因为材料换配方就是一篇
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要挣钱都不是很好，要做研究都还不错。。。
顾名思义，就是在学术期刊公开发表论文，用于评定职称。主要为企事业单位员工、教师、科研工作者、高校学生等为了呈现学术成果及理论水平，而采取的一种行为，论文发表的载体主要为学术期刊、报纸。 “论文”是指精深而有系统的学术文章，是课题研究、问题讨论的表达形式。论文发表就是专门对社会科学或自然科学领域中某一问题，进行探讨、分析论证的文章发表在国家正式出版物上。 学术论文首先应当具有独创性。要在论题涉及的范围内，言他人所未言，提他人所来提。要有所创新，有所发现，要有独特的、合乎客观实际的看法。只是重复、模仿别人的意见，称不上学术论文。如在社会科学领域内，独创性常见于这样三条途径： （1）结合新的社会实践对以往理论加以继承和发展，如，在社会主义建设中，结合中国国情，对马克思主义的完善； （2）对新发现的资料加以研究，史学、考古学的研究常常如此； （3）通过搜集、整理前人已有的成就的途径获得新结沦，例如哲学史、语言史的研究。 独创性是学术论文的生命。学术论文还应具有科学性和专业性。科学性是指论文必须有翔实可靠、准确无误的材料作依据，它所提出的观点，所作的结论，绝不带任何随意性和主观性，而是经过严密的科学论证，经得起实践检验的，论文条理清晰结构合理，具有较强的说服力和感染力，深刻揭示客观事物的内部联系和规律，也就是言之有理，言之有据，言之有序。专业性是指论文从题目、选材到文字表达，都要具有某一学科、专业的特色，要摸透“行情”，用“行话”，如图书馆学的论文常常要运用款目、标注、二次文献、情报检索语言等专业词汇。法学论文则常用法人、主体意志、仲裁、诉权、罪行法定主义等等。学术论文不必人人都看懂。好的学术论文是独创性、科学性、专业性高度的统一和结合。
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《半导体光电》期刊网站显示为中文核心，但是该期刊没有被EI收录。而且该期刊主要收录二、三流水平文章。期刊编辑部态度恶劣，与中文核心期刊的宗旨相悖甚远。
稿费能有多少呢？？还不如 版面费的 零头呢……最多二三百元吧。通常都只有一百多点
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极纯形式的半导体称为本征半导体。在本征半导体中，即使在室温下，也会产生空穴-电子对。当在本征半导体上施加电场时，电流传导由自由电子和空穴进行，如图 1 所示。自由电子是由于热能破坏了一些共价键而产生的。同时在共价键中产生空穴。在电场的影响下，自由电子和空穴都发生传导。因此，半导体内部的总电流是由自由电子和空穴产生的电流之和。可以注意到，外部导线中的电流完全是由电子引起的。随着空穴到达终端B，电子进入终端附近的半导体晶体并与空穴结合，从而抵消它们。同时，靠近正极 A 的松散电子被吸引远离它们的原子进入正极。这会在正极端子附近产生新的孔，这些孔再次向负极漂移。外在半导体本征半导体的导电性能可以通过添加少量合适的杂质来增加。然后它被称为杂质或非本征半导体。向半导体中添加杂质的过程称为掺杂。一般对于10 8 两种类型 的半导体原子，添加一种杂质原子。根据添加的杂质类型，非本征半导体分为两类，例如：(i) n 型半导体(ii) p型半导体 n型半导体当在纯半导体中加入少量五价杂质时，称为n型半导体。五价杂质的加入在半导体晶体中提供了大量的自由电子。五价杂质的典型例子是砷（As）和锑（Sb）。这种产生 n 型半导体的杂质被称为施主杂质，因为它们向半导体晶体提供自由电子。为了解释 n 型半导体的形成，考虑一个纯锗晶体。我们知道锗原子有四个价电子。当锗晶体中加入少量的五价杂质如砷时，晶体中就会产生大量的自由电子。原因如下。砷是五价的，即它的原子有五个价电子。砷原子适合锗晶体，其四个价电子与四个锗原子形成共价键。砷原子的第五个价电子在共价键中没有位置，因此保持自由。因此，每添加一个砷原子，锗晶体中就会有一个自由电子。五价杂质的加入产生了许多导带电子，即自由电子。五价原子的四个价电子与四个相邻的锗原子形成共价键。五价原子的第五个剩余价电子不能容纳在价带中而行进到导带。以下两点可以仔细注意：(i) 许多新的自由电子是通过添加五价杂质产生的。(ii) 室温的热能仍然产生少量的空穴-电子对。然而，五价杂质提供的自由电子数量远远超过空穴数量。因此它被称为n型半导体（n代表负）
