发表服务
大功率IGBT器件内部载流子控制方法综述.2020年电子技术应用第6期.邹密1，马奎2.1.贵州大学大数据与信息工程学院，贵州贵阳550025；2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室，贵州贵阳550025.摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通...
大功率IGBT模块及驱动电路综述.杨媛文阳李国玉.【摘要】：绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子设备中的核心器件,其应用场合越来越广泛,例如机车牵引,高压直流输电。.这不仅对IGBT模块的性能提出了更严苛的挑战,同时也对IGBT的驱动保护电路提出了更高的...
IGBT功率模块状态监测技术综述.鲁光祝向大为.【摘要】：IGBT功率模块作为核心器件已广泛应用于交通、冶金、新能源发电以及航空航天等众多领域。.为提高系统的运行可靠性,国内外学术与工程界正积极开展IGBT功率模块状态监测技术的研究。.本文对目前...
提供IGBT缓冲电路研究(综述+提供具体的参数设计)word文档在线阅读与免费下载，摘要:设计与分析ShejiyuFenxiIGBT缓冲电路研究国芳1张丽2（1．江苏建筑职业技术学院，江苏徐州221116；2．北京交通大学海滨学院，河北沧州061100）摘要：列举了目前常用的IGBT缓冲电路，给出了各自适用的场合，对缓…
高压IGBT的设计与实现及功率器件可靠性研究.张斌.【摘要】：IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优点,而高压IGBT在电机控制、新能源、轨道交通、智能电网、电动...
IGBT技术发展综述[J].半导体技术,2008,33(11):937-940.被引量：302周文定,亢宝位.不断发展中的IGBT技术概述[J].中国集成电路,2009,18(1):23被引量：63戚丽娜,张景超,刘利峰,赵善麒.IGBT器件4
九+年代的电力电子技术'国内外电力电子技术发展综述电力电子技术在经过七十年代蓬勃发展之后,九十年代发展的重点可以说不再是或主要不再是大功率方面,而是更充分她利用现代控制技术和微电子技术,向高频,高效,小型智能化方面发展.2.1电力半导俸器件...
IGBT的芯片结构及失效模式讲解.ppt,综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。损坏的原因一般有以下几种：1、输出短路或输出接地；2、母线铜牌打火导致浪涌电流；3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏）C、过热失效故障...
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1].中国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行[J].集成电路应…
3．2基于数学模型的开关损耗计算.基于数学模型的IGBT模块开关损耗计算方法就是在对实际运行条件下的大量的IGBT开关损耗数据进行一定归纳分析的基础上，依据损耗随各参数的变化趋势，建立损耗与各个影响因子之间的数学关系，进而建立器件开关损耗数学...
大功率IGBT器件内部载流子控制方法综述.2020年电子技术应用第6期.邹密1，马奎2.1.贵州大学大数据与信息工程学院，贵州贵阳550025；2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室，贵州贵阳550025.摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通...
大功率IGBT模块及驱动电路综述.杨媛文阳李国玉.【摘要】：绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子设备中的核心器件,其应用场合越来越广泛,例如机车牵引,高压直流输电。.这不仅对IGBT模块的性能提出了更严苛的挑战,同时也对IGBT的驱动保护电路提出了更高的...
IGBT功率模块状态监测技术综述.鲁光祝向大为.【摘要】：IGBT功率模块作为核心器件已广泛应用于交通、冶金、新能源发电以及航空航天等众多领域。.为提高系统的运行可靠性,国内外学术与工程界正积极开展IGBT功率模块状态监测技术的研究。.本文对目前...
提供IGBT缓冲电路研究(综述+提供具体的参数设计)word文档在线阅读与免费下载，摘要:设计与分析ShejiyuFenxiIGBT缓冲电路研究国芳1张丽2（1．江苏建筑职业技术学院，江苏徐州221116；2．北京交通大学海滨学院，河北沧州061100）摘要：列举了目前常用的IGBT缓冲电路，给出了各自适用的场合，对缓…
高压IGBT的设计与实现及功率器件可靠性研究.张斌.【摘要】：IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优点,而高压IGBT在电机控制、新能源、轨道交通、智能电网、电动...
IGBT技术发展综述[J].半导体技术,2008,33(11):937-940.被引量：302周文定,亢宝位.不断发展中的IGBT技术概述[J].中国集成电路,2009,18(1):23被引量：63戚丽娜,张景超,刘利峰,赵善麒.IGBT器件4
九+年代的电力电子技术'国内外电力电子技术发展综述电力电子技术在经过七十年代蓬勃发展之后,九十年代发展的重点可以说不再是或主要不再是大功率方面,而是更充分她利用现代控制技术和微电子技术,向高频,高效,小型智能化方面发展.2.1电力半导俸器件...
IGBT的芯片结构及失效模式讲解.ppt,综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。损坏的原因一般有以下几种：1、输出短路或输出接地；2、母线铜牌打火导致浪涌电流；3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏）C、过热失效故障...
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1].中国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行[J].集成电路应…
3．2基于数学模型的开关损耗计算.基于数学模型的IGBT模块开关损耗计算方法就是在对实际运行条件下的大量的IGBT开关损耗数据进行一定归纳分析的基础上，依据损耗随各参数的变化趋势，建立损耗与各个影响因子之间的数学关系，进而建立器件开关损耗数学...
发表服务