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本论文主要围绕原位自旋电子学器件材料的磁电输运特性的研究，鉴于目前在纳米磁性材料在纳米尺度磁电输运测量方面的缺失，设计并制造了磁输运仪。并利用该设备对具有GMR效应的多层纳米线以及多层薄膜进行原位磁电输运特性的测量。总结如下：
本论文围绕黑磷、(SnS2、WTe2)和磁性二维材料Fe3GeTe2,主要开展了异质结的和磁电输运性质研究。主要研究内容及结论如下:(1)开展了黑磷(BP)二维材料及其异质结的磁电输运特性研究。
博士论文开题报告—《InN超导的磁输运性质研究》摘要第1-6页Abstract第6-16页第1章绪论第16-38页1.1研究背景第16-17页1.2InN超导电性的研究现状
铁磁绝缘体中磁子输运性质研究获进展.磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递，特别是自旋信息的产生、操控和探测是...
兰州大学博士学位论文半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究姓名：朱博申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张福甲;褚君浩20060501半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的，反映朗道能级态密度在费米面处...
此外,输运测量结果还表明低温下灰砷极有可能是Dirac半金属。本论文共分为以下四章:第一章按照能带结构和发现的时间顺序对拓扑材料做了简要概述。然后介绍了材料在低温下常见的磁输运性质,着重介绍拓扑材料的输运特性。最后对单晶生长方法作了简要的
InN是一种具有超导特性的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,将第三主族氮化物中的半导体与InN的超导特性结合并实现片上集成具有重要的应用前景。但是,InN材料在生长过程中容易出现相分离,形成In/In2O3的超导相,使得InN本征超导的研究进展缓慢。本文研究了InN的超导输运特性,主要研
本论文中,将论述用输运测量的方法研究磁性薄膜样品中的磁各向异性。.一、我们用输运测量装置测量了铁薄膜的面内霍尔效应,并据此得出了铁薄膜的各向异性,并将此各向异性的值与RotMOKE测量所得的各向异性的值比较,发现两种实验方法所得的结果符合得很好...
最新博士论文—《磁性半导体HgCr2Se4的输运性质研究》摘要第1-6页Abstract第6-14页第1章绪论第14-56页1.1磁性半导体概述第14-20页
拓扑半金属论文磁输运性质论文第一性原理论文纳米器件论文弱反局域化论文版权申明：目录由用户lixuhei**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请点击这里。
本论文主要围绕原位自旋电子学器件材料的磁电输运特性的研究，鉴于目前在纳米磁性材料在纳米尺度磁电输运测量方面的缺失，设计并制造了磁输运仪。并利用该设备对具有GMR效应的多层纳米线以及多层薄膜进行原位磁电输运特性的测量。总结如下：
本论文围绕黑磷、(SnS2、WTe2)和磁性二维材料Fe3GeTe2,主要开展了异质结的和磁电输运性质研究。主要研究内容及结论如下:(1)开展了黑磷(BP)二维材料及其异质结的磁电输运特性研究。
博士论文开题报告—《InN超导的磁输运性质研究》摘要第1-6页Abstract第6-16页第1章绪论第16-38页1.1研究背景第16-17页1.2InN超导电性的研究现状
铁磁绝缘体中磁子输运性质研究获进展.磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递，特别是自旋信息的产生、操控和探测是...
兰州大学博士学位论文半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究姓名：朱博申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张福甲;褚君浩20060501半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的，反映朗道能级态密度在费米面处...
此外,输运测量结果还表明低温下灰砷极有可能是Dirac半金属。本论文共分为以下四章:第一章按照能带结构和发现的时间顺序对拓扑材料做了简要概述。然后介绍了材料在低温下常见的磁输运性质,着重介绍拓扑材料的输运特性。最后对单晶生长方法作了简要的
InN是一种具有超导特性的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,将第三主族氮化物中的半导体与InN的超导特性结合并实现片上集成具有重要的应用前景。但是,InN材料在生长过程中容易出现相分离,形成In/In2O3的超导相,使得InN本征超导的研究进展缓慢。本文研究了InN的超导输运特性,主要研
本论文中,将论述用输运测量的方法研究磁性薄膜样品中的磁各向异性。.一、我们用输运测量装置测量了铁薄膜的面内霍尔效应,并据此得出了铁薄膜的各向异性,并将此各向异性的值与RotMOKE测量所得的各向异性的值比较,发现两种实验方法所得的结果符合得很好...
最新博士论文—《磁性半导体HgCr2Se4的输运性质研究》摘要第1-6页Abstract第6-14页第1章绪论第14-56页1.1磁性半导体概述第14-20页
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