在实际的半导体器件中，半导体材料不可能是无穷大的，总有一定的边界，因此表面（边界）效应对半导体器件的特性具有非常重要的影响。实际上，在多数情况下半导体器件特性是由半导体表面效应而不是体内效应决定。（如MOS）理想表面是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面(即晶体的自由表面)。当一块半导体突然被中止时，表面理想的周期性晶格发生中断，从而导致禁带中出现电子态（能级），该电子态称为表面态(Tamm state)
本征半导体：完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。现在的初中数学比之前的更简单了还是更难了的话题一直都有所讨论，我来谈谈自己的几点认识和看法：从内容上来看，之前初中数学课本中的很多内容都被取消了或改为选学的内容，像乘法公式中的立方差和立方和公式，三角函数中的余切，相似中的射影定理，圆中的相交弦定理、切割线定理、圆和圆的位置关系等，这些内容基本上在现在的初中课本上都消失了。但在之前的课本上是必须的内容，也是考点，在中考的试卷中经常会考查到。随着课程改革，素质教育的推进，数学的教材、考点也也有了一些改变，很多的内容被精简了，考查的方向、重难点、能力素养也有了一些改变。现在初中数学与之前变简单了吗？我看未必，虽然说之前的一些内容现在不学了，看似内容精简了，但基本的框架未变，现在的试卷难度与之前的试卷相比，更加灵活多变，侧重对学生的综合能力和素质的考查，数学题更与实际问题结合，对知识迁移和灵活运用有了更高的要求，因此学习和考试的难度是不降反增的，翻看试卷就可以窥探一二。陕西省2003年试卷
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半导体学报半导体技术微纳电子技术半导体光电
没有人能够保证的。 圈内传言，新目录在2015年6月-8月前后出，等等吧。或者投稿到更好的核心期刊学报。这样风险小点。 《电子器件》由东南大学主办。 主要栏目：真空电子学、微波电子学、光电子学、电子显示技术、激光与红外技术
物理学报》：发展与成就《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“Chinese Journal of Physics”，创刊初期用英、法、德三国文字发表论文。这是中国出版的第一份物理类综合性学术期刊，1953年易为现名的中文期刊。《物理学报》首任主编为我国第一代著名物理学家严济慈与丁燮林，随后担任主编的有吴大猷、王竹溪和黄祖洽，现任主编是原国家自然科学基金会副主任、中国原子能科学研究院研究员王乃彦院士。70余年的变迁，《物理学报》从初创到成长、壮大，特别是改革开放以来的发展，从一个侧面展现了我国现代物理学崛起与发展的梗概和脉络。现在，《物理学报》已成为目前中国历史最悠久、在国内外发行量最大、影响面最广的物理类学术期刊，赢得了国内外物理学界的普遍认同和信誉，受到包括诺贝尔物理奖获得者杨振宁教授在内的一些著名物理学家的高度评价，被认为是“中国权威性的物理刊物”，奠定了它在中国科技期刊中的重要地位。由中国科技信息所统计， 2003年《物理学报》被SCI-CD，SCI-E，EI-P，CA，INSPEC，JICST，AJ和MR等检索系统收录。