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别说是硕士论文，就是本科论文都要查重，这是最基本的一道程序。况且现在国家出台了新政策，随时可能会抽查历史年份的论文，一旦发现不合格的，即使你毕业了很多年，一样要取消你的学历。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
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管理创新的作用：1，提高企业的经济效益，一是提高目前的效益，二是提高未来的效益即企业的长远效益。2，降低交易成本，管理创新对企业发展和企业效益的提高和重大作用。3，稳定企业，推动企业的发展。4，拓展市场，帮助竞争，管理创新若在市场销售方面进行，帮助企业有力地拓展市场，展开竞争。5，有助于企业家阶层的形成，职业经理层的形成对企业的发展有很大作用，对支薪的企业家而言，企业存续对其职业发展有重要作用
问题一：什么是管理创新，创新的意义是什么？ 有关管理创新含义 有关管理创新的定义，不同学者也有不同的看法。王祖成在《世界上最 有生命力的管理―创新》一书中指出:管理创新就是根据客观规律和现代 科技发展的态势，在有效继承的前提下对传统的管理进行改进、改革、改善 和发展。管理创新包括管理思想、管理观念、管理理论、管理制度、管理机 制、管理体系、管理组织机构、管理模式方法及管理人才的培养组织等方面 及其组合的创新。而我国著名的管理学者蒋明杰教授将管理创新定义为创造 一种新的或更有效的资源整合范式，这种范式既可以是新的有效整合资源以 达到企业目标的全过程式管理，也可是某方面的细节管理，至少可以包括以 下五个方面情况:一是提出一种新的经营思路并加以有效实施，如果经营思 路可行就是一种管理创新;二是设计一个新的组织机构并使之有效运作;三 是提出一个新的管理方式、方法，它能提高生产效率，协调人际关系或能更 好地激励员工;四是设计一种新的亥理模式;五是进行一项制度创新。还有 学者认为管理创新就是在建立和完善扎实的管理基础工作、加强实物资源和 有形资产管理的同时，不断采用适应市场需求的新的管理方式和管理方法， 以人为本，重点加强知识资产管理、机遇管理和企业战略管理，有效运用企 业资源，把管理创新与技术创新和制度创新有机结合起来，形成完善的动力 机制、激励机制和制约机制。企业管理创新包括思想与理念创新、经营战略 创新、组织结构创新、管理制度创新、管理机制与模式的创新、运作流程创 新、技术与方式方法创新、市场与产品创新等内容。管理创新是决策层创新、 武汉理工大学硕士学位论文 执行层创新和操作层创新的全方位有机结合。 由上可知，从不同的角度定义管理创新有一定的差异，但是总的来看， 都看到了管理创新是一种新的资源整合方式。本文谈的管理创新是指企业在 现有的资源的基础上，发挥人的积极性和创造性，通过一种新的或更经济的 方式来整合企业的资源，就其内容来说，管理创新的内容是多方面的，它不 仅体现在更新岗位设计和工作流程，更体现在对经营观念、经营战略、组织 结构、激励和约束制度、组织行为、管理规范、管理方法和管理技术及至在 公司文化整合上进行系统性的调整。 创新是一个民族的灵魂 创新是人类发展的不竭动力 创新是人类智慧的结晶 创新是一个团队凝聚力与创造力的具体表现 创新是对精华的萃取 创新是对糟粕的摒弃 创新是对传统的继承与发扬 创新是对陈规的抨击 创新是不断进取 创新是勇于开拓 创新是新世纪发展的口号 创新是新世纪腾飞的力翼 问题二：什么是创新管理 创新管理有三种互有联系的不同含义：1、管理的创新，2、对创新活动的管理，3、创新型管理。创新型管理不同于守旧型管理。它把创新体现在管理过程中，而且要求整个组织和成员是创新型的。 当今的趋势是由单项创新到综合创新（全方位创新），个人创新转向群体创新。如何创新 首先，树立全方位创新理念，建立创新激励机制。