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电子系统设计,上海微电子技术和应用,国际电子商情,电子工程专辑
微电子领域大体可以分三个方向吧，设计、CAD和工艺。这三个方向共同的顶级的学术期刊是Proceedings of the IEEE，是讲微电子发展前沿的尖端技术的，基本上只有学界、产业界顶级大牛才能发表的。设计方向比较好的期刊有Journal of Solid State Circuits（JSSC)、IEEE Transactions on Signal Processing、IEEE Transaction on Communication、IEEE transactions on circuits and systems (CAS) I & II、IEEE transactions on VLSI等。CAD方向比较好的期刊有IEEE Transactions on Computer-Aided-Design (CAD)、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques等。工艺方向比较好的期刊有Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、IEEE Journal of MEMS等。
微电子领域高质量杂志：器件方向：1. IEEE electron device letters 2. IEEE Trans electron devices 3. IEEE Trans power electronics(电路也可投，几年来IF很高) 4. Solid-State Electronics 5. Microelectronics Journal 6. 器件领域的顶级会议：ISPSD和IEDM，每年汇聚全球知名器件领域的研究人员和业界人员参会。电路方向：知道的比较少，ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。在该会议发表文章的人具有不小的影响力。工艺方向： 既可在器件的杂志如EDL、TED发表，也可在材料、物理类期刊上看到。IEEE Trans material reliability，Applied Phys. Letter, Physical Review，Microelectron Reliability 等等。
好中。微电子方面比较容易中的核心期刊有《电路与系统学报》、《固体电子学研究与进展》。只要你的芯片测试结果良好，并且电路有一定的创新，被接受的可能性还是很大的。
你看看应用光学吧。
N无线电电子学、电信技术类核心期刊表1、电子学报 2、半导体学报 3、通信学报 4、电波科学学报 5、北京邮电大学学报 6、光电子、激光 7、液晶与显示 8、电子与信息学报 9、系统工程与电子技术 10、西安电子科技大学学报 11、现代雷达 12、红外与毫米波学报 13、信号处理 14、红外与激光工程 15、半导体光电 16、激光与红外 17、红外技术 18、光电工程 19、电路与系统学报 20、微电子学 21、激光技术 22、电子元件与材料 23、固体电子学研究与进展 24、电信科学 25、半导体技术 26、微波学报 27、电子科技大学学报 28、光通信技术 29、激光杂志 30、光通信研究 31、重庆邮电学院学报.自然科学版（改名为：重庆邮电大学学报.自然科学版） 32、功能材料与器件学报 33、光电子技术 34、应用激光 35、电子技术应用 36、数据采集与处理 37、压电与声光 38、电视技术 39、电讯技术 40、应用光学 41、激光与光电子学进展 42、微纳电子技术 43、电子显微学报TP自动化技术、计算机技术类核心期刊表1、软件学报 2、计算机学报 3、计算机研究与发展 4、计算机辅助设计与图形学学报 5、自动化学报 6、中国图象图形学报 7、计算机工程与应用 8、系统仿真学报 9、计算机工程 10、计算机集成制造系统 11、控制与决策 12、小型微型计算机系统 13、控制理论与应用 14、计算机应用研究 15、机器人 16、中文信息学报 17、计算机应用 18、信息与控制 19、计算机科学 20、计算机测量与控制 21、模式识别与人工智能 22、计算机仿真 23、计算机工程与科学 24、遥感技术与应用 25、传感器技术（改名为：传感器与微系统） 26、计算机工程与设计 27、测控技术 28、传感技术学报 29、控制工程 30、微电子学与计算机 31、化工自动化及仪表看您文章的具体的要求的
几乎没有好投中的