根据SCI数据库统计，2003年《物理学报》的影响因子为130，总被引频次为2410次。特别是该统计显示，在本学科国际同类期刊中，其影响因子和总被引频次位于中上水平，在68种国际上综合性物理类期刊中，《物理学报》的总被引频次和影响因子分别位居第23和第28。其中，本刊的总被引频次居中国物理类期刊第1位、中国科技期刊第1位，影响因子为中国物理类期刊第2位。这几年来，本刊继续以提高质量为增强核心竞争力的主线，在办刊理念、学术品位、编辑质量、出版发行与宣传，以及运用现代信息技术等方面，进一步加快与国际接轨的步伐。特别是进一步提高期刊学术水准，《物理学报》面向国际学科发展的前沿领域，以国家知识创新体系的建设为依托，跟踪热点课题加强组织和征集优秀稿件，进一步提高学术论文的创新性、导向性和权威性。主要刊登由国家知识创新体系组成的国家科技攻关项目、国家“863”计划项目、国家“973”基础研究项目，以及国家自然科学基金项目等一批最新科研进展或取得科技成果的优秀论文。其中，在2004年《物理学报》刊登的论文中，基金资助论文比例为5%。这表明《物理学报》吸收前沿科学和高质量学术论文的能力在不断增强，提高了期刊自身的整体学术水平。据有关部门的不完全统计，《物理学报》被引相对较多的论文，其学术内容按国际物理学分类来看，主要涉及混沌系统的理论和模型、量子光学、流体力学、量子论、离散系统的经典力学、黑洞、点阵理论和统计学、介观体系和量子干涉、表面电子态、聚合物、薄膜与低维结构、光电效应、固体团簇结构与碳纳米管及纳米结构材料、超导电性、分子运动论、辐射的发射与吸收及散射、自旋电子学、磁熵变材料等研究领域，其中反映了当今物理学研究中的热点问题和新的方向。目前，对国内外发行和交换约1700份，光盘发行量约为600多个平台。2003年《物理学报》在科技部西南信息中心期刊网站中论文下载为3080篇次；在清华同方数据中，本刊2003年web下载58余万篇次，印刷版总被引频次2845次，其web扩散系数为61倍，在物理类期刊中，下载论文篇次居第1位。该统计显示，《物理学报》2003年即年指标2715，web影响因子4813。本刊2003年总被引频次、影响因子均居物理类期刊第1位。并在2001-2003年中，《物理学报》平均被引频次和影响因子均居物理类期刊第1位。近几年来，《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001、2002、2003年度百种杰出期刊奖，以及中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项。2003年10月《物理学报》创刊70周年。中国科学技术协会主席周光召题词祝贺：“格物唯实，推理求真”。全国人大副委员长、中国科学院院长路甬祥的题词为：“格物致知、勇创一流”。题词的著名科学家还有彭桓武、黄昆、杨振宁、李政道、冯端、陈佳洱、李荫远、黄祖洽、白春礼、王乃彦、赵忠贤、杨国桢、李方华、梁敬魁等。《物理学报》主管部门与主办单位及一些科研机构和高等学校也以各种方式表示祝贺。这些都表明《物理学报》的建设与发展始终得到物理界及各方面的高度重视与全力支持。其中除杨振宁教授上述对《物理学报》的评价外，我国著名超导专家赵忠贤院士指出：“《物理学报》是我国少数几个具有权威发性的高层次刊物之一，刊载的论文大多是在国内外处于领先地位的科研成果，审稿制度严格，对论文质量严格把关，编辑出版严谨细致认真”。“《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术期刊，是进行学术交流的重要刊物之一，一直受到国际物理学界专家的注目和好评。《物理学报》创刊71年来为繁荣我国的科学事业做出了重要贡献”。原国家自然科学基金委主任、中国物理学会理事长、北京大学校长陈佳洱院士称：《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术刊物，所登的许多论文达到国际先进水平，编辑出版质量高，是我国少数几个具有权威性的高层次刊物之一，受到国际物理学界专家的注目和好评。