前面介绍的七种创新，缺一不可，是企业发展壮大的强大动力，不可偏废。创新激励机制至关重要。 任何工作岗位都需要创新，也存在创新的可能，不管该岗位是多么平凡。请看下面的案例： 德国农民卖土豆时把土豆分成大中小三类，这样卖比混着卖能赚更多的钱，但分土豆工作量大，却不是一件容易的事。汉斯家卖土豆时从不分捡，但也能卖好价钱。奥秘何在？原来他们先把土豆装进麻袋，然后再选颠簸不平的山路走，等到城里时，小的落在下面，大的在麻袋的上面。道理就这么简单。 平安将创新作为企业价值观之一，平安团队价值观--团结、学习、活力、创新；平安经营理念--人无我有、人有我专、人专我新、人新我恒。 其次，企业具备鼓励创新的开放系统，倡导学习和提升个人工作技能。营造集思广益的氛围，中高层以上管理人员鼓励并善于采纳下属意见，员工普遍习惯于采纳同事的意见。许多跨国公司都建立合理化建议奖励制度。 第三，公司在资源配置上要倾斜。创造本身需要投入，产品创新和技术创新更需要大投入，国外公司的产品研发费用每年动辄数亿，数十亿美金。为了开发 unit-link，平安专门成立了项目小组，先后花巨资聘请国外精算师和咨询公司参与。巨人集团的脑黄金生物制品的失败在很大程度上是由于其投入不足。建立创新激励机制也需要投入。比如为训练员工创造力所花的费用。 问题三：管理创新是什么，管理创新有何特征 管理创新： 管理创新（Management Innovation）经济学家约瑟夫・熊彼特于1912年首次提出了“创新”的概念。 创新是指以独特的方式综合各种思想或在各种思想之间建立起独特的联系这样一种能力。能激发创造力的组织，可以不断地开发出做事的新方式以及解决问题的新办法。 企业管理创新，最重要的是在组织高管层面有完善的计划与实施步骤以及对可能出现的障碍与阻力有清醒认识。帮助企业主及CEO塑造此一方面的领导能力，使创新与变革成为可能。 管理创新则是指组织形成一创造性思想并将其转换为有用的产品、服务或作业方法的过程。也即，富有创造力的组织能够不断地将创造性思想转变为某种有用的结果。当管理者说到要将组织变革成更富有创造性的时候，他们通常指的就是要激发创新。 管理创新是指企业把新的管理要素（如新的管理方法、新的管理手段、新的管理模式等）或要素组合引入企业管理系统以更有效地实现组织目标的活动。 创新的特征是： 一是目的性。任何创新活动都有一定的目的,这个特性贯彻于创新过程的始终 。 二是变革性。创新是对已有事物的改革和革新，是一种深刻的变革。 三是新颖性。创新是对现有的不合理事物的扬弃，革除过时的内容，确立新事物。 四是超前性。创新以求新为灵魂，具有超前性。这种超前是从实际出发、实事求是的超前。 五是价值性。创新有明显、具体的价值，对经济社会具有一定的效益。 问题四：管理创新与创新管理有什么区别和联系 迷糊 你自己看看书吧 创意 chuang yi 英文：originality 创意是什么？创意是传统的叛逆；是打破常规的哲学；是大智大勇的同义；是导引递进升华的圣圈；是一种智能拓展；是一种文化底蕴；是一种闪光的震撼；是破旧立新的创造与毁灭的循环；是宏观微照的定势，是点题造势的把握；是跳出庐山之外的思路，超越自我，超越常规的导引；是智能产业神奇组合的经济魔方；是思想库、智囊团的能量释放；是深度情感与理性的思考与实践；是思维碰撞、智慧对接；是创造性的系统工程；是投资未来、创造未来的过程。 “创新”的由来 1912年美国经济学家熊彼特在他的德文著作《经济发展理论》中，首次提出了创新的概念。熊彼特认为，“创新”就是把生产要素和生产条件的新组合引入生产体系，即“建立一种新的生产函数”，其目的是为了获取潜在的利润。熊彼特的理论一开始并没有引起足够的重视，直到1934年他的作品用英文出版后，才引起了学界的广泛关注。 上世纪90年代，我国把“创新”一词引入了科技界，形成了“知识创新”、“科技创新”等各种提法，进而发展到社会生活的各个领域，使创新的说法几乎无处不在。 清华大学科学与社会研究所教授李正风认为，“创新”一词在我国存在着两种理解，一是从经济学角度来理解创新，二是根据日常含义来理解创新。