见证制程工艺创新被推向极致. 5纳米之后 3纳米之前. 有些技术注定穷途末路. 而另一些则被重新加持. 与非网探秘最高制程工艺技术. 随着芯片工艺尺寸的不断降
微电子前沿4姓名:学号:签名:微电子前沿一一FinFET技术引言:2015年,这是一个FinFET的时代,FinFET器件纷纷进入移动市场, 苹果,三星, 华为纷纷推出自己的使用了 FinFET工艺的芯片。在
Finfet工艺库的技术分享. 直接上图. 左图是我们最常见的平面的FET结构,右图是鳍式的FET结构. 随着晶体管尺寸的缩小,传统的面结构的FET的栅控能力减
作为本世纪初被开发以应对22nm以后半导体工艺难题的两大制程技术之一,FD-SOI显然从知名度上远远不如FinFET那样耳熟能详,应用广度也欠缺了不止一个维度,但这种独特的工艺在某些方面
在SOI晶圆上,氧化埋层隔离了分立的晶体管,而在体硅器件中,隔离作用则必须通过晶圆工艺来形成。我们将证明,由于体硅FinFET工艺更为复杂,使得器件的差异性达到S
3D FinFET 技术的出现解决了晶体管工艺缩小引发的漏电的问题,让半导体的制程可以进一步推进。 随后,经过十多年的产业化推进,英特尔在 2011 年首先推出了
我们将证明,由于体硅FinFET工艺更为复杂,使得器件的差异性达到SOI的140%~160%,并会对制造和工艺控制产生严峻的挑战。虽然SOI基片更为昂贵一些,但更为复杂的体硅FinFET工艺成本的增