一区二区三区四区的sci是：一区二区三区四区是SCI期刊的分区，sci期刊的分区有两种，一种是jcr的分区，另一个是中科院的分区，这两类分区很类似，都是分为四个区，分区的标准也都是期刊的影响因子。
至于不同区的期刊的区别，很显然的区别就是这四个区是按照影响因子由高到低排序的，一区期刊是影响因子最高，学术价值最高，影响力最大的期刊，四区期刊就是四个区中影响因子最低的一类刊物。
一区期刊不论是jcr分区的一区，还是中科院的一区，只要是一区期刊，都是国际上知名的学术期刊，这部分期刊发表难度是非常大的，也不是任何人都可以发表的，对于普通作者来说，是非常困难的，且不说文章难写，对作者身份职务可能都会有一定门槛。
一区期刊是不适合不同作者发表的，一般能发表一区的都是一些专家学者、知名大学教授、或者一些在本专业内有一定影响力的科研工作者。
二区期刊仅次于一区期刊，二区期刊国内作者发表的就相对多一些了，目前国内一些标准中明确要求发表二区及以上期刊，所以二区是很多国内作者的首选，二区期刊发表难度略小，但也要看具体的学科和具体的期刊，一般的规律是二区期刊较一区期刊容易一些。
三区四区期刊的发表难度就会更低一些，但三区四区期刊在国内有些许争议，就是因为上述我们提到的硬性要求，有些单位和高校是不认可二区以下的刊物的，其实对于大多数普通作者来说，只要能发表sci论文就已经实属不易了，国内也有很多单位只要是sci论文就认可，对分区，没有过多要求，这种情况下三区四区期刊也是可以发表的。
微电子领域大体可以分三个方向吧，设计、CAD和工艺。这三个方向共同的顶级的学术期刊是Proceedings of the IEEE，是讲微电子发展前沿的尖端技术的，基本上只有学界、产业界顶级大牛才能发表的。设计方向比较好的期刊有Journal of Solid State Circuits（JSSC)、IEEE Transactions on Signal Processing、IEEE Transaction on Communication、IEEE transactions on circuits and systems (CAS) I & II、IEEE transactions on VLSI等。CAD方向比较好的期刊有IEEE Transactions on Computer-Aided-Design (CAD)、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques等。工艺方向比较好的期刊有Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、IEEE Journal of MEMS等。
微电子学与计算机主管单位：中国航天科技集团公司主办单位：中国航天时代电子公司第七七一研究所快捷分类：计算机电子信息科学综合出版地区：陕西国际刊号：1000-7180国内刊号：61-1123/TN创刊时间：1972发行周期：月刊期刊开本：A4审稿时间：3-6个月所在栏目：信息科技综合影响因子：期刊级别： CSCD核心期刊 北大核心期刊 统计源期刊微电子学主管单位：工业和信息化部主办单位：中国电子科技集团公司24所快捷分类：电子无线电电子学出版地区：重庆国际刊号：1004-3365国内刊号：50-1090/TN创刊时间：1971发行周期：双月刊期刊开本：A4审稿时间：3-6个月所在栏目：信息科技综合影响因子：期刊级别： CSCD核心期刊 北大核心期刊 统计源期刊还有其他的很多！杂志之家 你可以去看看！
将所有SCI期刊按影响因子排序，前5%是一区，前20%是二区，前50%是三区，剩下的是四区。
或者这样子说：一般SCI论文分四个区，一区都是国际顶级期刊，二区次之，三区和四区是一般的SCI期刊。
《科学引文索引》（Science Citation Index, 简称 SCI ）美国科学信息研究所（ ISI）的尤金·加菲尔德（Eugene Garfield）于1957 年在美国费城创办的引文数据库。SCI（科学引文索引）、EI（工程索引）、ISTP（科技会议录索引）是世界著名的三大科技文献检索系统，是国际公认的进行科学统计与科学评价的主要检索工具。
影响
科学引文索引以布拉德福(S. C. Bradford)文献离散律理论、以加菲尔德(E. Garfield)引文分析理论为主要基础，通过论文的被引用频次等的统计，对学术期刊和科研成果进行多方位的评价研究，从而评判一个国家或地区、科研单位、个人的科研产出绩效，来反映其在国际上的学术水平。因此，SCI是国际上被公认的值得借鉴的科技文献检索工具。
