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关键技术对非对称型GCT的影响

2015-12-14 13:56 来源:学术参考网 作者:未知

摘 要: 在建立GCT器件模型的基础上, 利用silvaco软件,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明, 决定GCT的通态压降的关键因素是缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。

关键词:silvaco;缓冲层;透明阳极;通态压降;
前言
  GCT是基于传统门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展起来的新型功率半导体器件。它不仅具有GTO的高阻断能力和低通态损耗,而且具有绝缘门双极晶体管(IGBT)的高频特性 . 电子器件,2006(4):989~991

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