目前，人们经常谈及的创新，简单说来就是“创造和发现新东西”。这里使用的实际上是“创新”的日常概念。从这个广义的概念上看，人类社会的每一次进步都离不开创新。 那么，我们通常所说的“科技创新”、“自主创新”究竟属于哪个范畴呢？从事创新概念研究的学者普遍认为，很难进行严格的界定。在汉语言中，经济学范畴的创新(innovation)一词，没有严格对应的词汇，现在使用的“创新”很容易和另一个词“discovery”混淆，特别是在基础科学领域。这种概念的泛化或者说是多元化，有它有利的一面也有不利的一面。从有利的方面说，清华大学的另一位学者刘立博士认为，这种多元化有利于社会各阶层、各群体，在社会生活中处于不同角色的人，参与创新行为，也有利于对他们的行为进行非经济学的评估。而不利的一面在于，丧失了统一的标准，使很多行为都能被称为“创新”，而“创新”本身，也容易成为一个简单的“口号”。 由于创新的系统性，以及创新系统的复杂性，也使人们越来越注意从社会、政治和科技、文化的角度来理解企业、企业之外的其他机构在创新系统中的行为和作用，这是非常必要的，但如果把企业之外的不同机构或者不同社会角色在创新系统中的作用孤立起来，特别是撇开与企业创新活动的联系，就往往容易把创新这个概念单纯理解为“创造新东西”。 创新行为在历史上长期是一种企业家的个人行为，从20世纪中叶，特别是六七十年代后，人们越来越认识到创新是一个多主体、多机构参与的系统行为，因此，20世纪80年代，人们提出了国家创新系统的概念和理论。冷战结束后，国家之间的竞争转向以经济竞争为主，知识经济的兴起使经济的发展越来越依赖知识和技术的进步，这种形势下，国家创新系统建设成为世界各国普遍关注的重要问题。 而对于创新的实际应用来说，谈到创新，很多企业首先想到的是产品创新。其实创新并不仅仅限于产品创新的。与熊彼特对创新分类略有不同，现在我们一般认为创新主要分为四种类型：产品创新，市场创新，商业模式创新和管理模式创新。 1．产品创新 产品创新是指将新产品、新工艺、新的服务成功的引入市场，以实现商业价值。如果企业推出的新产品不能为企业带来利润，带来商业价值，那就算不上真正的创新。产品......>> 问题五：新的管理创新模式有哪些 企业管理创新,主要是对企业中固有的传统思想、管理模式、经营管理、战略管理等各方面的管理进行一定程度的创新,并注重企业内每个职工的思想政治工作,从人这一活跃因素上进行控制,推进创新工作的顺利展开。随着外部环境的变化和宏观经济发展不确定性因素的增加,企业发展面临的挑战和压力日益严峻,加强企业管理,推进管理创新,主动应对挑战,有效化解压力,成为一项重大而又现实的课题。加强企业管理创新是应对挑战和压力的必然选择,是推动发展目标实现的内在要求,能增强企业适应市场竞争环境、快速响应市场需求的能力,有利于企业有效应对风险、实现可持续发展。 一、强化理念创新,增强管理创新动力 理念创新是一种创造性思维活动,是企业管理创新的灵魂和先导。要大力倡导管理理念的转变,积极学习借鉴现代管理理论、管理思想、管理方法、管理工具,提高管理人员的专业知识和管理能力,形成良好的思想认识基础,为管理和创新提供有效动力。 1、强化服务理念。服务是现代企业发展的灵魂。在市场经济条件下,营销环境发生了巨大变化,信息快速传播,产品质量趋同,服务逐渐成为影响客户满意程度的首要因素,优质服务成为赢得客户、赢得市场的利器。要真正树立起“以客户为中心”的服务理念,关注客户需求和体验,做实做细服务基础工作,帮助客户解决问题,迅速响应客户需求,持续提供优质服务,让服务超越客户期望,努力让服务更加贴近市场、更加贴近客户。 2、强化精细化管理理念。精细化管理的核心理念是精、准、细、严,精是做精,做好,精益求精;准是准确,准时,信息与决策准确无误;细是操作细化,管理细化,重视细节;严是严格执行制度标准和程序规定,严格控制偏差。