1.1 湿法刻蚀. 湿法刻蚀一般应用在光阻去除、表面处理。. 湿法刻蚀主要有SC-1、SC-2、KI、NMP+IPA等。. NMP+IPA：用以去除表面光刻胶。. NMP为有机溶剂，
文章大纲. 1.半导体刻蚀：占比较高的关键晶圆制造步骤. 刻蚀是半导体制造三大步骤之一. 干法刻蚀优势显著，已成为主流刻蚀技术. 刻蚀机主要分类：电容电感两
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本文是为大家整理的刻蚀工艺主题相关的10篇毕业论文文献，包括5篇期刊论文和5篇学位论文，为刻蚀工艺选题相关人员撰写毕业论文提供参考。 1.【期刊论文】
刻蚀设备大致包括了干法刻蚀和湿法刻蚀两类,根据搜集到的中标数据可知,干法刻蚀设备在半导体刻蚀设备中占据主流、占比高达95%。硅干法刻蚀即等离子体刻蚀技术,相对于湿法刻蚀,具有更
1、市场集中度. 全球刻蚀设备市场呈现高度垄断格局，拉姆研究、东京电子、应用材料占据主要市场份额。. 2020年刻蚀机领域拉姆研究、东京电子和应用材料整体
中国科学院金属研究所刘岗团队利用bivo 4自身的光腐蚀过程,开发了一种环境光化学刻蚀工艺,基于晶面bivo 4光阳极构建bivo 4 /bio x非对称同源异质结光阳极,实现
在晶圆制造的设备中，光刻机、刻蚀机（包含等离子刻蚀和湿法刻蚀）和薄膜沉积设备为最核心的三种设备。. 分别占整个晶圆制造环节的23%、30%、25%。. 图1
对于中微公司来说,不断提升产品性能指标从而与下游头部客户共舞,将成为能否延续高速增长的关键。目前,中微公司正在开发新一代刻蚀设备和包括大马士革在内的刻蚀工艺,弥补技术短板,
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