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小结本文主要介绍了10篇值得一读的GAN论文，从最开始提出这个模型的论文，到截止至2018年的论文，其中既有影响很大的cGAN和DCAN，也有图像转换领域非常重要的Pix2Pix和CycleGAN，还有最近效果非常不错的BigGAN。
西电新闻网讯（通讯员刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一...
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步，该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”氮化镓电子器件领域著名专家，IEEEFellow、英国布里斯托大学教授马丁·库博尔（MartinKuball）在NatureElectronics撰写专文评论时这样评价道。
论文一发表便轰动了世界半导体产业界和科学界，要知道这个时候世界上有多少大公司、著名大学科研机构都在为半导体蓝光光源薄膜材料的工艺头痛不已，而氮化镓(GaN)正是III-V族半导体材料中最具有希望的宽禁带光学材料。
氮化镓GaN详细对比分析纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用2020-05-1216306关于国内...2019-04-032978GaN步步紧，LDMOS路在何方？2019-01-195303氮化镓应用风口,全球氮化镓知名企业2018-11-3016929采用碳化硅和氮化镓材料器件的...
详谈氮化镓充电器的发展趋势及现状-氮化镓（galliumnitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
这对于论文党是非常有用的信息，尤其是对那些临近毕业由急需文的同学。当然，类似的网站也有其他的，需要自己去发现和总结，祝各位投稿顺利！发布于2019-11-16赞同693条评论分享…
2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。
（通讯员：刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。
来源:化合物半导体市场.原标题：黑科技氮化镓异质集成芯片问世，号称成突破摩尔定律有效技术路径.图片来源：拍信图库.2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上...
小结本文主要介绍了10篇值得一读的GAN论文，从最开始提出这个模型的论文，到截止至2018年的论文，其中既有影响很大的cGAN和DCAN，也有图像转换领域非常重要的Pix2Pix和CycleGAN，还有最近效果非常不错的BigGAN。
西电新闻网讯（通讯员刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一...
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步，该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”氮化镓电子器件领域著名专家，IEEEFellow、英国布里斯托大学教授马丁·库博尔（MartinKuball）在NatureElectronics撰写专文评论时这样评价道。
论文一发表便轰动了世界半导体产业界和科学界，要知道这个时候世界上有多少大公司、著名大学科研机构都在为半导体蓝光光源薄膜材料的工艺头痛不已，而氮化镓(GaN)正是III-V族半导体材料中最具有希望的宽禁带光学材料。
氮化镓GaN详细对比分析纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用2020-05-1216306关于国内...2019-04-032978GaN步步紧，LDMOS路在何方？2019-01-195303氮化镓应用风口,全球氮化镓知名企业2018-11-3016929采用碳化硅和氮化镓材料器件的...
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这对于论文党是非常有用的信息，尤其是对那些临近毕业由急需文的同学。当然，类似的网站也有其他的，需要自己去发现和总结，祝各位投稿顺利！发布于2019-11-16赞同693条评论分享…
2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。
（通讯员：刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。
来源:化合物半导体市场.原标题：黑科技氮化镓异质集成芯片问世，号称成突破摩尔定律有效技术路径.图片来源：拍信图库.2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上...
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