当前,要把精细化管理理念贯彻到管理的全过程,以精细化的规划、精细化的分析、精细化的控制、精细化的操作、精细化的核算实现从经验管理、粗放管理到科学管理、精细管理的转变。要细分岗位职责,细化目标任务,细化制度流程,培育精益求精的企业文化。要树立“以顾客为关注焦点”的管理理念,全面细化业务流程操作规范,提高全员职业素养。 3、增强创新意识。树立“崇尚创新、宽容开放”的创新导向,倡导“持续改进、勇于超越”的创新精神,营造浓厚的创新氛围。按照“突出参与性、突出解决实际问题”的原则,开展管理创新课题研究和QC小组活动、行业对标管理等群众性管理创新活动,交流企业管理经验,推广应用优秀管理成果和管理经验,推动管理创新成果的转化和应用。 二、突出制度创新,完善管理运行机制 制度具有鲜明的激励性、导向性。制度创新是加强管理、推动创新的保证。要在完善制度管理体系的基础上,推进制度创新,构建富有激励性、具有导向性的企业管理运行机制。 1、创新管理制度。根据企业未来发展需要,把思维创新、科技创新、组织创新等各类活动制度化、规范化,以体现前瞻性的制度体系引导思维创新、科技创新、组织创新活动。创新员工职业发展管理制度,建立员工职业发展规划,打通“行政道、技能道、职称道、模范道”四条职业发展通道,引导干部职工选择适合自己的职业发展道路,为优秀人才提供施展才华、超越自我的舞台。健全科技创新制度,明确创新任务,突出创新重点。健全绩效管理制度,按照“效率优先、兼顾公平、体现差别”的原则,健全绩效激励约束机制,建立导向明确、覆盖全面、重点突出、操作简便的绩效管理体系,推进全员绩效考核。 2、创新决策机制。主要体现在企业经营管理的目标对人、财、物的合理配置上。企业允许员工发展自己的兴趣。成为推动公司发展的功力,从而形成企业的创新成果。创新管理模式,导入卓越绩效管理模式,实现企业管理标准从“符合性评价”到“成熟度评价”的转变,创造......>> 问题六：什么是企业管理创新？都有哪些管理创新方法？ 管理创新则是指组织形成一创造性思想并将其转换为有用的产品、服务或作业方法的过程。也即，富有创造力的组织能够不断地将创造性思想转变为某种有用的结果。当管理者说到要将组织变革成更富有创造性的时候，他们通常指的就是要激发创新。 管理创新是指企业把新的管理要素（如新的管理方法、新的管理手段、新的管理模式等）或要素组合引入企业管理系统以更有效地实现组织目标的创新活动。 1加一加：在原有的基础上改进就是创新（加大，加长，加高，加宽） 例：①mp3加上收音机的功能就更贵一些，海尔冰箱加上电脑桌的功能，在美国大受欢迎。手机加上照相的功能便价格不菲。还有苹果的Ipod无非是加了个播放器和电影的移动存储，结果利润远远远大于电脑。②TCL手机加宝石，加得是时尚；③人没法长高，鞋底加高就增加销量；④咨询业也强调一个附加价值，买一赠一，做咨询策划另外送培训，除了主要培训内容，还提供些额外的价值。比如提升销售能力，送情商，领导力和时间管理的技巧。⑤有一家叫普拉斯文具公司，把文具组合改进提高，使它的盒子安装有电子表、温度计，甚至可以成为一个变形金刚等等，五花八门，千变万化。尽管其内部的文具就那么几种，由于它的盒子花样多了，迎合了小孩的心理和兴趣，所以销量越来越大，很快成为风行全球的商品，普拉斯也成为名牌商号了。⑥现在卖房子都是变着花往出卖，房地产的大盘时代，复合地产，泛地产都搞“加一加”的创新，强调周边环境、配套设施，如果附近有商超、学校、医院、地铁和公交车站那么房价就更贵一些。宣传概念也不忘加点什么：比如奥林匹克花园，就是把房产与体育（健康）相加，得到“运动就在家门口”这种感觉。 2减一减：省略不必要的（减少，减短，减窄，减轻，减薄） 例：①移动硬盘是越小越方便携带，销路就好。大米改成小包装反倒卖得快；②目前市面上很多高功能的数码照相机，却发现90%的功能不会用。这个时候减去很多功能，就意味着成本的降低。也相当于进入一个新的无竞争领域，满足一部分经济型消费者的需求。