《JCR期刊影响因子及分区情况》是由中国科学院文献情报中心按年度和学科根据SCI期刊的影响因子对SCI期刊进行4个等级划分的分区表。目前SCI核心库有3762种期刊，扩展库（网络版）有6089种期刊，SCI库的期刊质量和影响力存在很大的差距，尤其是不同学科之间的SCI期刊，很难进行比较和评价。SCI期刊分区表是由科学院文献情报中心组织相关学科专家，以当年SCI期刊的影响因子为主要依据，结合该期刊在本学科的影响度，将各学科的全部SCI期刊分为1区（最高区）、2区、3区和4区等4个等级。有个别期刊在归属学科上判法可能不一致，在传统认识上的学科找不到时，请按期刊名查找。
SCI期刊的一区、二区、三区、四区是中科院按照一定的标准划分的。四区的影响影子要低一些，你可以看一下百科里的中科院JCR期刊分区需要详读。三区、四区的安排相对于一区、二区来说要容易一些，可以看看《sci三区四区中文期刊》
CR2区是，中科院3区工程技术类SCI期刊。
一区二区三区四区是sci期刊的分区，sci期刊的分区有两种，一种是jcr的分区，另一个是中科院的分区，这两类分区很类似，都是分为四个区，分区的标准也都是期刊的影响因子。
至于不同区的期刊的区别，很显然的区别就是这四个区是按照影响因子由高到低排序的，一区期刊是影响因子最高，学术价值最高，影响力最大的期刊，四区期刊就是四个区中影响因子最低的一类刊物。
一区期刊不论是jcr分区的一区，还是中科院的一区，只要是一区期刊，都是国际上知名的学术期刊，这部分期刊发表难度是非常大的，也不是任何人都可以发表的，对于普通作者来说，是非常困难的，且不说文章难写，对作者身份职务可能都会有一定门槛。
一区期刊是不适合不同作者发表的，一般能发表一区的都是一些专家学者、知名大学教授、或者一些在本专业内有一定影响力的科研工作者。
二区期刊仅次于一区期刊，二区期刊国内作者发表的就相对多一些了，目前国内一些标准中明确要求发表二区及以上期刊，所以二区是很多国内作者的首选，二区期刊发表难度略小，但也要看具体的学科和具体的期刊，一般的规律是二区期刊较一区期刊容易一些。
微电子领域大体可以分三个方向吧，设计、CAD和工艺。这三个方向共同的顶级的学术期刊是Proceedings of the IEEE，是讲微电子发展前沿的尖端技术的，基本上只有学界、产业界顶级大牛才能发表的。设计方向比较好的期刊有Journal of Solid State Circuits（JSSC)、IEEE Transactions on Signal Processing、IEEE Transaction on Communication、IEEE transactions on circuits and systems (CAS) I & II、IEEE transactions on VLSI等。CAD方向比较好的期刊有IEEE Transactions on Computer-Aided-Design (CAD)、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques等。工艺方向比较好的期刊有Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、IEEE Journal of MEMS等。
是的。IEEEElectronDeviceLetters是国际微电子器件领域的顶级期刊，也是IEEEElectronDevicesSociety第一旗舰期刊，在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力。郝跃院士团队2018年在该期刊发表学术论文十多篇，标志着西安电子科技大学在先进微电子器件研究领域已经走在世界前列。
微电子领域高质量杂志：器件方向：1. IEEE electron device letters2. IEEE Trans electron devices3. IEEE Trans power electronics(电路也可投，几年来IF很高)4. Solid-State Electronics5. Microelectronics Journal6. 器件领域的顶级会议：ISPSD和IEDM，每年汇聚全球知名器件领域的研究人员和业界人员参会。电路方向：知道的比较少，ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference）是世界学术界和界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。在该会议发表文章的人具有不小的影响力。工艺方向： 既可在器件的杂志如EDL、TED发表，也可在材料、物理类期刊上看到。IEEE Trans material reliability，Applied Phys. Letter, Physical Review，Microelectron Reliability 等等。