当今，科技期刊已成为一个国家科技发展和社会经济文化进步的重要标志。可以看到，面对我国入世后激烈的挑战，中国期刊的使命更加艰巨。时代呼唤期刊工作者与科学家、出版社和信息系统团结起来相互支持合作，在我国政府及其主管部门的组织的协调下，共同营造我国科技期刊发展的优良环境，为创办国际一流的学术刊物作出积极贡献，让中国科技期刊加快融入国际学术交流。《半导体学报》简介 《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。 《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
对欧美的影响非常大，这样中国就不需要向欧美进口这些半导体器件了，对欧美的经济来说是一大打击。
非常的大，欧美再也不能够对这一技术进行垄断了，中国也拥有了这样的技术，对欧美的打击是相当大的。
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论文一般应有摘要，有些为了国际交流，还有外文（多用英文）摘要。它是论文内容不加注释和评论的简短陈述。其他用是不阅读论文全文即能获得必要的信息。摘要应包含以下内容：①从事这一研究的目的和重要性；②研究的主要内容，指明完成了哪些工作；③获得的基本结论和研究成果，突出论文的新见解；④结论或结果的意义。论文摘要虽然要反映以上内容，但文字必须十分简炼，内容亦需充分概括，篇幅大小一般限制其字数不超过论文字数的5%。例如，对于6000字的一篇论文，其摘要一般不超出300字。论文摘要不要列举例证，不讲研究过程，不用图表，不给化学结构式，也不要作自我评价。[示例]论文题目：天体对地球重力加速度的影响论文摘要：地球重力加速度是一个极其重要的物理量，随着对重力加速度测量精度要求的日益提高，必须考虑天体对地球重力加速度的影响。本文介绍了天体（包含日、月及太阳系行星）对地球重力加速度影响的基本概念，推导了影响的计算公式，并经过误差分析，证明此公式的相对误差小于1×10-9，完全可满足现代精密重力加速度测量的要求。撰写论文摘要的常见毛病，一是照搬论文正文中的小标题（目录）或论文结论部分的文字；二是内容不浓缩、不概括，文字篇幅过长。[示例]论文题目：集成电路热模拟模型和算法论文提要：众所周知，半导体器件的各种特性参数都是温度的灵敏函数学[诸如ls(T),B(T),C1(T),Cp(T)……]。集成电路将大量元件集成在一块苡片上，电路工作时，元件功耗将产生热量，沿晶片向四周扩散。但是由于半导体片及基座材料具有热阻，因此芯片上各点温度不可能相同。特别对于功率集成电路，大功率元件区域将有较高温度所以在芯片上存在着不均匀的温度分布。但是为了简化计算，一般在分析集成电路性能时，常常忽略这种温度差别，假定所有元件者处于同一温度下。例如通用的电路模拟程序--SPICE就是这样处理的。显然这一假定对集成电路带来计算误差。对于功率集成电路误差将更大。因此，如何计算集成电路芯片上的温度分布，如何计算元件温度不同时的电路特性，以及如何考虑芯片上热、电相互作用，这就是本文的目的。本文介绍集成电路的热模拟模型，并将热路问题模拟成电路问题，然后用电路模拟程序求解芯片温度分由。这样做可以利用成熟的电路分析程序，使计算的速度和精度大为提高。作者根据这一模型和算法，编制了一个YM-LiN-3的FORTRAN程序，它可以确定芯片温度分布，也可发计算元件处于不同温度时的电路特性，该程序在微机IBM-PC上通过，得到满意结果。上述论文提要字数近600，显然过长，只要认真加以修改（例如：第一段可删掉，第二段只保留其中的最后几句话，加上第三段），便可以二三百个字编写论文摘要。
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