比如爱国者推出的全民普及的低价相机就是这一特点，去除没有必要的功能；③企业管理也是一样，有时候要减少员工，进行末尾淘汰，这样才能保持组织持续进步的活力；④买产品时要考虑减少顾客的购买成本，降低顾客的购买风险才能赢得更多顾客；⑤经营企业有的时候要做减法，减掉非核心主业，锻造专业化，比如万科；⑥减一减最经典的案例要属常年盈利的美国西南航空公司。他们把空姐去掉一些，这样的话，飞机票价格就降下来了。因为美国人工费用那么高。然后不提供饭食，既空出两个位置，又降低了成本。其实航空食品非常贵，因为要保鲜，另外包括加热的设备这些都需要采购的，完了之后还有打扫卫生。整个成本也是比较高的。然后维修的费用非常低，他所有的飞机都是737.所以从经济学的经营曲线来看，劳工的效率非常高。飞机工程师的费用也很高，全部采用737以后，保证了财务成本也很低。本来50架飞机，要存一定的备件就可以了。这样的话，各方面的成本就降低，规模也上来了。现在美国西北航空公司、美国泛美航空公司都做不过它。 3扩一扩：功能、用途，使用领域（放大，扩展。） 例：①内存是越扩越贵；②有一个中学生雨天与人合用一把雨伞，结果两人都淋湿了一个肩膀。他想到了“扩一扩”，就设计出了一把“情侣伞”――将伞面积扩大，并呈椭圆形，结果这种伞在市场上很畅销；还有把变通雨伞加大一点，成为海滨游泳场的晴雨两用伞。③海尔冰箱销往国外发展中国家，当地居民把冰箱作为大件装饰品，喜欢把冰箱摆在显眼的位置上，越大就越觉得阔气，于是海尔针对他们的需求就......>> 问题七：管理 创新的主要内容是什么？ 管理创新的主要内容实质上就是对主要管理要素的创新与创新的管理方式、方法。主要集中在以下几个方面： 管理思想与观念的创新。例如：从传统的科学管理思想到组织、行为管理，人本管理，企业文化思想等； 管理组织的创新。例如：从直线型管理组织到直线职能型，事业部制，矩阵式管理组织等； 管理方法的创新。例如：运筹学、网络技术、优选法、价值工程在管理中的应用等； 管理技术的创新。例如：采用互联网与数字信息建立企业集成管理系统，利用网络技术，数字技术实现管理技术现代化。 在很多时候，管理创新的过程和成果是相互交织的――管理思想与观念的创新，可能与管理组织的创新互为因果；管理技术的创新引起 管理组织和管理方法的变革。 问题八：管理创新的内容 管理创新包括管理思想、管理理论、管理知识、管理方法、管理工具等的创新。何道谊按功能将管理创新分解为目标、计划、实行、检馈、控制、调整、领导、组织、人力九项管理职能的创新。按业务组织的系统，将创新分为战略创新、模式创新、流程创新、标准创新、观念创新、风气创新、结构创新、制度创新。以企业职能部门的管理而言，企业管理创新包括研发管理创新、生产管理创新、市场营销和销售管理创新、采购和供应链管理创新、人力资源管理创新、财务管理创新、信息管理创新等类创新。 问题九：管理创新的特点有哪些 企业管理创新的特点： 1.系统性 该特性源于企业的系统性，它是指在寻找企业管理创新的着力点以及评价管理创新的成果时要依据企业的系统性来进行。众所周知，企业是一个复杂系统，系统内的各要素相互联系、相互作用。当系统内某个或某些要素处于不良状态时，必有其它要素受到影响，同时，企业系统从整体上看也会处于不良状态。进一步地看，企业系统是由人来运行的，也是为人服务的。当企业系统处于不良状态时，必有相关的人感到不满。反过来也可以这样讲，如果没有相关的人感到不满，企业系统就处于良性状态。企业的系统性为管理创新寻找着力点提供了可能，同时也为管理创新成果的评价提供了标准。 2.全员性 企业管理创新的程度有大有小，创新程度不高的管理创新只是对现有管理工作一定程度上的改进，或者是对成熟管理技术的引进，其复杂程度不高。因此，可以认为企业所有员工都能成为管理创新的主体。依靠员工来解决问题已被认为是改变现代管理面貌的十二种创新之一。从根本上看，企业管理创新涉及到企业中的每一个人，每一个人对管理系统是如何影响他本人以及从他的角度来看应该如何改进都是最有发言权的，因此，企业中每一个都能够且应该成为管理创新的主体。 3.