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HBT概述异质结双极晶体管（Hetero-junctionBipolarTransistor,简称(HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子从发射区到基区跨越的势垒高度降低，从而提高发射效率γ,因而，很大程度上提高了
北京邮电大学硕士学位论文摘要InP基HBT的理论研究及其在光接收机前端的应用本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“RCE光探测器和HBT的单片集成（OEIC）高速光接收模块＂（项目编号：20020013010）、任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研…
inphbt的直流特性分析与设计.中国科学院上海微系统与信息技术研究所硕士学位论文InGaAs/InPHBT的直流特性分析与设计姓名：陈雷东申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：曹俊诚20030601摘要本文设计了～种新材料结构的InGaAs／InP双异质...
天津大学硕士学位论文GaAs基HBT器件及工艺研究姓名：郑坚斌申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：申云琴;刘训春2001.1.1摘要本文探讨了GaAsHBT在高速和射频领域的应用前景；介绍了HBT的基本原理、基本...
论文针对HBT的建模、单片集成光接收机前端进行了深入研究。.取得的主要研究成果如下所述：1．从材料物理特性出发，分析了HBT理论模型，推导了相关电学参数的表达式，研究了HBT中结构参数，偏置电压以及掺杂浓度对器件性能的影响，提出了HBT的优化...
硕士毕业论文—《HBT衍生物的及光物理研究》摘要第1-5页Abstract第5-9页引言第9-10页1文献综述第10-35页·激发态质子(ESPT)转移概述
10华南师范大学硕士研究生毕业论文禁带变窄效应对InP基HBT电学特性的影响1．6本论文研究的目的及基本内容本论文主要讨论在重掺杂引起禁带变窄效应的前提下，InP基材料的物理特性，以及该特性对HBT的电流传输效应的影响，进而讨论其对HBT其它电学特性的...
nP基HBT频率性能分析、参数提取及光接收前端的电路设计摘要本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金靠基于RCE光探测器和HBT的单片集成（OEIC）高速光接收模块’’（项目编号：20020013010）、任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计…
基于南京电子器件研究所的0.7μmInPHBT工艺设计了一种数据转换速率达到50Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中，能够直接一次性实现对2～18GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和降速处理，输入...
·InP基HBT器件与电路的国内外研究现状第7-9页·Ⅲ-Ⅴ族HBT模型的发展与研究现状第9-10页·本论文的研究思路第10-11页·本论文的主要内容第11-13页第二章InPHBT小信号模型第13-31页·HBT基本原理第13-14页第14-17页
HBT概述异质结双极晶体管（Hetero-junctionBipolarTransistor,简称(HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子从发射区到基区跨越的势垒高度降低，从而提高发射效率γ,因而，很大程度上提高了
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