与应用前景159、新型功率混合集成电路材料——氮化铝AlN160、氧氮化铝陶瓷的合成与应用161、液晶聚酯与氮化铝复合基板材料的研究162、以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究163、以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究164、银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究165、影响氮化铝陶瓷热导率的因素及改善途径166、用电子束和俄歇微区分析技术检测镀铝钢板中氮化铝保护层167、用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜168、用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料169、用作基片材料的氮化铝陶瓷的现状与展望170、原料对碳热还原法合成氮化铝粉末的影响171、原位反应自生成氮化铝的研究172、支持向量机算法在氮化铝薄膜生长过程控制中的应用173、直流电弧热等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究174、制备氮化铝粉的新方法175、中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜176、自蔓延高温合成SHS氮化铝反应机制的研究177、自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究1178、自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究2179、自蔓延燃烧合成氮化铝的产物特征及表面处理请参考.

氮化铝中文名称:氮化铝拼音:danhualv英文名称：alumin(i)um nitride分子式:AlN分子量:密度:说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。 氮化铝的特性因其符合：(1)低原子量；(2)原子间键结强；(3)结晶结构简单；(4)晶格振荡谐和性高等四项通则，为少数具有高热传导率的非金属固体，氮化铝单晶的理论热传导率可达320W/m‧K。氮化铝的硬度亦高，其破坏强度达5000kg/cm2，维氏硬度约为1200kg/cm2。另外氮化铝具有直接能带，其能带宽(Energy Band Gap)为故高纯度氮化铝晶是无色而透光的(室温之吸收波长为2000Å)，但在氮化铝中如存有氧或金属不纯物则会失去其透光性，其物理及化学特性如表1。

氮化铝作为一种理想的半导体基片材料和电子器件封装材料，不仅导热性能好，线膨胀系数与硅接近，体积电阻率高，介电常数和介电损耗小。

中文名称:氮化铝拼音:danhualv英文名称：alumin(i)um nitride分子式:AlN分子量:密度:说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。 1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。