变革性 该特性是指管理创新一般会涉及到企业内权益关系的调整，因此，许多管理创新，尤其是程度大的管理创新实质上就是一场深刻的变革。从管理史上较为著名的管理创新来看，它们都具有变革性。比如，泰勒科学管理原理的应用需要劳资双方进行精神革命，协调利益关系；梅奥人群关系论的应用也需要企业管理者改变管理方式，尊重员工。由于企业本身就是一个利益聚合体，或者是一个政治实体，因此，不触及现有权益关系、皆大欢喜的管理创新是不存在的。 问题十：什么是技术创新管理 技术创新管理也称技术革新,是技术变革中继发明之后的一个技术应用阶段,技术创新管理的概念提出迄今已有70多年,但至今尚未形成一个严格统一的定义。熊彼特认为技术创新管理是生产要素与生产条件的新组合，国际经济合作与发展组织（OECD）的定义是技术创新管理包括新产品与新工艺以及产品与工艺的显着变化。国内学者认为技术创新管理是在经济活动中引入新产品或新工艺从而实现生产要素的重新组合，并在市场上获得成功的过程。在本文的研究中技术创新管理主要是指技术领域或技术意义上的创新管理，在这里把技术创新管理界定在技术或者与技术直接相关的范畴，而不涵盖体制、组织、结构、营销创新管理等管理创新管理的范畴。企业技术创新管理的主要活动由产品创新管理和工艺创新管理两部分组成，包括从新产品、新工艺的设想、设计、研究、开发、生产和市场开发、认同与应用到商业化的完整过程。产品创新管理――为市场提供新产品或新服务、创造一种产品或服务的新质量；工艺创新管理――引入新的生产工艺条件、工艺流程、工艺设备、工艺方法。技术创新管理不仅是把科学技术转化为现实生产力的转化器，而且也是科技与经济结合的催化剂。技术创新管理的根本目的就是通过满足消费者不断增长和变化的需求来保持和提高企业的竞争优势，从而提高企业当前和长远的经济效益，为了实现这一根本目的，企业除了在充分重视核心产品的技术创新管理的同时还必须重视管理创新管理。 如前所述，技术创新管理是指由技术的新构想，经过研究开发或技术组合，到获得实际应用，并产生经济、社会效益的商业化全过程的活动。其中，“技术的新构想”指新产品、新服务、新工艺的新构想；“技术组合”指将现有技术进行新的组合；“实际应用”指生产出新产品、提供新服务、采用新工艺或对产品、服务、工艺的改进；“经济、社会效益”指近期或未来的利润、市场占有或社会福利等；“商业化”指全部活动出于商业目的；“全过程”则指从新构想产生到获得实际应用的全部过程。 技术创新管理是在一定的技术条件下，为了使各种资源的利用更加合理、企业整个系统运行更加和谐高效、生产能力得到更充分有效的发挥而进行的发展战略、管理体制、组织结构、运作方式以及具体的管理方法与技术以及文化氛围等方面的管理。 技术创新管理的类型 技术创新管理可以从不同的角度进行分类。一般而言对于技术创新管理的分类都是根据创新管理对象、创新管理程度、创新管理来源等角度来进行分类。 按创新管理的对象分类 根据技术创新管理中创新管理对象的不同，技术创新管理可分为产品创新管理和工艺(过程)创新管理。 产品创新管理是指在产品技术变化基础上进行的技术创新管理。按照产品技术变化量的大小，产品创新管理又可细分为全新(重大)的产品创新管理和渐进(改进) 的产品创新管理。产品用途及其应用原理有显着变化的可称为全新产品创新管理。渐进的产品创新管理则是指技术原理本身没有重大变化，基于市场需要对现有产品进行功能上的扩展和技术上的改进。 按创新管理程度分类 根据技术创新管理过程中技术变化强度的不同，可将技术创新管理分为渐进性创新管理和根本性创新管理两类。 渐进性创新管理是指对现有技术进行局部性改进所引起的渐进性的技术创新管理。根本性创新管理是指在技术上有重大突破的技术创新管理。它往往伴随着一系列渐进性的产品创新管理和工艺创新管理，并在一段时间内引起产业结构的变化。 按技术创新管理的来源分类 根据技术创新管理的来源不同，可将技术创新管理分为自主型技术创新管理、模仿型技术创新管......>>
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
不知道...谢谢
武汉大学硕士学位论文的印制规定
为了规范硕士学位论文印制，使之符合国家标准局编写格式，及时向社会提供查阅，促进国内外学术交流，我校对硕士学位论文印制格式作出如下规定：
一、论文装订的排列顺序
（一）封面（学术型硕士格式见附件一，专业硕士格式见附件二）
（二）论文英文题目（专用—页纸，上方为题目用宋体2号字，下方为研究生姓名宋体4号字、外文专业应有中文题目）
（三）论文原创性声明（格式和要求见附件三）
（四）中文摘要
（五）英文摘要
（六）目录
（七）引言（绪论）
（八）正文
（九）中外文参考文献（格式和要求见附件四）
（十）附录
（十一）致谢或后记
二、论文印制规格及要求
（一）论文封面统一用120克铜版纸，封面底色为白色
（二）论文用A4纸（210×297mm）标准大小的白纸，必须 双面 印制，前置部分例外。
（三）论文在印制时，纸张四周留足空白边缘，即：每页上方（天头）、下方（ 地脚）、左侧（订口）、右侧（切口）应分别留出 25mm 以上的空白边缘。
三、论文封面格式
1、论文封面（封一）的内容包括：
（一）分类号。必须在封面左上角注明分类号，一般应注明《中国图书资料分类法》的类号，同时尽可能注明《国际十进分类法UDC》的类号。
（二）密级。如涉密论文，密级及保密年限由学校相关保密部门审核认定后按国家规定的保密条例在右上角注明密级（如系公开型论文则可不注明密级）。
（三）编号。武汉大学编号为10486，标注在封面右上角。
（四）论文题目。题目必须用楷体标准一号字标注于明显的位置，应是集中概括论文最重要的'内容，一般不超过20个字，以有助于选定关键词和编制题录。题目不能用缩略词，首字母缩写字、字符、代号和公式等，题目语意未尽，可用副标题补充说明。外语专业的论文题目一般采用英文，英文题目不宜超过10个实词。
（五）论文作者姓名。
（六）论文作者学号。
（七）指导教师姓名、职称。指导教师姓名必须是填写被我校批准招收博士生、硕士生的教师。
（八）专业名称。学术型硕士专业名称必须是我校已有学位授予权的学科专业，并按国家颁布的学科专业目录中 二级学科、专业名称 印制。专业学位硕士填写专业学位类别，下设领域的具体到具体领域。
（九）论文完成时间。用汉字书写，只写年月，如“二〇一六年四月”。
2、 论文封面的格式， 请严格按“标准样本”（学术型硕士详见 附件一，专 业型硕士详见 附件二 ）制作。
四、论文英文题目
论文英文题目专用一页纸，“英文题目”用Times new Roman字体二号字，其下“研究生姓名”用Times new Roman字体四号字；外语专业应为中文题目。
五、论文原创性声明（ 见附件三 ）
论文原创性声明用黑体小二号字，内容用宋体四号字。
六、中文摘要
中文摘要用黑体小二号字，内容用宋体小四号字，页码用罗马数字单独编排，并标注在每页页脚中部。
七、英文摘要
英文摘要用加粗Times New Roman小二号字，内容用Times New Roman小四号字，页码续接中文摘要的页码。
八、论文关键词
每篇论文必须选取3-5个中、英文关键词，排在其论文摘要的左下方，用黑体小四号字。
九、目录
目录是论文的提纲，也是论文组成部分的小标题。排列顺序是：1.中文摘要；2.英文摘要；3.引言（绪论）；4.正文章节；5.参考文献；6.致谢或后记。
十、引言（绪论）
论文的页码由引言（绪论）的首页开始，作为第1页，并为右页，一律用阿拉伯数字连续编排页码，必须统一标注在每页页脚中部。
十一、正文
正文是学位论文的核心部分，必须由另页开始，一级标题之间换页，二级标题之间空行；内容一律用宋体小四号字，字间距设置为标准字间距，行间距设置为最小值20磅，各章、节应有序号。
十二、参考文献（ “文后参考文献著录格式”见附件四 ）
参考文献用黑体四号字，内容用宋体五号字。
十三、附录
附录是作为论文主体部分的补充项目，并不是必需的。
十四、论文制作时须加页眉
页眉从中文摘要开始至论文末，偶数页码内容为：武汉大学硕士学位论文，奇数页码内容为学位论文题目。
附件一：学术硕士学位论文封面
附件二：专业硕士学位论文封面
附件三：论文原创性声明
附件四：参考文献排列格式
武汉大学硕士论文查重率要求20%，这个要低得令人不敢相信，而如此高的重复比率，又直接决定了部分学生“走后门”。
如今随着毕业季的来临，一些西方大学校园将“再次出手”，让毕业生们先“回归常识，就是以基础知识讲座代替毕业设计了。“有时候，老师也要翻新覆盖旧课程，比如我们实验室那边留给学生的‘顶点’,让他们在最后台上拆解书本内容，进行算数分析，弄出一篇合格的论文。
博士学位论文
1、查重率<5%~10%，直接送审或答辩。
2、查重率>20%，由学位评定小组结合核心章节的重复率等处理意见，确定论文学术不端的类型和性质，延期半年至一年申请修改通过后才能答辩，情节严重者取消答辩资格。
您好，武汉大学有些硕士论文在知网上没有的原因可能有以下几点：1、论文可能没有及时发表，导致没有被知网收录；2、论文可能没有及时被知网收录，导致没有出现在知网上；3、论文可能没有被知网收录，因为论文内容不符合知网的要求；4、论文可能没有被知网收录，因为论文的发表时间过久，知网已经不再收录这类论文。
发布日期:2014-10-23 10:53:11 阅读次数:[6100]次 作者:核心提示:实验室硕士答辩流程及时间节点硕士学位申请人须至少提半年到实验室研究生管理办公室进行登记并领取《开题报告》,并开题.参加开题的教师,包括导师在内,不得少于3人.开题结束后填写纸质版《开题报告》并在研究生系统中提交开题报告.硕士学位申请人资格审查时间在每年5月10日前截止,请在此之前到实验室研究生工作办公室进行资格审查,逾期不予受理.须准备以下材料:发表的硕士资格论文原件或检索报告、定稿的硕士学位论文电子版、成绩单、武汉大学硕士学位申请书填写至第3页论文评阅人处,并在研究生管理信息系统上提交毕业申请和学位申请并得到导师的审核通过.学位论文要求字数在3万字以上,学位论文电子版文件命名方式:10486--619--博/硕论文--学号--姓名.资格审查的同时将从硕士学位申请人中抽取15%的比例进行学位论文重复率检测,要求论文的重复率控制在15%以内,每人仅一次检测机会.硕士学位论文评阅要求在5月20日前完成,评阅人由导师指定,由答辩委员会秘书将论文寄给评阅人,论文评阅人一般为两位具备教授、副教授或相当职称的专家,其中校外专家至少一人.由答辩秘书将学位论文传递给论文评阅人,为了保证评阅人客观公正的评阅,评阅意见应采用密封传递的形式.1.答辩信息审核与公示答辩信息包括:答辩时间、地点,题目,答辩委员会成员.答辩前48小时须将以上信息填写至学位申请书第三页相应位置,由答辩秘书提交教学秘书审核通过后,在实验室张贴公示.实验室要求硕士学位论文答辩委员会由5人组成（至少有一位校外专家）.主席必须是教授,委员是教授、副教授（或具有相当职称）专家.申请人的指导教师可以参加其研究生的论文答辩,但不能作为答辩委员会委员.聘请的答辩委员会委员含论文评阅人最多1人.2.硕士学位答辩答辩需在6月1日前完成.学位论文答辩一般在实验室内举行；若有特殊情况,需在异地组织答辩,必须事先经研究生院学位工作处批准.同一专业的硕士生安排在同一天答辩时,不应超过6人.答辩工作结束后,需在实验室学位评定分委会召开前提交学位档案材料到研究生工作办公室.包括以下材料
武汉大学盲审，结果全部合格可以答辩。武汉大学学位论文实行全盲审，送审论文与查重论文一致，一经送审不得撤回，评阅期为20-30天。超过规定最长学制、非全日制硕士、在职工程硕士等论文评阅人为3人。评阅结果有1个及以上不合格者，延期至少半年答辩。盲审通过的申请人须在导师指导下进行论文修改，填写《硕士学位论文修改报告》，并在研究生综合管理信息系统完成评阅管理，系统信息须与评阅书信息保持一致，且须上传论文评阅书电子版。
外审没过，意味着论文还需要修改，修改后需要再次送外审，通过后才能参加论文答辩。